公开(公告)号：CN105793982B

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201480066438.8

申请日：2014-11-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S.奥吉奥尼 ,  T.布伦施维勒 ,  G.施洛蒂格

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/367

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/4871 ,  H01L23/36 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/49805 ,  H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/10165 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81009 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 提出了一种涉及倒装芯片类型的电子装置的技术方案。特别是，一种倒装芯片类型的电子装置(200,300；400；700；800)，包括：具有载体表面(135；835)的至少一个芯片载体(110；805)，该载体包括在该载体表面上的导电材料的一个或多个接触元件(140s,140p；740s,740p；840s,840p)，具有芯片表面(120；720)的至少一个集成电路芯片(105；705)，该芯片包括在该芯片表面上的导电材料的一个或多个端子(125s,125p；725s,725p)，每个芯片端子面对对应的接触元件，将每个端子焊接到该对应的接触元件的焊料材料(150；750)，以及围绕该接触元件的限制装置(210s,210p,310；410sl,410sd,410p；790s,790p；890s,890p)，用于在将该端子焊接到该接触元件期间限制该焊料材料，其中，该载体包括在该载体表面上的导热材料的一个或多个热消散元件(205s,205p；785s,785p；885s,885p)，一个或多个热消散元件从该端子移位，该载体表面面对该芯片表面，该消散元件不含任何焊接掩模。

公开(公告)号：CN107154387B

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201610962355.8

申请日：2016-10-28

Applicant: 力成科技股份有限公司

Inventor： 方立志 ,  张家彰 ,  徐宏欣 ,  张文雄 ,  鍾基伟 ,  连加雯

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/56 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本发明公开了一种具硅穿孔连续型态的晶圆级晶片尺寸封装构造及制造方法。该封装构造，主要包含装置晶片、贴合于装置晶片的载体晶片、保护盖片以及硅穿孔结构。一金属互连平行垫组合嵌埋于装置晶片中，偏移垫设置于装置晶片并连接至金属互连平行垫组合。间隔导体凸块接合于偏移垫上。间隔黏合层形成于装置晶片上并包覆间隔导体凸块。保护盖片压贴于间隔黏合层上。硅穿孔结构包含一贯穿孔以及一孔金属层，贯穿孔微偏心地对准偏移垫连续贯穿载体晶片与装置晶片，孔金属层形成于贯穿孔内并连接偏移垫，贯穿孔非中心对准于间隔导体凸块。保护层形成于载体晶片并覆盖贯穿孔。因此，借由偏移垫上间隔导体凸块，以确保硅穿孔结构的连续型态。

公开(公告)号：CN106797082B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201580055635.4

申请日：2015-10-28

Applicant: 迪睿合株式会社

Inventor： 塚尾怜司

IPC: H01R11/01 ,  H01B5/16

CPC classification number: H01L24/32 ,  C08K3/08 ,  C08K9/02 ,  C08K2201/001 ,  C09J7/10 ,  C09J9/02 ,  C09J2201/602 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  H01B1/22 ,  H01L24/13 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/27001 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/2711 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29357 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/294 ,  H01L2224/29444 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2924/14 ,  H01R4/04 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665

Abstract: 本发明提供一种各向异性导电膜，即使连接微间距的连接端子的情况下，也能够抑制短路的发生，并且使导电粒子被各连接端子充分捕捉，提高导通可靠性。该各向异性导电膜具有导电粒子(2)排列成一列的导电粒子单元(3)、或导电粒子(2)排列成一列的导电粒子单元(3)和单独的导电粒子(2a)在绝缘粘接剂层(4)中被配置成格子状的结构。选自相邻的导电粒子单元(3)和单独的导电粒子(2a)中的导电粒子彼此的最接近距离(La)为导电粒子(2，2a)的粒径的0.5倍以上。

公开(公告)号：CN106471612B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201580033449.0

申请日：2015-06-05

Applicant: 索尼公司

Inventor： 村井诚 ,  高冈裕二 ,  山田宏行 ,  佐藤和树 ,  今井诚

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L23/49838 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13564 ,  H01L2224/13609 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/8112 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括以下：半导体芯片和封装基板，在封装基板上设置有所述半导体芯片。半导体芯片包括芯片主体以及设置在所述芯片主体的元件形成表面上的多个包含焊料的电极。封装基板包括以下：基板主体；以及设置在所述基板主体的表面上的多个配线和阻焊层。阻焊层作为连续层设置在基板主体的表面之上和配线上，并且阻焊层在所述配线中的每一个之上具有缺口。所述缺口中的每一个具有在该缺口内的配线的长度方向上伸长的平面形状，并且缺口的长度根据封装基板的热膨胀系数调节。

公开(公告)号：CN106409813B

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201510611270.0

申请日：2015-09-23

Applicant: 美光科技公司

Inventor： 管式凡 ,  罗翊仁

IPC: H01L23/535 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L23/5386 ,  H01L21/52 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/522 ,  H01L23/525 ,  H01L23/562 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明公开了一种多元件封装体及其制造方法，该多元件封装体包含基板、至少两个元件区域、第一重布局层、外部晶片、多个第一连接件与导电接触。此两个元件区域是自基板形成，且基板具有相对的第一表面与第二表面。第一重布局层设置于第一表面上并电性连接至此两个元件区域，而外部晶片设置于第一重布局层上。此些第一连接件设置于第一重布局层与外部晶片之间，以连接第一重布局层与外部晶片。导电接触则自基板的第二表面朝第一表面延伸以电性连接元件区域。借此，本发明的多元件封装体及其制造方法，多元件封装体中的基板与元件区域之间不具有任何界面使元件区域能直接集成，降低元件区域断线或损坏的风险。

