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公开(公告)号：CN1855523A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610074003.5
申请日：2002-12-26
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5284 , H01L27/1104 , H01L27/3244 , H01L27/326 , H01L51/5206 , H01L51/5209 , H01L51/5234 , H01L2251/5315 , H01L2251/5346
Abstract: 一种平板显示装置，包括：绝缘基体；多根信号线，这些信号线排布在绝缘基体上；多个像素区域，这些像素区域由所述的多根信号线所限定；多个发光区域，这些发光区域包括相应的电致发光层，并且成形在各自的像素区域上；多个薄膜晶体管，这些薄膜晶体管连接到相应的信号线上，以便分别排布在每个像素区域上；以及多个防反射层，这些防反射层成形在各自的发光区域的下方，其中，每个防反射层在相邻的像素区域之间被电隔离，并且被连接到相应的一个薄膜晶体管上。
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公开(公告)号：CN1452252A
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN03108621.7
申请日：2003-04-02
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5284 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种具有黑矩阵的平板显示器及其制造方法，该平板显示器为一种有机电致发光显示器，其中，在与像素电极相同的表面上形成了黑矩阵，该黑矩阵具有透明材料和金属材料的浓度梯度。该有机电致发光显示器的黑矩阵和像素电极仅用一道掩模操作形成。黑矩阵具有以下结构的浓度梯度，该结构即：连续梯度结构，其中随着黑矩阵厚度增加，透明材料成分连续减少，而金属材料成分连续增多；阶跃梯度结构，其中随着黑矩阵厚度增加，透明材料成分逐步减少，而金属材料成分逐步增多；或者多重梯度结构，其中连续梯度结构和/或阶跃梯度结构是重复的。
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公开(公告)号：CN101232043A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200810003759.X
申请日：2002-12-25
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/3265 , H01L51/5284 , H01L2251/5346
Abstract: 一种带有黑矩阵的平板显示装置。这种平板显示装置包括绝缘基体，在该绝缘基体的上部带有像素电极；不透明的导电薄膜，该导电薄膜成形在绝缘基体的前表面上，除了像素电极所在的位置之外；绝缘薄膜，该绝缘薄膜带有接触孔，将不透明导电薄膜的一部分暴露出来；以及薄膜晶体管，该薄膜晶体管带有栅电极和用于源/漏电极的导电图案，所述源/漏电极通过所述接触孔连接到不透明的导电薄膜上。
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公开(公告)号：CN1329997C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN03108621.7
申请日：2003-04-02
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5284 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种具有黑矩阵的平板显示器及其制造方法，该平板显示器为一种有机电致发光显示器，其中，在与像素电极相同的表面上形成了黑矩阵，该黑矩阵具有透明材料和金属材料的浓度梯度。该有机电致发光显示器的黑矩阵和像素电极仅用一道掩模操作形成。黑矩阵具有以下结构的浓度梯度，该结构即：连续梯度结构，其中随着黑矩阵厚度增加，透明材料成分连续减少，而金属材料成分连续增多；阶跃梯度结构，其中随着黑矩阵厚度增加，透明材料成分逐步减少，而金属材料成分逐步增多；或者多重梯度结构，其中连续梯度结构和/或阶跃梯度结构是重复的。
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公开(公告)号：CN1314127C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN02151860.2
申请日：2002-12-13
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3276
Abstract: 一种平板显示器件，其通过将公共电源线形成面板将相等的电源施加给所有像素，从而能够防止串联短路。该平板显示器件包括：形成在绝缘衬底上并通过接触孔与源/漏电极相连接的电源层；以及具有接触孔的缓冲层，用于使电源层和薄膜晶体管绝缘，其中，薄膜晶体管形成在缓冲层上并包括源/漏电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1429056A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02158480.X
申请日：2002-12-25
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3276 , H01L27/3265 , H01L51/5284 , H01L2251/5346
Abstract: 一种带有黑矩阵的平板显示装置及其制造方法。这种平板显示装置包括绝缘基体，在该绝缘基体的上部带有像素电极；不透明的导电薄膜，该导电薄膜成形在绝缘基体的前表面上，除了像素电极所在的位置之外；绝缘薄膜，该绝缘薄膜带有接触孔，将不透明导电薄膜的一部分暴露出来；以及薄膜晶体管，该薄膜晶体管带有门电极和用于源/漏电极的导电图案，所述源/漏电极通过所述接触孔连接到不透明的导电薄膜上。
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公开(公告)号：CN100392888C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN02120499.3
申请日：2002-05-24
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5284 , H01L27/3272 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/5253 , H01L2251/5315 , H01L2251/5346
Abstract: 一种有机电致发光显示(EL)器件，它包括：透明衬底；一个用透明导电材料按预定图形在透明衬底上形成的第一电极单元；叠加在第一电极单元上的包括一些具有预定图案的有机层的有机EL单元；按预定图案在有机EL单元上形成的对应于第一电极单元的第二电极单元；包封第一电极单元、有机EL单元和第二电极单元以保护它们的包封层；该包封层包括第一组分和从铁(Fe)，钴(Co)，钒(V)，钛(Ti)，铝(Al)，银(Ag)，和铂(Pt)等材料中选择的至少一种金属的第二组分。
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公开(公告)号：CN1278588C
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN02158450.8
申请日：2002-12-26
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5284 , H01L27/1104 , H01L27/3244 , H01L27/326 , H01L51/5206 , H01L51/5209 , H01L51/5234 , H01L2251/5315 , H01L2251/5346
Abstract: 一种平板显示装置，包括导电层，该导电层具有透明的导电材料和金属材料。该导电层具有渐变的浓度梯度，并且同时用作像素电极和黑矩阵。该平板显示装置的制造方法包括：在基体上形成带有源/漏电极的薄膜晶体管；在具有薄膜晶体管的基体上形成绝缘层；形成通孔，将所述源/漏电极中的一个暴露出来；以及形成防反射层，将该防反射层连接到所述源/漏电极中暴露出来的那个上。所述防反射层用作所述平板显示装置的像素电极和黑矩阵。其中，所述防反射层包括透明材料第一组分和金属材料第二组分，该第一组分和第二组分的排布使该防反射层具有根据其厚度渐变的浓度梯度。
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公开(公告)号：CN1430455A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN02158450.8
申请日：2002-12-26
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5284 , H01L27/1104 , H01L27/3244 , H01L27/326 , H01L51/5206 , H01L51/5209 , H01L51/5234 , H01L2251/5315 , H01L2251/5346
Abstract: 一种平板显示装置，包括导电层，该导电层具有透明的导电材料和金属材料。该导电层具有渐变的浓度梯度，并且同时用作像素电极和黑矩阵。该平板显示装置的制造方法包括：在基体上形成带有源/漏电极的薄膜晶体管；在具有薄膜晶体管的基体上形成绝缘层；形成通孔，将所述源/漏电极中的一个暴露出来；以及形成防反射层，将该防反射层连接到所述源/漏电极中暴露出来的那个上。所述防反射层用作所述平板显示装置的像素电极和黑矩阵。
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公开(公告)号：CN1430287A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：CN02151860.2
申请日：2002-12-13
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3276
Abstract: 一种平板显示器件，其通过将公共电源线形成面板将相等的电源施加给所有像素，从而能够防止串联短路。该平板显示器件包括：形成在绝缘衬底上并通过接触孔与源/漏电极相连接的电源层；以及具有接触孔的绝缘层，用于使电源层和薄膜晶体管绝缘，其中，薄膜晶体管形成在绝缘层上并包括源/漏电极。
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