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公开(公告)号：CN119177495A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411698056.9
申请日：2024-11-26
Applicant: 湖南顶立科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种碳化硅单晶生长设备，包括炉体、保温层、设置在保温层内的坩埚和电阻加热器，坩埚包括上坩埚和下坩埚，上下坩埚之间设有连通的气相输送管，气相输送管连通设置在上坩埚本体和下坩埚盖之间；电阻加热器包括设置在上坩埚四周的上加热体、设置在下坩埚四周的下加热体和设置在气相输送管四周的中间加热体。通过设置坩埚包括上坩埚和下坩埚，以及在上下坩埚之间设置气相输送管，使得在坩埚内密闭空间中位于籽晶和碳化硅多晶原料之间的区域空间变得更小，不容易会产生温度梯度；同时下坩埚内存在温差的各区域的气相碳化硅在气相输送管内充分混合后形成统一温度的气相碳化硅，从而保证了碳化硅单晶的质量。
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公开(公告)号：CN119177494A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411698048.4
申请日：2024-11-26
Applicant: 湖南顶立科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多料柱碳化硅单晶生长设备，包括设置在炉架上的炉体、保温层、坩埚组和电阻加热器，电阻加热器设置在坩埚组外圆周面的外侧；坩埚组包括圆周均布设置在电阻加热器中心位置的至少两套坩埚套件，以及驱动每套坩埚套件绕自身旋转轴旋转的自旋机构。这样就能使用同一套加热装置就能对多个坩埚内进行加热，同步进行多个碳化硅单晶生长，从而提高了生产效率、降低了制造成本；整体设备更为紧凑，占据空间更小，所需要的工艺气体和升温能源也更少，从而更节省制造成本；通过设置自旋机构驱动每套坩埚套件绕自身旋转轴旋转，使得每套坩埚套件均匀加热，进一步确保了碳化硅单晶生长的质量。本发明还公开了该设备的制备工艺。
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公开(公告)号：CN119177489A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202310746123.9
申请日：2023-06-21
Applicant: 上海天岳半导体材料有限公司
Abstract: 本申请公开了一种三维方向应力分布均匀的SiC衬底及SiC晶体，属于SiC生产加工技术领域。SiC衬底包括第一表层、第二表层和中间层；同一轴线上，在所述第一表层中任意平行于第一主表面或第二主表面的平面处，Smax1代表第一表层中径向应力绝对值最大值，Smax2代表中间层中径向应力绝对值最大值，Smax3代表第二表层中径向应力绝对值最大值，△S1＝Smax2‑Smax1，△S2＝Smax2‑Smax3，‑15MPa≤△S1≤10MPa，‑15MPa≤△S2≤10MPa。上述第一表层、第二表层和中间层中SiC衬底中的径向应力均较低，且各个层之间的应力分布均匀性好，能够提高SiC衬底的质量，扩大该SiC衬底的使用范围，并有利于下游外延片和晶体的生产加工。
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公开(公告)号：CN119162670A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411167254.2
申请日：2024-08-23
Applicant: 华中科技大学
IPC: C30B29/46 , C30B29/12 , C30B9/12 , C30B25/00 , C30B23/00 , C30B25/02 , H01F1/03 , H10N50/10 , H10N50/20 , G16C60/00
Abstract: 本发明涉及多元合金二维范德华Ga基磁性晶体、制备及应用，属于纳米磁性材料技术领域。本发明磁性晶体材料为(Fe1‑xAx)a(Ga1‑yBy)b(Te1‑zCz)c，其中x、y和z均大于0小于等于0.9；a＝2～6，b＝0.1～2，c＝0.1～5；A为Ti、V、Cr、Mn、Cu或Zn，B为Al或In，C为S、Se、Br、I或Sb。本发明提供的多元合金二维范德华Ga基磁性晶体为层状材料，层与层之间通过弱的范德华力连接，可通过机械剥离得到多层至单层的纳米片，易于进一步制备纳米尺度的自旋电子器件。根据掺杂元素种类及比例不同，晶体分别表现为铁磁性或反铁磁性，在自旋电子学中具有广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119118131A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411613798.7
申请日：2024-11-13
Applicant: 苏州清研半导体科技有限公司
