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公开(公告)号：CN118255612B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410686944.2
申请日：2024-05-30
Applicant: 苏州清研半导体科技有限公司
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明提出一种碳化钽涂层的制备方法，涉及晶体生长所用涂层的制备领域。该碳化钽涂层的制备方法包括如下步骤：S1、将碳基材料进行表面加热氧化处理后，通过支架进行悬空放置，并且所述支架接地放置；S2、将碳源粉末、钽源粉末分别放入送粉器中，通过送粉器送入料桶中，混合均匀后形成粉体；S3、使用接有高压电的喷枪，将料桶中的粉体通过压缩气体喷出，使粉体流过高压电场后带有静电，并吸附于碳基材料表面；S4、将碳基材料取下后放入加热炉中加热得到具有碳化钽涂层的碳基材料。本申请提供的制备方法能够制备纯度高，致密性良好，结合性能高的碳化钽涂层。
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公开(公告)号：CN118637941A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411117493.7
申请日：2024-08-15
Applicant: 苏州清研半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶体制备技术领域，具体涉及一种晶体生长用碳基材料及其制备方法。该晶体生长用碳基材料包括碳基体和复合层；所述碳基体具有孔隙，且所述碳基体的孔隙率为5‑55%；所述复合层填充在所述碳基体的孔隙内，并靠近碳基体的表面侧。该碳基材料作为反应容器用于晶体生长时，不仅可以减少晶体中碳包裹的数量，防止边缘多晶等缺陷的生成，提高晶体的质量；还可以为晶体生长提供部分碳源，以保证晶体的生长速率；解决了现有技术中存在的使用涂覆有TaC涂层的石墨坩埚作为晶体生长的容器，会降低晶体生长速率，从而提高碳化硅晶锭生产的成本的问题。
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公开(公告)号：CN118255612A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410686944.2
申请日：2024-05-30
Applicant: 苏州清研半导体科技有限公司
IPC: C04B41/87
Abstract: 本发明提出一种碳化钽涂层的制备方法，涉及晶体生长所用涂层的制备领域。该碳化钽涂层的制备方法包括如下步骤：S1、将碳基材料进行表面加热氧化处理后，通过支架进行悬空放置，并且所述支架接地放置；S2、将碳源粉末、钽源粉末分别放入送粉器中，通过送粉器送入料桶中，混合均匀后形成粉体；S3、使用接有高压电的喷枪，将料桶中的粉体通过压缩气体喷出，使粉体流过高压电场后带有静电，并吸附于碳基材料表面；S4、将碳基材料取下后放入加热炉中加热得到具有碳化钽涂层的碳基材料。本申请提供的制备方法能够制备纯度高，致密性良好，结合性能高的碳化钽涂层。
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公开(公告)号：CN117587361A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311600772.4
申请日：2023-11-28
Applicant: 苏州清研半导体科技有限公司
Abstract: 本申请涉及碳化钽涂层的制备方法，包括：S1、将碳基基材放入磁控溅射设备的腔室内的基台上；S2、将腔室抽取真空，并充入气氛；S3、驱动基台旋转，启动钽靶，在碳基基材上沉积第一涂层至第一沉积时间；S4、维持钽靶功率，引入碳源并逐渐增加碳原子含量，在第一涂层上沉积第二涂层至第二沉积时间；S5、维持钽靶功率和碳原子含量，在第二涂层上沉积第三涂层至第三沉积时间，得到具有涂层的碳基基材；S6、将具有涂层的碳基基材取出后放入高温炉进行保温处理使得碳基基材、第一涂层、第二涂层和第三涂层中的碳和钽反应，得到致密且应力小的碳化钽涂层，同时碳化钽涂层与碳基基材的结合强度大，该制备方法成本低，能够在较短时间内完成。
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公开(公告)号：CN119118131A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411613798.7
申请日：2024-11-13
Applicant: 苏州清研半导体科技有限公司
IPC: C01B32/977 , C30B23/00 , C30B29/36
Abstract: 本发明涉及碳化硅粉制造技术领域，具体涉及一种高纯碳化硅粉料的合成方法，包括：S1、将石墨纸或碳纤维布粘贴在电阻加热材料和/或沉积腔室内壁上，将电阻加热材料连接在电极上；S2、将沉积腔室内的压力调节至真空状态或者置换为氩气气氛，将温度加热到900‑1300℃；S3、将甲基三氯硅烷、氯化硅、氢气、氩气、烃类气体按比例输送到沉积腔室内进行沉积，沉积10‑150h，得到碳化硅块体；S4、将得到的碳化硅块体依次进行破碎处理、清洗处理，得到碳化硅粉体；S5、将碳化硅粉体进行高温处理，得到碳化硅单晶生长所用的碳化硅粉料。该方法能够提高碳化硅粉料的生产效率，降低生产成本；合成的碳化硅粉料具有可控的粒径，较高的纯度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118637941B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411117493.7
