电介质陶瓷组合物及层叠陶瓷电容器

    公开(公告)号:CN107266070B

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN201710188839.6

    申请日:2017-03-27

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种即使在较高的电场强度下,特性也良好,特别是IR特性及高温负载寿命也良好的电介质陶瓷组合物。本发明的电介质陶瓷组合物包含:由以组成式(Ba1‑x‑ySrxCay)m(Ti1‑ZZrZ)O3表示的钙钛矿型化合物构成的主成分、由稀土元素的氧化物构成的第一副成分、和作为烧结助剂的第二副成分,所述电介质陶瓷组合物其特征在于,含有稀土元素的扩散率高的电介质颗粒,优选含有全固溶颗粒,在将扩散相中的Ti原子的浓度设为100原子%的情况下,扩散相中的稀土元素R的平均浓度为5原子%以上,并且扩散相中的Zr的平均浓度为10原子%以上。

    复合颗粒、磁芯和电子部件

    公开(公告)号:CN113571284B

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202110451896.5

    申请日:2021-04-26

    Abstract: 本发明提供一种直流重叠特性和耐压高、且抑制高温环境下的耐压的降低的电感元件等电子部件、该电子部件中使用的磁芯和构成该磁芯的复合颗粒。复合颗粒具有:大颗粒,其具有磁性;小颗粒,其直接或间接地附着于大颗粒的表面且平均粒径比大颗粒小;相互缓冲膜,其至少覆盖位于绕大颗粒周围存在的小颗粒之间的大颗粒的表面。将大颗粒的平均粒径设为R、将小颗粒的平均粒径设为r、且将相互缓冲膜的平均厚度设为t时,(r/R)为0.0012以上且0.025以下,(t/r)为大于0且0.7以下,r为12nm以上且100nm以下。

    钛酸钡的制造方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101428850A

    公开(公告)日:2009-05-13

    申请号:CN200810184241.0

    申请日:2008-11-07

    CPC classification number: C01G23/006 C01P2006/12

    Abstract: 本发明涉及钛酸钡的制造方法。本发明提供通过碳酸钡与氧化钛的固相反应制造钛酸钡时,能抑制升温过程中碳酸钡颗粒的颗粒生长,以优异的能量效率制造粒径小、均匀的钛酸钡粉末。本发明的钛酸钡的制造方法的特征是包括准备碳酸钡粉末与氧化钛粉末的混合粉末的工序和烧结该混合粉末的工序,在将混合粉末升温至烧结温度时,在400℃~700℃范围,以100℃/分钟以上的升温速度升温,烧结时的最高温度为700℃以上。

    成型体、磁芯和电子部件

    公开(公告)号:CN113571285B

    公开(公告)日:2023-06-16

    申请号:CN202110451926.2

    申请日:2021-04-26

    Abstract: 本发明提供一种直流重叠特性和初始磁导率优异的电子部件、该电子部件中使用的磁芯和构成该磁芯的成型体。本发明的成型体的特征在于:在成型体的截面上,在能够观察到10个以上且40个以下的具有磁性的大颗粒的规定范围的视野内,具有1处以上的间隔体区域,该间隔体区域中,平均粒径比大颗粒小的1个以上的小颗粒作为间隔体存在于大颗粒彼此之间。

    成型体、磁芯和电子部件

    公开(公告)号:CN113571285A

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN202110451926.2

    申请日:2021-04-26

    Abstract: 本发明提供一种直流重叠特性和初始磁导率优异的电子部件、该电子部件中使用的磁芯和构成该磁芯的成型体。本发明的成型体的特征在于:在成型体的截面上,在能够观察到10个以上且40个以下的具有磁性的大颗粒的规定范围的视野内,具有1处以上的间隔体区域,该间隔体区域中,平均粒径比大颗粒小的1个以上的小颗粒作为间隔体存在于大颗粒彼此之间。

    复合颗粒、磁芯和电子部件

    公开(公告)号:CN113571284A

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN202110451896.5

    申请日:2021-04-26

    Abstract: 本发明提供一种直流重叠特性和耐压高、且抑制高温环境下的耐压的降低的电感元件等电子部件、该电子部件中使用的磁芯和构成该磁芯的复合颗粒。复合颗粒具有:大颗粒,其具有磁性;小颗粒,其直接或间接地附着于大颗粒的表面且平均粒径比大颗粒小;相互缓冲膜,其至少覆盖位于绕大颗粒周围存在的小颗粒之间的大颗粒的表面。将大颗粒的平均粒径设为R、将小颗粒的平均粒径设为r、且将相互缓冲膜的平均厚度设为t时,(r/R)为0.0012以上且0.025以下,(t/r)为大于0且0.7以下,r为12nm以上且100nm以下。

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