IPC: C01B32/977 , C30B23/00 , C30B29/36
Abstract: 本发明涉及碳化硅粉制造技术领域，具体涉及一种高纯碳化硅粉料的合成方法，包括：S1、将石墨纸或碳纤维布粘贴在电阻加热材料和/或沉积腔室内壁上，将电阻加热材料连接在电极上；S2、将沉积腔室内的压力调节至真空状态或者置换为氩气气氛，将温度加热到900‑1300℃；S3、将甲基三氯硅烷、氯化硅、氢气、氩气、烃类气体按比例输送到沉积腔室内进行沉积，沉积10‑150h，得到碳化硅块体；S4、将得到的碳化硅块体依次进行破碎处理、清洗处理，得到碳化硅粉体；S5、将碳化硅粉体进行高温处理，得到碳化硅单晶生长所用的碳化硅粉料。该方法能够提高碳化硅粉料的生产效率，降低生产成本；合成的碳化硅粉料具有可控的粒径，较高的纯度。
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公开(公告)号：CN118637941B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411117493.7
申请日：2024-08-15
Applicant: 苏州清研半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶体制备技术领域，具体涉及一种晶体生长用碳基材料及其制备方法。该晶体生长用碳基材料包括碳基体和复合层；所述碳基体具有孔隙，且所述碳基体的孔隙率为5‑55%；所述复合层填充在所述碳基体的孔隙内，并靠近碳基体的表面侧。该碳基材料作为反应容器用于晶体生长时，不仅可以减少晶体中碳包裹的数量，防止边缘多晶等缺陷的生成，提高晶体的质量；还可以为晶体生长提供部分碳源，以保证晶体的生长速率；解决了现有技术中存在的使用涂覆有TaC涂层的石墨坩埚作为晶体生长的容器，会降低晶体生长速率，从而提高碳化硅晶锭生产的成本的问题。
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公开(公告)号：CN118957743A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411040630.1
申请日：2024-07-31
Applicant: 安徽微芯长江半导体材料有限公司
Abstract: 本发明公开了一种原料位置可调的碳化硅晶体生长方法及设备。本发明依据PVT法碳化硅晶体生长基本原理和过程，在构建满足碳化硅晶体生长要求的热场温度梯度条件和工艺参数基础上，通过在晶体生长过程中调节原料位置，实现原料持续供应，为增加晶体厚度提供原料保障；与传统单纯控制装料坩埚下降延长碳化硅晶体生长空间相比较，通过本方案即能够满足碳化硅生长长度的需要，同样能够保证碳化硅原料的分层稳定、高效进行升华，保证了碳化硅晶体的质量。
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公开(公告)号：CN118957742A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410995735.6
申请日：2024-07-24
Applicant: 武汉金信新材料有限公司
Inventor： 董世昌
IPC: C30B23/00
Abstract: 本发明涉及晶体制备技术领域，尤其涉及一种基于物理气相传输的智能长晶炉，包括：炉体；加热组件，用以按照预设的加热方式进行加热；保温结构，用以形成保温环境；坩埚体；导气组件，用以对所述第二腔体按照预设的导气方式进行导气；参数检测组件；长晶控制单元，用以根据所述参数检测组件的检测结果判断各加热方式是否具备启动条件以调整所述加热组件的加热方式，以及根据所述真空度检测组件检测到的所述第二腔体内部的真空度以及所述温度检测组件检测到的所述第二腔体内部预设测温位置的温度确定所述导气组件的导气方式。本发明能够提高晶锭均匀性，避免由于晶锭均匀性差导致的晶锭开裂问题。
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公开(公告)号：CN118880447A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411355720.X
申请日：2024-09-27
Applicant: 通威微电子有限公司
Inventor： 韩江山
Abstract: 本发明实施例提供了一种可防止预先升华的硅氛沉积的碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅晶体生长技术领域。该碳化硅晶体生长装置包括：坩埚本体、坩埚盖、籽晶托、籽晶、导流罩以及碳化硅衬底片。其中，坩埚盖可拆卸地连接于坩埚本体的顶部，并与坩埚本体共同形成原料腔。籽晶托设置于坩埚盖的内侧壁。籽晶固定连接于籽晶托。导流罩设置于原料腔内，导流罩的顶端罩设于籽晶外，导流罩的底端具有导流口。碳化硅衬底片设置于导流罩的底端，用于封闭导流口，并能够随坩埚本体内温度升高而发生熔化并掉落，从而打开导流口。该碳化硅晶体生长装置能够避免预先升华的硅氛对籽晶上生长的碳化硅质量造成不良影响，保证了籽晶上生长的碳化硅晶体质量。
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