公开(公告)号：CN1501341A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310113867.X

申请日：2003-10-07

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴商一 ,  具在本

IPC: G09G3/30

CPC classification number: H01L27/1222 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开一种有机发光二极管，通过控制流过每个单元像素有机电致发光器件的电流量能获得适当的亮度和长的寿命期限，包括：发光器件；驱动发光器件的第一和第二晶体管，其中，第一和第二晶体管具有不同的电阻值。第一晶体管是驱动发光器件的驱动晶体管，第二晶体管是使驱动晶体管进行导通和截止的开关晶体管，驱动晶体管的电阻值比开关晶体管的电阻值高。

公开(公告)号：CN1501336A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310103663.8

申请日：2003-11-11

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 具在本 ,  朴商一

IPC: G09F9/33 ,  G09G3/32 ,  H01L21/00 ,  H01L51/40 ,  H05B33/00

CPC classification number: H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/04

Abstract: 本发明公开了一种具有多个象素的平板显示器。每个单元象素至少有一个第一晶体管和一个第二晶体管，并且第一晶体管的半导体层具有不同于第二晶体管半导体层的迁移率。本发明还公开了一种制造包括至少一个第一晶体管和一个第二晶体管的平板显示器的方法，该方法包括以下步骤：在绝缘基底上形成一非晶硅膜；将所述非晶硅膜晶化为多晶硅膜，该多晶硅膜至少分为具有第一迁移率的第一区和具有第二迁移率的第二区。该方法还包括通过对所述多晶硅膜构图而由具有第一迁移率的区形成所述第一晶体管的半导体层、由具有第二迁移率的区形成所述第二晶体管的半导体层的步骤，其中第一迁移率不同于第二迁移率。

公开(公告)号：CN1452252A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN03108621.7

申请日：2003-04-02

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴商一 ,  申东缵 ,  金慧东 ,  金昌树

IPC: H01L31/12 ,  H01L31/18 ,  H05B33/00 ,  G09F9/00 ,  H01J9/00

CPC classification number: H01L51/5284 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3248 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明公开了一种具有黑矩阵的平板显示器及其制造方法，该平板显示器为一种有机电致发光显示器，其中，在与像素电极相同的表面上形成了黑矩阵，该黑矩阵具有透明材料和金属材料的浓度梯度。该有机电致发光显示器的黑矩阵和像素电极仅用一道掩模操作形成。黑矩阵具有以下结构的浓度梯度，该结构即：连续梯度结构，其中随着黑矩阵厚度增加，透明材料成分连续减少，而金属材料成分连续增多；阶跃梯度结构，其中随着黑矩阵厚度增加，透明材料成分逐步减少，而金属材料成分逐步增多；或者多重梯度结构，其中连续梯度结构和/或阶跃梯度结构是重复的。

公开(公告)号：CN1420536A

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN02152723.7

申请日：2002-11-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴商一 ,  俞庚辰 ,  崔圭焕

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L27/12 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757

Abstract: 本发明公开了一种制造薄膜晶体管的方法，包括：在一个衬底上形成一个半导体层；在该衬底的整个表面上形成一个栅极绝缘层以覆盖半导体层；在栅极绝缘层上沉积一个导电层；在半导体层上形成一个第一光敏图案；根据光敏图案构图导电层以形成栅电极；以及利用光敏图案作为掩膜把杂质离子掺入到半导体层中，形成源极区和漏极区。