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公开(公告)号:CN106971845B
公开(公告)日:2018-07-10
申请号:CN201611224875.5
申请日:2016-12-27
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/12 , H01G4/30 , C04B35/468
CPC classification number: H01G4/30 , B32B18/00 , C04B35/4682 , C04B35/4686 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , C04B2237/346 , C04B2237/68 , H01G4/1227
Abstract: 本发明涉及一种陶瓷电子部件,其具有电介质层以及电极层。电介质层具有多个陶瓷颗粒以及存在于多个陶瓷颗粒之间的晶界相。陶瓷颗粒的主成分为钛酸钡。晶界相的平均厚度为1.0nm以上并且晶界相的厚度偏差σ为0.1nm以下。
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公开(公告)号:CN104944942B
公开(公告)日:2018-03-30
申请号:CN201510137602.6
申请日:2015-03-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/475 , C04B35/44 , C04B35/01
CPC classification number: H01L41/1878 , B32B18/00 , C04B35/475 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/62675 , C04B35/638 , C04B2235/3201 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3272 , C04B2235/3298 , C04B2235/442 , C04B2235/449 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/768 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2237/346 , C04B2237/68 , C04B2237/704 , C23C14/08 , H01L41/0805 , H01L41/083
Abstract: 本发明的目的在于提供一种从压电特性、尤其是自发极化的最大值Pm与剩余极化Pr的比率大、电阻率充分高、低公害化、对环境性以及生态学的观点出发也优异的压电组合物以及压电元件。所述压电组合物的特征在于,主成分包含钙钛矿结构的下述通式所表示的物质。(Bi(0.5x+y+z)Na0.5x)m(Tix+0.5yMg0.5yAlkzCo(1‑k)z)O30.15≤x≤0.70.28≤y≤0.750.02≤z≤0.300.17≤k≤0.830.75≤m≤1.0(式中,x+y+z=1)。
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公开(公告)号:CN106061924A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201580011169.X
申请日:2015-03-05
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B37/02 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/6831 , C04B37/025 , C04B37/026 , C04B2237/121 , C04B2237/343 , C04B2237/405 , C04B2237/55 , C04B2237/597 , C04B2237/60 , C04B2237/68 , C04B2237/704 , C04B2237/708 , C04B2237/72 , C04B2237/86 , H01L21/67098 , H01L21/67103 , H01L21/68757 , H01L21/68792
Abstract: 在工序(a)中,将包含热膨胀系数大于陶瓷基体(12)的金属的钎料(56)、热膨胀系数比钎料(56)小的多孔体(54)以及供电端子(40),按照供电端子(40)的接合面(43)与陶瓷基体(12)的接合面(13)对置的方式配置于接合面上(13)。在工序(b)中,使钎料(56)熔融,使钎料(56)渗透到多孔体(54)的气孔内而形成包含钎料(56)和多孔体(54)的接合层,介由接合层将陶瓷基体(12)的接合面(13)与供电端子(40)的接合面(43)进行接合。
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公开(公告)号:CN105655126A
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:CN201510837554.1
申请日:2015-11-26
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/12 , H01G4/30 , H01B3/12 , C04B35/468
CPC classification number: H01G4/1227 , B32B18/00 , C04B35/4682 , C04B35/62685 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3244 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6021 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2237/346 , C04B2237/68 , C04B2237/704 , H01G4/008 , H01G4/012 , H01G4/1245 , H01G4/30 , H01B3/12