申请日：2024-08-15
Applicant: 苏州清研半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及碳化硅晶体制备技术领域，具体涉及一种晶体生长用碳基材料及其制备方法。该晶体生长用碳基材料包括碳基体和复合层；所述碳基体具有孔隙，且所述碳基体的孔隙率为5‑55%；所述复合层填充在所述碳基体的孔隙内，并靠近碳基体的表面侧。该碳基材料作为反应容器用于晶体生长时，不仅可以减少晶体中碳包裹的数量，防止边缘多晶等缺陷的生成，提高晶体的质量；还可以为晶体生长提供部分碳源，以保证晶体的生长速率；解决了现有技术中存在的使用涂覆有TaC涂层的石墨坩埚作为晶体生长的容器，会降低晶体生长速率，从而提高碳化硅晶锭生产的成本的问题。
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公开(公告)号：CN117587361B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311600772.4
申请日：2023-11-28
Applicant: 苏州清研半导体科技有限公司
Abstract: 本申请涉及碳化钽涂层的制备方法，包括：S1、将碳基基材放入磁控溅射设备的腔室内的基台上；S2、将腔室抽取真空，并充入气氛；S3、驱动基台旋转，启动钽靶，在碳基基材上沉积第一涂层至第一沉积时间；S4、维持钽靶功率，引入碳源并逐渐增加碳原子含量，在第一涂层上沉积第二涂层至第二沉积时间；S5、维持钽靶功率和碳原子含量，在第二涂层上沉积第三涂层至第三沉积时间，得到具有涂层的碳基基材；S6、将具有涂层的碳基基材取出后放入高温炉进行保温处理使得碳基基材、第一涂层、第二涂层和第三涂层中的碳和钽反应，得到致密且应力小的碳化钽涂层，同时碳化钽涂层与碳基基材的结合强度大，该制备方法成本低，能够在较短时间内完成。
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公开(公告)号：CN117185841A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311236841.8
申请日：2023-09-25
Applicant: 苏州清研半导体科技有限公司
IPC: C04B41/89
Abstract: 本发明属于半导体晶体生长技术领域，具体涉及一种碳化钽涂层的制备方法。在本发明中，钽的添加增加了涂层与基材的结合性能，氧化钽的添加增强了碳化钽烧结时的扩散性，有利于实现烧结的致密化并降低烧结温度。同时将CVD工艺与烧结法相结合，有利于获得高纯度、低表面粗糙度的碳化钽涂层。此外由于碳化钽的扩散性较差，因此在烧结的过程中，不可避免的存在少量未能被碳化钽覆盖的孔隙，因此通过CVD工艺使得烧结碳化钽过程中残留的孔洞被掩盖，有效提高碳基材的耐腐蚀性。
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公开(公告)号：CN117534507A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311600775.8
申请日：2023-11-28
Applicant: 苏州清研半导体科技有限公司
IPC: C04B41/87
Abstract: 本申请涉及一种含钽化合物涂层的制备方法，包括：S1：将氧化钽颗粒放于高熔点材料制备的坩埚，并将坩埚放入加热炉；S2：将加热炉抽取真空，并充入保护性气氛；S3：加热将氧化钽熔化得到氧化钽熔体；S4：将石墨基材浸入氧化钽熔体中浸泡；S5：将石墨基材从氧化钽熔体中移出，并进行保温处理使得氧化钽与石墨基材反应，得到具有含钽化合物涂层的石墨基材；S6：更换石墨基材样件，并向坩埚补充氧化钽颗粒，重复进行S1‑S5，进行石墨基材样件的批量化生产，在石墨基材上制备得到碳化钽涂层，形成的碳化钽渗入石墨基材内并与石墨基材紧密结合，碳化钽涂层不易脱落，该工艺操作简单，时间短，成本低且环保。
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公开(公告)号：CN117488271A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311477319.9
申请日：2023-11-08
Applicant: 苏州清研半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种金属碳化物涂层的制备方法及制备系统，属于金属碳化物涂层制备技术领域。制备方法包括：在沉积室内提供一碳基体；将沉积室内的气压和温度分别控制在预设气压范围和预设温度范围内，预设温度范围的最小值大于温度阈值；向沉积室内通入金属卤化物、氩气、烃类气体和氢气并沉积第一预设时间，保证烃类气体中的碳原子数量和金属卤化物中的沉积源元素的原子数量比例小于预设比例值，以使得沉积过程中至少部分的碳源来自于碳基体；增加烃类气体的比例至烃类气体中的碳原子数量和金属卤化物中的沉积源元素的原子数量比例为预设比例值并沉积第二预设时间。本发明的制备方法能够制备出结合性能更好的碳化物涂层。
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