公开(公告)号：CN101784484B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN200880104185.3

申请日：2008-07-04

Applicant: M技术株式会社

Inventor： 榎村真一

IPC: C01F7/02 ,  B01F3/08 ,  B01F5/06 ,  C01G23/00 ,  C01G23/053 ,  C01G25/02

CPC classification number: B01F7/0075 ,  B01F7/00791 ,  B01J19/1887 ,  B01J2219/00094 ,  B01J2219/00135 ,  B01J2219/00137 ,  B82Y30/00 ,  C01B13/32 ,  C01B13/36 ,  C01F7/34 ,  C01F7/36 ,  C01G9/02 ,  C01G23/006 ,  C01G23/047 ,  C01G23/053 ,  C01G25/02 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/52 ,  C01P2004/64 ,  Y10S977/84

Abstract: 本发明提供一种陶瓷纳米粒子的制造方法，其特征在于，在可接近和分离的对向配置且至少一方相对于另一方旋转的处理用面间形成的薄膜流体中，加水分解陶瓷原料。

公开(公告)号：CN103098157A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180041685.9

申请日：2011-12-16

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川本光俊

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C01G23/003 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/50 ,  C04B35/47 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6586 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/79 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/68 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: SrTiO3系晶界绝缘型的层叠型半导体陶瓷电容器的制造方法具有：预烧粉末制作工序，称量规定量的Sr化合物、Ti化合物以及施主化合物进行混合粉碎后，进行预烧处理来制作预烧粉末；热处理粉末制作工序，将受主化合物与预烧粉末混合，进行热处理来制作热处理粉末；层叠体形成工序，对所述热处理粉末实施成型加工来制作陶瓷生片，此后将内部电极层与陶瓷生片交替地层叠来形成层叠体；以及煅烧工序，在还原气氛下，对所述层叠体进行了一次煅烧处理，其后在大气气氛下进行二次煅烧处理，其中，在450℃～580℃的温度气氛下进行所述二次煅烧处理。由此，即使静电电容是1nF左右的低电容，也能够实现ESD的吸收性能良好的SrTiO3系晶界绝缘型的层叠型半导体陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN101495218B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200680030425.0

申请日：2006-05-30

Applicant: PPG工业俄亥俄公司

Inventor： T·亚达夫

IPC: B01F3/12 ,  B82B1/00

CPC classification number: C01B13/145 ,  B82Y30/00 ,  C01G1/00 ,  C01G3/02 ,  C01G9/02 ,  C01G19/00 ,  C01G23/002 ,  C01G23/003 ,  C01G23/005 ,  C01G23/006 ,  C01G23/047 ,  C01G25/00 ,  C01G25/02 ,  C01G29/00 ,  C01G41/02 ,  C01G45/1221 ,  C01G49/0018 ,  C01G51/40 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/22 ,  C04B20/0004 ,  C09C3/00 ,  Y10S516/922 ,  Y10S516/924 ,  Y10S516/928 ,  Y10S516/929 ,  Y10S516/93 ,  Y10S516/931

Abstract: 制造纳米材料分散体的方法及相关的纳米技术。说明了存贮和运输更为廉价的纳米材料浓缩物。

公开(公告)号：CN102859736A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180019166.2

申请日：2011-06-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 张替贵圣 ,  田中良明 ,  足立秀明 ,  藤井映志

IPC: H01L41/187 ,  H01L41/09 ,  H01L41/113 ,  B41J2/14 ,  C01G23/00 ,  C01G29/00 ,  C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  G01C19/5607

CPC classification number: C01G23/006 ,  B41J2/14274 ,  C01G29/006 ,  C01P2002/50 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/40 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/025 ,  C23C14/088 ,  G01C19/5621 ,  G01C19/5628 ,  H01L41/0973 ,  H01L41/1136 ,  H01L41/1871

Abstract: 本发明的目的在于提供含有非铅强介电材料、具有低介电损失和与PZT相同的高压电性能的压电体膜及其制造方法。本发明的压电体膜具备具有(111)取向的(NaxBiy)TiO0.5x+1.5y+2－BaTiO3层（0.30≤x≤0.46且0.51≤y≤0.62）。

公开(公告)号：CN101565317B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN200910141926.1

申请日：2009-04-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 山下友宏 ,  野中智明 ,  桥本晋亮 ,  佐佐木洋 ,  藤川佳则

IPC: C04B35/622 ,  C04B35/468 ,  H01B3/12

CPC classification number: C04B35/468 ,  B82Y30/00 ,  C01G23/006 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/62821 ,  C04B35/62897 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/5481 ,  C04B2235/549 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/724 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/765 ,  C04B2235/79

Abstract: 本发明涉及电介质粒子的制造方法。通过对比表面积为20m2/g以上、金红石化率低的二氧化钛和钛酸钡进行热处理，提供一种制造具有高结晶性、均匀的微细钛酸钡粉末的方法。该电介质材料的制造方法包括：将金红石化率为30％以下、比表面积为20m2/g以上的二氧化钛粒子和钛酸钡粒子混合、准备混合粉末的工序；对该混合粉末进行热处理，在二氧化钛粒子表面上生成15重量％以上的平均厚度为3nm以上的连续的钛酸钡相的第一热处理工序；和在800～1000℃下进行热处理的第二热处理工序。

公开(公告)号：CN101428838B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200810174787.8