Abstract: 本发明的层叠陶瓷电容器具备具有多个电介质陶瓷层和多个内部电极层的层叠体、和形成于层叠体的表面且将在层叠体的表面露出的内部电极层电连接的外部电极,内部电极层是含有Ni的电极层,电介质陶瓷层含有包含Ba、Ti的钙钛矿型化合物、Ca、Mg、R、M及Si,其中,R是稀土类元素La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及Y中的至少1种,M是Zr、Mn、Co、Fe、Cr、Cu、Al、V、Mo及W中的至少1种,将Ti量设为100摩尔份时的各元素的含有摩尔份为Ca:0.10摩尔份以上5.00摩尔份以下、Mg:0.0010摩尔份以上0.0098摩尔份以下、R合计:0.50摩尔份以上4.00摩尔份以下、M合计:0.10摩尔份以上2.00摩尔份以下、Si:0.5摩尔份以上2.0摩尔份以下。
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公开(公告)号:CN103764592B
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201280042466.7
申请日:2012-08-29
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01F17/0013 , B32B18/00 , C04B35/265 , C04B35/6342 , C04B35/638 , C04B2235/3265 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/6025 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/96 , C04B2237/06 , C04B2237/68 , H01B3/12 , H01F1/344 , H01F17/0033 , H01F27/2804 , H01F27/292 , H01F41/041 , H01F41/046 , H05K3/0058 , Y10T29/49155
Abstract: 线圈导体(4)和与该线圈导体(4)分开配置的贯通电极(9)埋设在磁性体层(1)中。磁性体层(1)被一对非磁性体层(2)、(3)夹持。线圈导体(4)和贯通电极(9)由以Cu为主成分的导电性材料形成,磁性体层(1)由Ni-Mn-Zn系铁氧体形成,该Ni-Mn-Zn系铁氧体中,CuO的摩尔含量为5mol%以下,将Fe2O3的摩尔含量x、Mn2O3的摩尔含量y用(x,y)表示时,(x,y)在A(25,1)、B(47,1)、C(47,7.5)、D(45,7.5)、E(45,10)、F(35,10)、G(35,7.5)以及H(25,7.5)的范围内。由此即便与以Cu为主成分的导电性材料同时煅烧,也能够实现确保绝缘性且得到良好的电特性、具有高可靠性并能小型化的陶瓷多层基板等陶瓷电子部件。
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公开(公告)号:CN103098157B
公开(公告)日:2016-01-06
申请号:CN201180041685.9
申请日:2011-12-16
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 川本光俊
CPC classification number: H01G4/1227 , C01G23/003 , C01G23/006 , C01P2002/50 , C04B35/47 , C04B35/638 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/6582 , C04B2235/6586 , C04B2235/661 , C04B2235/79 , C04B2237/346 , C04B2237/68 , H01G4/12 , H01G4/30
Abstract: SrTiO3系晶界绝缘型的层叠型半导体陶瓷电容器的制造方法具有:预烧粉末制作工序,称量规定量的Sr化合物、Ti化合物以及施主化合物进行混合粉碎后,进行预烧处理来制作预烧粉末;热处理粉末制作工序,将受主化合物与预烧粉末混合,进行热处理来制作热处理粉末;层叠体形成工序,对所述热处理粉末实施成型加工来制作陶瓷生片,此后将内部电极层与陶瓷生片交替地层叠来形成层叠体;以及煅烧工序,在还原气氛下,对所述层叠体进行了一次煅烧处理,其后在大气气氛下进行二次煅烧处理,其中,在450℃~580℃的温度气氛下进行所述二次煅烧处理。由此,即使静电电容是1nF左右的低电容,也能够实现ESD的吸收性能良好的SrTiO3系晶界绝缘型的层叠型半导体陶瓷电容器。
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公开(公告)号:CN104589738A
公开(公告)日:2015-05-06
申请号:CN201410815104.8
申请日:2009-04-21
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 饭田裕一
CPC classification number: H05K1/183 , B28B11/243 , B32B3/266 , B32B7/02 , B32B18/00 , B32B2250/40 , B32B2250/42 , C04B2235/9607 , C04B2237/343 , C04B2237/348 , C04B2237/562 , C04B2237/58 , C04B2237/62 , C04B2237/68 , C04B2237/702 , C04B2237/704 , H01L23/13 , H01L23/5385 , H01L2224/16225 , H01L2924/09701 , H01L2924/15153 , H01L2924/19105 , H05K1/0271 , H05K1/0306 , H05K3/462 , H05K3/4629 , H05K3/4688 , H05K3/4697 , H05K2201/068 , H05K2203/061 , H05K2203/063 , Y10S428/901 , Y10T428/24331 , Y10T428/24851 , Y10T428/24926 , Y10T428/24942 , H01L23/538 , H05K1/02 , H05K1/11 , H05K1/18 , H05K3/46
