公开(公告)号：CN104540977A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201380042347.6

申请日：2013-04-10

Applicant: 三井金属矿业株式会社

Inventor： 寺村享祐

IPC: C23C14/34 ,  C22C5/04 ,  G11B5/851 ,  B22F3/14 ,  B22F3/15

CPC classification number: H01J37/3426 ,  B22F3/15 ,  C22C1/0466 ,  C22C5/06 ,  C22C33/0278 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/653 ,  G11B5/851 ,  C22C5/04

Abstract: 本发明提供一种烧结体以及溅射靶，所述烧结体含有Fe、Pt、C以及Ag，在所述烧结体中，在将Fe、Pt、C以及Ag的组成表示为(Fex/100Pt(100-x)/100)100-y-zAgyCz时，35≤x≤65，1≤y≤20，13≤z≤60，且所述烧结体的相对密度为95％以上，氧含量为700ppm以下，由Ag构成的相的长轴长度为20μm以下。由于由所述烧结体而得到的溅射靶为高密度、低氧含量，且具有均匀的组织，因此能够形成在膜特性方面较为优异且高性能的薄膜例如磁记录膜。

公开(公告)号：CN104411862A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380035320.4

申请日：2013-08-21

Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社

Inventor： 佐藤敦

IPC: C23C14/34 ,  G11B5/851

CPC classification number: H01J37/3429 ,  C22C33/0228 ,  C23C14/14 ,  C23C14/165 ,  C23C14/3414 ,  G11B5/851 ,  H01J37/3426 ,  H01J2237/332 ,  C23C14/3407

Abstract: 一种烧结体溅射靶，该烧结体溅射靶包含：组成包含以分子数比计35～55％的Pt、余量为Fe的合金，和分散在该合金中的非磁性物质，其特征在于，至少含有SiO2作为非磁性物质，SiO2为非晶质，并且从靶中含有的氧量扣除非磁性物质的构成成分的氧而得到的残留氧量为0.07重量％以下。本发明的课题在于提供抑制SiO2向方英石的结晶化、溅射时产生的粉粒量少、并且具有包含SiO2的非磁性物质分散在Fe-Pt基合金中的组织的烧结体溅射靶。

公开(公告)号：CN104379799A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380020090.4

申请日：2013-03-13

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： B·G·艾特肯 ,  S·E·科瓦 ,  M·A·凯斯达

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  H01J37/34

CPC classification number: C23C14/10 ,  C23C14/087 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3426 ,  C23C14/086

Abstract: 溅射靶包括低Tg玻璃或者铜或锡的氧化物。此类靶材料可用于形成机械稳定的薄膜，其展现自钝化现象，并且可用于对灵敏工件进行密封，以免于暴露于空气或水分。低Tg玻璃材料可包括磷酸盐玻璃，例如磷酸锡和氟磷酸锡，硼酸盐玻璃、亚碲酸盐玻璃和硫属化物玻璃，及其组合。

公开(公告)号：CN104372297A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201410390721.8

申请日：2014-08-08

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 丁善英 ,  申尚煜 ,  李壹相 ,  金东镇 ,  朴镇宇

IPC: C23C14/34 ,  H01L51/56

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B05D5/00 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3426 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种制造溅射靶的方法及制造有机发光显示设备的方法。制造溅射靶的方法包括下述步骤：准备包括低温粘度转变(LVT)无机材料的溅射靶材料；在低于大气压强的工作压强下熔化溅射靶材料；以及对熔化的溅射靶材料进行处理，从而形成溅射靶。

公开(公告)号：CN104350174A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201380028671.2

申请日：2013-04-30

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 古川真司 ,  五味淳 ,  宫下哲也 ,  北田亨 ,  中村贯人

IPC: C23C14/58 ,  C23C14/02 ,  C23C14/08 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L43/12

CPC classification number: C23C14/5853 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C14/3464 ,  C23C14/352 ,  C23C14/564 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3447 ,  H01J2237/3322 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供一种在基板上形成金属氧化膜时、使基板间金属氧化膜的电阻值稳定的处理装置和处理方法。在能够进行等离子体溅射处理的真空容器(2)内部配置有由用于吸收氧的构件构成的靶(31a)和由金属构成的靶(31b)，将基板(S)搬入真空容器(2)内部。利用盖板(43)遮蔽基板(S)，对靶(31a)进行溅射而在真空容器(2)内部成膜，由该膜吸附真空容器(2)内部的氧。之后，使盖板(43)从基板(S)上方移开，对靶(31b)进行溅射而在基板(S)上形成金属膜。从再次移动到基板(S)上方的盖板(43)供给所需量的氧，将金属膜氧化成金属氧化膜。之后，对靶(31a)进行溅射而吸附真空容器(2)内部的氧，之后将形成有金属氧化膜的基板(S)从真空容器(2)内部搬出。

公开(公告)号：CN102939403B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201180019261.2

