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公开(公告)号:CN101286395A
公开(公告)日:2008-10-15
申请号:CN200810125834.X
申请日:2008-03-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01C7/112
CPC classification number: C04B35/6263 , C04B35/453 , C04B35/638 , C04B2235/3201 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3277 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565
Abstract: 本发明涉及一种电压非线性电阻器陶瓷组成物、和电压非线性电阻器元件。本发明获得温度变动时电容特性改变较小的电压非线性电阻器元件。使用以ZnO为主要成分的烧结体作为该电压非线性电阻器元件层(2)。该烧结体中添加了Pr、Co、Ca、以及Cu或Ni。就其成分范围而言,Pr为0.05~5.0原子%、Co为0.1~20原子%、Ca为0.01~5.0原子%、以及Cu或Ni为0.0005~0.05原子%。在上述的范围内时,能够实现温度以25℃时为基准的85℃下的电容变化率为10%以下。
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公开(公告)号:CN1503278A
公开(公告)日:2004-06-09
申请号:CN200310120455.9
申请日:2003-10-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01C7/10
Abstract: 芯片状电子部件,其具有元件主体,所述元件主体具有氧化锌系材料层和内部电极层,其特征在于,将从上述内部电极层的层叠方向最外侧到上述元件主体的表面的最短距离设为1时,用二次离子质量分析法(SIMS),在从上述元件主体的表面到深度(0.9×1)的范围测定了Li与Zn的离子强度比(Li/Zn)的情况下,得到0.001≤(Li/Zn)≤500。根据本发明,可以提供不需要玻璃涂层等绝缘保护层的、对温度变化强、并且由焊锡回流也能维持元件表面的高电阻、可靠性高、制造容易的层叠芯片变阻器等的芯片状电子部件。
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公开(公告)号:CN101325095B
公开(公告)日:2011-10-19
申请号:CN200810110148.5
申请日:2008-06-13
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 陶瓷电子部件具备陶瓷素体以及配置于陶瓷素体的外部电极。外部电极具有第1电极层和形成于第1电极层上的第2电极层。第1电极层形成于陶瓷素体的外表面上,含有Ag以及玻璃物质。在第2电极层,含有Pt且在多处形成有到达第1电极层的孔。
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公开(公告)号:CN1983469B
公开(公告)日:2011-01-12
申请号:CN200610164345.6
申请日:2006-12-14
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01C7/10
Abstract: 本发明的可变电阻元件具有可变电阻素体、多个内部电极对、连接导体和多个端子电极。可变电阻素体具有相互面对的第一和第二主面;各内部电极对具有第一和第二内部电极。第一内部电极和第二内部电极以其至少一部分之间相互面对的方式配置在可变电阻素体内;连接导体配置在第一主面上,电连接多个内部电极对中的规定的内部电极对的第一内部电极之间;端子电极配置在第二主面上,设置成与多个内部电极对的各第二内部电极对应,且与该第二内部电极电连接。
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公开(公告)号:CN100576730C
公开(公告)日:2009-12-30
申请号:CN200610108904.1
申请日:2006-07-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: H03H5/12
CPC classification number: H02H9/005 , H01F2017/0026 , H01F2017/065 , H01G4/30 , H01G4/35 , H01G4/40 , H03H7/0107 , H03H7/09 , H03H7/1708 , H03H7/38 , H03H7/425 , H03H2001/0085