申请日：2008-11-05

Applicant: 日本化学工业株式会社

Inventor： 菊地敦 ,  大高伸夫 ,  佐久间晃 ,  上本贤治

IPC: C01F11/18

CPC classification number: C01F11/188 ,  C01G23/006 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/10 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12

Abstract: 本发明提供一种分散性优良的长径比小的棒状碳酸钡颗粒粉末及其制造方法。该棒状碳酸钡颗粒粉末含有颗粒表面具有1个或2个以上缩颈部的棒状颗粒，上述棒状颗粒的长径比为1.5～4.5。上述棒状颗粒的BET比表面积为15m2/g以上。上述缩颈部设置在相对于棒状颗粒的长轴方向为直角方向或倾斜方向。上述棒状碳酸钡颗粒粉末的制造方法具有在50℃以上对含有针状碳酸钡颗粒粉末的水性浆料进行加热处理的工序。

公开(公告)号：CN102649640A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201210040768.2

申请日：2012-02-21

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中川利治 ,  橘纪和 ,  中村泰也

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1227 ,  B32B18/00 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/54 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62685 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/442 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/765 ,  C04B2237/346

Abstract: 本发明提供高效率且经济地制造微细、结晶性高的钙钛矿型复合氧化物的方法，其可以适用于介电体层的层叠数多、薄层化的层叠陶瓷电容器的介电体层等。包括至少使氧化钛、钙化合物和氢氧化钡在浆液中反应，从而钙钛矿型复合氧化物生成的反应工序，并且，作为钙化合物，使用碳酸钙，以(Ba1-xCax)mTiO3表示钙钛矿型复合氧化物时，得到x处于0＜x≤0.125的范围的钙钛矿型复合氧化物。另外，作为钙化合物，使用水溶性的钙化合物，以(Ba1-xCax)mTiO3表示钙钛矿型复合氧化物时，得到x处于0＜x≤0.20的范围的钙钛矿型复合氧化物。

公开(公告)号：CN101687663B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200880021669.1

申请日：2008-06-13

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 川本光俊

IPC: H01B3/12 ,  C01G23/00 ,  C04B35/46 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1227 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/47 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/85 ,  H01G4/30 ,  Y10T428/2982

Abstract: 本发明涉及SrTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷。该半导体陶瓷中施主元素固溶于晶粒中，并且受主元素至少存在于晶界中，结晶面的(222)面中的积分宽度为0.500°以下，且晶粒的平均粉末粒径为1.0μm以下。将其烧成，得到半导体陶瓷。另外，使用该半导体陶瓷，得到层叠型半导体陶瓷电容器。由此，实现即使晶粒的平均陶瓷粒径为1.0μm以下，也具有5000以上的大表观相对介电常数εrAPP，且绝缘性也优越的SrTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷粉末、烧结该半导体陶瓷粉末而成的半导体陶瓷、及使用该半导体陶瓷，能够实现基于薄层化·多层化的大电容的层叠型半导体陶瓷电容器。

公开(公告)号：CN102482136A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080030419.1

申请日：2010-06-25

Applicant: 埃斯托股份有限公司

Inventor： R·D·威尔

IPC: C03B20/00 ,  C03B19/09 ,  C03B37/029 ,  C30B15/10

CPC classification number: C04B35/4682 ,  B01J6/002 ,  B01J6/004 ,  B82Y30/00 ,  C01G1/02 ,  C01G23/006 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/03 ,  C01P2006/42 ,  C03B23/207 ,  C04B35/49 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/6268 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/5472

Abstract: 一种炉组件包括第一和第二区段。该第一区段包括第一和第二末端、安置在第一末端处的一个第一接头、在第二末端处的一个锥形部分、安置在第一与第二末端之间的第一过滤器、以及延伸穿过该第一区段并与该第一过滤器流体连通的一个腔管。该第二区段包括第一和第二末端、安置在该第一末端处的一个第二接头、安置在该第二末端处并用来接收该第一区段的锥形部分的一个开口、安置在该第一与第二末端之间的一个第二过滤器、以及延伸穿过该第二区段并与该第二过滤器流体连通的一个腔管。该第一和第二区段在被接合时在第一与第二过滤器之间形成了一个腔室。该腔室与该第一和第二区段的相应的第一末端处于流体连通。

公开(公告)号：CN102471085A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080030742.9

申请日：2010-06-30

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  电气化学工业株式会社

Inventor： 今野干男 ,  长尾大辅 ,  渡边明 ,  木下敬文 ,  川崎卓

IPC: C01G23/00 ,  C09D4/02 ,  C09D7/12 ,  C09D133/00 ,  C09D201/00

CPC classification number: C01G23/006 ,  B82Y30/00 ,  C01P2004/54 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/60 ,  C08J7/047 ,  C08J2383/04 ,  C08J2433/12 ,  C08K3/08 ,  C08K9/06 ,  C08K2201/016 ,  C08L33/12 ,  C09C1/3676 ,  C09D5/00 ,  C09D7/42 ,  C09D7/61 ,  C09D7/67 ,  C09D133/12 ,  Y10T428/256 ,  Y10T428/2982 ,  Y10T428/2991

Abstract: 本发明提供一种碱土类金属的钛酸化合物粉末(MTiO3：M为选自由钡、锶、钙及镁所构成的组中的1种或2种以上)，其平均粒径为50nm以下、平均纵横比为1.0至1.2、折射率为1.8至2.6。所述粉末作为高折射率粉末是有用的。