申请日：2011-04-12

Applicant: 攀时欧洲公司

Inventor： P·博尔西克 ,  C·博尔车 ,  M·贝利 ,  S·席利西特勒 ,  G·斯特劳斯

IPC: C23C14/32 ,  C23C14/34 ,  H01J37/34 ,  B22F7/06

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F7/06 ,  B22F7/08 ,  C23C14/325 ,  H01J37/34 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3429

Abstract: 提供一种用于物理气相沉积的涂层源1，所述涂层源具有在粉末冶金生产过程中由至少一种粉状起始材料制成的至少一个组件2；7以及嵌入在所述组件中的至少一个铁磁区域5a、5b、6。所述至少一个铁磁区域5a、5b、6是在所述粉末冶金生产过程中被引入到所述组件2；7中并且固定地连接到所述组件。

公开(公告)号：CN103108977B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201180041741.9

申请日：2011-04-28

Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社

Inventor： 田村友哉 ,  高见英生 ,  坂本胜

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/14 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3426

Abstract: 本发明涉及一种包含Cu-In-Ga-Se的四元合金溅射靶，为包含铜（Cu）、铟（In）、镓（Ga）和硒（Se）的四元合金溅射靶，其特征在于，各元素的构成比为式CuxIn1-yGaySea（其中，0.84≤x≤0.98，0＜y≤0.5，a=（1/2）x+3/2），通过EPMA观察到的组织中，无Cu2Se或Cu(In、Ga)3Se5的异相，仅包含Cu(In、Ga)Se2相。本发明提供即使长时间溅射也几乎没有异常放电，不存在造成溅射成膜后膜的转换效率下降的Cu2Se或Cu(In、Ga)3Se5的异相，可以制造面内均匀性优良的膜的CIGS四元合金溅射靶，以及具备规定的体电阻、且高密度的CIGS四元合金溅射靶。

公开(公告)号：CN103080369B

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201180024211.3

申请日：2011-06-09

Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社

Inventor： 佐藤敦

IPC: C23C14/35

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/35 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3423 ,  H01J37/3426

Abstract: 一种磁性材料溅射靶，其为厚度1～10mm的圆板状磁性材料溅射靶，其特征在于，在该靶的背面具有至少一个宽度5～20mm、深度0.1～3.0mm、以该圆板状靶的中心为中心的圆沟，各沟的间隔为10mm以上，并且在所述沟中填入有热导率为20W/m·K以上的非磁性材料。本发明的课题在于，为了消除靶为磁性材料时的缺点，进行使漏磁通密度增大的设计，增大等离子体的扩展，并且提高沉积速度，从而增加溅射效率，并且抑制局部的侵蚀，将靶表面的侵蚀均匀化，提高磁性材料靶的使用效率。

公开(公告)号：CN104114303A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201380009260.9

申请日：2013-02-13

Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社

Inventor： 八木和人 ,  日野英治 ,  新藤裕一朗

IPC: B22D21/06 ,  C22B9/22 ,  C22B34/12 ,  C22C1/02 ,  C22C14/00 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22B9/22 ,  C22B9/228 ,  C22B34/1295 ,  C22C1/02 ,  C22C1/03 ,  C22C1/1084 ,  C22C14/00 ,  H01J37/3426

Abstract: 一种钛锭，其为除了添加元素和气体成分以外的纯度为99.99质量％以上的高纯度钛锭，其特征在于，含有合计0.1～100质量ppm的选自S、P或B中的一种以上非金属元素作为添加成分，在同一锭内的上部、中间部、底部的非金属元素的偏差为±200％以内。一种钛锭的制造方法，所述钛锭含有0.1～100质量ppm的非金属元素，其特征在于，在制造除了添加元素和气体成分以外的纯度为99.99质量％以上的高纯度钛锭时，将作为非金属元素的S、P或B以金属间化合物或母合金的形式添加到熔炼的钛中。本发明的课题在于提供高纯度钛，其中，通过添加选自S、P或B中的一种以上非金属元素，减少了锭内及锭间的非金属元素含量的偏差，并且具有均匀的组织且提高了强度。

公开(公告)号：CN104040019A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201280051077.0

申请日：2012-10-17

Applicant: 普兰西欧洲股份公司

Inventor： 彼得·阿本廷 ,  克里斯汀·林克 ,  安德烈·德龙豪弗 ,  哈特穆特·沃尔夫 ,  托比亚斯·威尔 ,  沃尔夫冈·科克

IPC: C23C14/34 ,  H01J37/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C23C14/3407 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/342 ,  H01J37/3423 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3491

Abstract: 本发明涉及一种由耐火金属或耐火金属合金构成的管状靶，该管状靶包含具有相对密度RDx的至少一管状区段X及具有相对密度RDy的至少一管状区段Y，其中至少一管状区段X至少在若干区域具有大于管状区段Y的至少若干区域的外径的外径，且密度比率满足关系(RDy-RDx)/RDy≥0.001。本发明进一步涉及一种用于借由烧结及变形至局部不同的程度来生产由耐火金属或耐火金属合金构成的管状靶的方法。相比于根据现有技术的管状靶，该管状靶具有在整个表面上更均一的溅镀烧蚀。该等管状靶具有既不造成发弧又不造成粒子产生的趋势。