Abstract: 本发明的目的在于提供相对高速信号阻抗匹配优异,且小型的电涌吸收元件和电涌吸收电路。电涌吸收元件(SA1)具有第一和第二电感线圈部(10)、(20)、第一和第二电涌吸收部(30)、(40)。第一电感线圈部(10)具有第一和第二线圈(13)、(15),第二电感线圈部(20)具有第三和第四线圈(21)、(23)。通过适当设定各线圈之间的耦合系数和第一~第四线圈(13)、(15)、(21)、(23)的感应系数,在宽频带可以实现频率特性的平坦的镜像阻抗。此外,由于第一~第四线圈(13)、(15)、(21)、(23)相互具有正的磁耦合状态,与没有正的磁耦合状态时相比,可以使第一~第四线圈(13)、(15)、(21)、(23)的感应系数减小。
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公开(公告)号:CN100474580C
公开(公告)日:2009-04-01
申请号:CN200610074400.2
申请日:2006-04-14
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L2224/16225
Abstract: 本发明提供一种发光装置,其具备半导体发光元件和层叠型片状可变电阻。层叠型片状可变电阻具有,配置了可变电阻部的层压体和在层压体的外表面上配置的多个外部电极。可变电阻部具有以ZnO为主要成分且表现电压非直线特性的可变电阻层,和以夹着该可变电阻层的方式配置的多个内部电极。多个外部电极分别连接于多个内部电极中的对应的内部电极。半导体发光元件配置在层叠型片状可变电阻上。半导体发光元件以并联连接于可变电阻部的方式,连接于多个外部电极中的对应的外部电极。
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公开(公告)号:CN1329930C
公开(公告)日:2007-08-01
申请号:CN200310120455.9
申请日:2003-10-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01C7/10
Abstract: 芯片状电子部件,其具有元件主体,所述元件主体具有氧化锌系材料层和内部电极层,其特征在于,将从上述内部电极层的层叠方向最外侧到上述元件主体的表面的最短距离设为1时,用二次离子质量分析法(SIMS),在从上述元件主体的表面到深度(0.9×1)的范围测定了Li与Zn的离子强度比(Li/Zn)的情况下,得到0.001≤(Li/Zn)≤500。根据本发明,可以提供不需要玻璃涂层等绝缘保护层的、对温度变化强、并且由焊锡回流也能维持元件表面的高电阻、可靠性高、制造容易的层叠芯片变阻器等的芯片状电子部件。
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公开(公告)号:CN1905362A
公开(公告)日:2007-01-31
申请号:CN200610108904.1
申请日:2006-07-28
Applicant: TDK株式会社
IPC: H03H5/12
CPC classification number: H02H9/005 , H01F2017/0026 , H01F2017/065 , H01G4/30 , H01G4/35 , H01G4/40 , H03H7/0107 , H03H7/09 , H03H7/1708 , H03H7/38 , H03H7/425 , H03H2001/0085
Abstract: 本发明的目的在于提供相对高速信号阻抗匹配优异,且小型的电涌吸收元件和电涌吸收电路。电涌吸收元件(SA1)具有第一和第二电感线圈部(10)、(20)、第一和第二电涌吸收部(30)、(40)。第一电感线圈部(10)具有第一和第二线圈(13)、(15),第二电感线圈部(20)具有第三和第四线圈(21)、(23)。通过适当设定各线圈之间的耦合系数和第一~第四线圈(13)、(15)、(21)、(23)的感应系数,在宽频带可以实现频率特性的平坦的镜像阻抗。此外,由于第一~第四线圈(13)、(15)、(21)、(23)相互具有正的磁耦合状态,与没有正的磁耦合状态时相比,可以使第一~第四线圈(13)、(15)、(21)、(23)的感应系数减小。
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公开(公告)号:CN1893267A
公开(公告)日:2007-01-10
申请号:CN200610095766.8
申请日:2006-07-04
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/40 , H01F2017/0026 , H01G2/14 , H02H9/04 , H03H7/0107 , H03H7/09 , H03H7/1708 , H03H7/1725 , H03H7/1758 , H03H7/38 , H03H2001/0085
Abstract: 本发明提供一种电涌吸收元件,它具备:第1端电极、第2端电极、第3端电极、电感器部、电涌吸收部和电容器部。电容器部具有相互极性反相耦合的第1内部导体和第2内部导体。第1内部导体的一端与第1端电极连接。第2内部导体的一端与第2端电极连接。第1内部导体的另一端与第2内部导体的另一端连接。电涌吸收部具有连接在第1内部导体和第2内部导体的连接点上的第1内部电极,和连接在第3端电极上的第2内部电极。电容器部具有连接在第1端电极和第2端电极之间的电容成分。
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