公开(公告)号：CN107097014B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201610835984.4

申请日：2015-01-28

Applicant: 千住金属工业株式会社

Inventor： 川崎浩由 ,  六本木贵弘 ,  相马大辅 ,  佐藤勇

IPC: B23K35/26 ,  B23K35/30 ,  B22F9/08 ,  B22F1/02 ,  B23K35/02 ,  C22C9/00 ,  C22C13/00 ,  C25D3/60 ,  C25D5/10 ,  C25D5/12 ,  C25D7/00 ,  H01B1/02 ,  H01L23/00 ,  H05K3/34

CPC classification number: C25D3/60 ,  B22F1/025 ,  B22F9/08 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/30 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B23K35/30 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/40 ,  C22C9/00 ,  C22C13/00 ,  C25D3/30 ,  C25D5/12 ,  C25D5/20 ,  F16B5/08 ,  H01B1/02 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0109 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15321 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/0218 ,  H05K2201/10734 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及Cu芯球的制造方法。本发明的Cu芯球的制造方法具备：提供作为核的Cu球的阶段，该Cu球是纯度为99.9％以上且99.995％以下、U为5ppb以下的含量且Th为5ppb以下的含量、Pb和/或Bi的总含量为1ppm以上、球形度为0.95以上、α射线量为0.0200cph/cm2以下的Cu球；提供覆盖所述Cu球的表面的焊料镀覆膜的阶段，所述焊料镀覆膜为Sn焊料镀覆膜或由以Sn作为主要成分的无铅焊料合金形成的焊料镀覆膜，对Cu芯球进行平滑化处理的阶段，该阶段中，通过在将Cu芯球浸渍于镀液的状态下照射超声波来对Cu芯球进行平滑化处理，使所述Cu芯球的算术平均表面粗糙度为0.3μm以下。

公开(公告)号：CN105283948B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201480002131.1

申请日：2014-09-10

Applicant: 迪睿合株式会社

Inventor： 小山太一

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/29 ,  H01L25/065 ,  H01L21/78 ,  H01L21/56 ,  H01L21/683 ,  H01L21/60 ,  C09J7/40 ,  C09J11/06 ,  C09J133/16 ,  C09J163/02

CPC classification number: C09J163/00 ,  C08G59/4215 ,  C08L63/00 ,  C09D133/066 ,  C09J133/20 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/293 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29191 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29291 ,  H01L2224/29387 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/9212 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/0635 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/05341 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/11 ,  H01L21/78 ,  C08L33/16

Abstract: 提供一种能够实现无空隙安装及良好的焊料接合性的底部填充材料以及使用该底部填充材料的半导体装置的制造方法。采用一种底部填充材料，其含有环氧树脂、酸酐、丙烯树脂和有机过氧化物，在60℃以上100℃以下的任意温度，显示非宾厄姆流动性，动态粘弹性测定中的储存弹性率G’在10E＋02rad/s以下的角频率区域具有拐点，该拐点以下的角频率中的储存弹性率G’为10E＋05Pa以上10E＋06Pa以下。由此，能够实现无空隙安装及良好的焊料接合性。

公开(公告)号：CN104752401B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201410858222.7

申请日：2014-11-26

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·V·马哈詹 ,  N·德什潘德 ,  J·S·居泽科 ,  A·埃尔谢尔比尼

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768 ,  H05K1/18

CPC classification number: H01L23/4985 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1329 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/16111 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75253 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/8121 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/8185 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H05K1/113 ,  H05K1/116 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3494 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

Abstract: 本公开内容总体上涉及包括衬底和电子部件的系统和方法。所述衬底包括包含孔的电路板、布线层和至少部分地设置在所述孔内的第一互连件部分。所述电子部件包括耦合到所述第一互连件部分的第二互连件部分，以在所述电子部件与所述布线层之间形成互连件。

公开(公告)号：CN106964917B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201610934617.X

申请日：2012-06-30

Applicant: 千住金属工业株式会社

Inventor： 山中芳恵 ,  立花贤 ,  吉川俊策 ,  野村光

IPC: B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  H05K3/34

CPC classification number: H01L24/13 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0261 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  C22C13/00 ,  C22C13/02 ,  H01B1/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1301 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/2076 ,  H05K3/3457 ,  H05K2203/041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种模块基板，其具备接合有焊料球的电极，所述焊料球具有如下组成：Ag1.6～2.9质量％、Cu0.7～0.8质量％、Ni0.05～0.08质量％、余量Sn，所述模块基板通过使具有该焊料球的电极侧朝下并使所述焊料球与设置于印刷基板的焊膏一起熔融从而搭载于该印刷基板。

公开(公告)号：CN104241219B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201410424606.8

申请日：2014-08-26

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 李志成

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/13 ,  H01L23/36 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/552 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种元件嵌入式封装结构和其制造方法。所述元件嵌入式封装结构包含：衬底，具有第一表面和相对于所述第一表面的第二表面，和从所述第一表面延伸到所述第二表面的通孔；第一电性互连件，从所述第一表面延伸到所述第二表面；第一图案化导电层设置于所述第一表面上；第二图案化导电层设置于所述第二表面上，透过所述第一电性互连件与所述第一图案化导电层电性连接；至少一个裸片设置于所述通孔中，所述裸片具有主动面和相对于所述主动面的背面，所述裸片的背面是露出于所述衬底的第二表面；第一介电层，填入所述裸片与所述通孔的侧壁之间的空隙并且覆盖所述裸片的所述主动面和所述衬底的第一表面；第三图案化导电层设置于所述第一介电层的表面上，透过第二电性互连件与所述裸片电性连接；以及金属层，直接设置于所述裸片的背面上。