公开(公告)号：CN103165505B

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201210530236.7

申请日：2012-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴辰遇 ,  宋昊建 ,  李锡贤

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/561 ,  H01L23/02 ,  H01L23/04 ,  H01L23/053 ,  H01L23/055 ,  H01L23/057 ,  H01L23/08 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/34 ,  H01L23/4926 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82031 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了制造扇出晶片级封装的方法以及由该方法形成的封装。该扇出晶片级封装包括：至少两个半导体芯片；绝缘层，覆盖第一半导体芯片的部分；模制层，覆盖第二半导体芯片的部分；再分布线图案，在绝缘层中；和/或外部端子，在绝缘层上。第一半导体芯片可以相对于第二半导体芯片堆叠。再分布线图案可以电连接到该至少两个半导体芯片。外部端子可以电连接到再分布线图案。扇出晶片级封装可以包括：至少三个半导体芯片；绝缘层，覆盖第一半导体芯片的部分；模制层，覆盖第二半导体芯片的部分；再分布线图案，在绝缘层中；和/或在绝缘层上的外部端子。第一半导体芯片可以相对于第二半导体芯片堆叠。