Abstract: 使具有空腔的多层陶瓷基板薄型化时,因为规定空腔的底面的底壁部薄型化,所以存在该底壁部容易破损的问题。多层陶瓷基板(1)的规定空腔(3)的底壁部(4)形成高热膨胀系数层(6)被第一低热膨胀系数层(7)和第二低热膨胀系数层(8)夹住的层叠结构。根据这种构成,在烧成后的冷却过程中,在低热膨胀系数层(7、8)中会产生压缩应力,其结果是,可提高底壁部(4)处的机械强度。
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公开(公告)号:CN103764592A
公开(公告)日:2014-04-30
申请号:CN201280042466.7
申请日:2012-08-29
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01F17/0013 , B32B18/00 , C04B35/265 , C04B35/6342 , C04B35/638 , C04B2235/3265 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/6025 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/96 , C04B2237/06 , C04B2237/68 , H01B3/12 , H01F1/344 , H01F17/0033 , H01F27/2804 , H01F27/292 , H01F41/041 , H01F41/046 , H05K3/0058 , Y10T29/49155
Abstract: 线圈导体(4)和与该线圈导体(4)分开配置的贯通电极(9)埋设在磁性体层(1)中。磁性体层(1)被一对非磁性体层(2)、(3)夹持。线圈导体(4)和贯通电极(9)由以Cu为主成分的导电性材料形成,磁性体层(1)由Ni-Mn-Zn系铁氧体形成,该Ni-Mn-Zn系铁氧体中,CuO的摩尔含量为5mol%以下,将Fe2O3的摩尔含量x、Mn2O3的摩尔含量y用(x,y)表示时,(x,y)在A(25,1)、B(47,1)、C(47,7.5)、D(45,7.5)、E(45,10)、F(35,10)、G(35,7.5)以及H(25,7.5)的范围内。由此即便与以Cu为主成分的导电性材料同时煅烧,也能够实现确保绝缘性且得到良好的电特性、具有高可靠性并能小型化的陶瓷多层基板等陶瓷电子部件。
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公开(公告)号:CN101668620B
公开(公告)日:2013-11-06
申请号:CN200880013670.X
申请日:2008-12-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor: 斋藤善史
CPC classification number: H05K3/4611 , B32B18/00 , C04B2235/6025 , C04B2235/6567 , C04B2237/341 , C04B2237/343 , C04B2237/562 , C04B2237/62 , C04B2237/66 , C04B2237/68 , C04B2237/702 , C04B2237/704 , H01L2224/16225 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/19105 , H05K1/0306 , H05K3/4629 , H05K2201/09136 , H05K2203/308 , Y10T428/2495 , H01L2224/0401
Abstract: 欲基于所谓无收缩工艺通过在被收缩抑制层夹住的状态下进行烧成来制造包括陶瓷层叠体的多层陶瓷基板时,受到分别形成于陶瓷层叠体的第一及第二主面上的第一及第二表面导体膜的影响,除去了收缩抑制层后的多层陶瓷基板有时会产生翘曲。在烧成工序后,从复合层叠体除去收缩抑制层时,减少在烧成工序中沿着陶瓷生坯层与收缩抑制层的界面生成的第一及第二反应层(22及23)中的至少一层的厚度,藉此使第一及第二反应层(22及23)各自的厚度互不相同,从而调整由反应层(22及23)施加的压缩应力,抑制多层陶瓷基板(11)的翘曲。
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公开(公告)号:CN102976727A
公开(公告)日:2013-03-20
申请号:CN201210313786.3
申请日:2012-08-29
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01F1/01 , B32B18/00 , C04B35/265 , C04B35/6262 , C04B35/6342 , C04B35/638 , C04B2235/3265 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/6025 , C04B2235/604 , C04B2235/6567 , C04B2235/6584 , C04B2235/96 , C04B2237/34 , C04B2237/68 , C04B2237/704 , H01F1/344 , H01F3/08 , H01F5/00 , H01F17/04 , H01F27/292 , H01F27/33
Abstract: 本发明提供一种铁素体陶瓷组合物、陶瓷电子部件及陶瓷电子部件的制造方法。根据本发明,即使与以Cu为主成分的金属线材同时煅烧,也可实现能够确保绝缘性且能够得到良好的电特性的电感器等陶瓷电子部件。其中,金属线材(3)埋设在磁性体部(2)中。金属线材(13)由以Cu为主成分的导电性材料形成,并且,上述磁性体部(2)由Ni-Mn-Zn系铁素体形成,上述Ni-Mn-Zn系铁素体中,其CuO的摩尔含量为5mol%以下,将Fe2O3的摩尔含量x、Mn2O3的摩尔含量y用(x,y)表示时,(x,y)在A(25,1)、B(47,1)、C(47,7.5)、D(45,7.5)、E(45,10)、F(35,10)、G(35,7.5)以及H(25,7.5)的范围。
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