公开(公告)号：CN1725512A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510082116.5

申请日：2005-06-29

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李基龙

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1277

Abstract: 一种半导体器件中的薄膜晶体管的半导体层和电容器的第一电极是由非晶硅形成的，而且半导体层的源/漏极区的整个部分或一部分和电容器的第一电极是通过金属诱导晶化方法晶化的，半导体层的沟道区是通过金属诱导横向晶化方法晶化的。

公开(公告)号：CN1540602A

公开(公告)日：2004-10-27

申请号：CN200410003283.1

申请日：2004-02-03

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 具在本 ,  朴志容 ,  朴惠香 ,  李基龙 ,  李乙浩

IPC: G09F9/30 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/02675 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1233 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/3297 ,  H01L29/04 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供了一种平板显示器。此平板显示器包括发光器件以及二个或更多个具有带沟道区的半导体有源层的薄膜晶体管(TFT)，其中，各个TFT的沟道区的厚度彼此不同。于是，能够保持开关TFT的更高的开关性质，能够满足驱动TFT的更为均匀的亮度，并能够满足白色平衡而无须改变TFT有源层的尺寸。

公开(公告)号：CN1495913A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03132786.9

申请日：2003-07-08

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李基龙 ,  朴志容 ,  苏宇永

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78672

Abstract: 本发明涉及一种用于薄膜晶体管(TFT)的多晶硅薄膜和采用它制造的器件，其中，通过提供一种TFT的多晶硅薄膜、和TFT采用该多晶硅薄膜的器件，来改善TFT和器件的均匀性，该多晶硅薄膜的特征在于，对于互相垂直设置的晶体管TR1和TR2而言，最大数量的各个主要晶粒边界能够包含在有源沟道区中的概率P1和P2分别以下列表达式表示，概率P1和P2不等于0.5。表达式1：P1＝(D1－(Nmax1－1)×Gs1)/Gs1；表达式2：P2＝(D2－(Nmax2－1)×Gs2)/Gs2；其中D1＝Llcosθ+Wlsinθ，D2＝L2cosθ+W2sinθ，L1和L2是晶体管TR1和TR2的有源沟道长度，W1和W2是晶体管TR1和TR2的有源沟道宽度，Nmax1和Nmax2是包含在每个晶体管TR1和TR2的有源沟道区中的“主要”晶粒边界的最大数量，Gs1和Gs2是对于每个晶体管TR1和TR2的特性具有重大影响的晶粒尺寸，θ是“主要”晶粒边界对于垂直于各个晶体管TR1和TR2的有源沟道方向的方向倾斜的角度。

公开(公告)号：CN101325220A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810125129.X

申请日：2008-06-13

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277

Abstract: 本发明提供薄膜晶体管(TFT)、TFT的制造方法和包括TFT的显示装置。TFT包括具有沟道区域的半导体层，并且源极和漏极区域采用晶化诱导金属晶化。晶化诱导金属通过不同于晶化诱导金属的金属或者不同于晶化诱导金属的金属的金属硅化物吸除。半导体层的沟道区域的长度和宽度与半导体层的泄漏电流满足下面的等式：Ioff/W＝3.4×10－15L2+2.4×10－12L+c，其中Ioff(A)是该半导体层的泄漏电流，W(mm)是该沟道区域的宽度，L(μm)是该沟道区域的长度，而″c″是常数，范围为2.5×10－13至6.8×10－13。

公开(公告)号：CN101211979A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710301181.1

申请日：2007-12-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  丁世桓 ,  李基龙 ,  马克西姆·莉萨契克

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/04 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明涉及一种晶体管及其制造方法以及具有该晶体管的平板显示器。所述晶体管包括：基底；有源区，包括源区、沟道区和漏区，所述源区、沟道区和漏区利用SGS结晶方法结晶，并且形成在基底上，使得第一退火部分和第二退火部分的晶粒尺寸彼此不同；栅极绝缘层，形成在有源区上；栅电极，形成在栅极绝缘层上。

公开(公告)号：CN100388508C

公开(公告)日：2008-05-14

申请号：CN200410099754.3

申请日：2004-11-22

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78618

Abstract: 本发明涉及一种通过金属诱导横向晶化工艺形成的薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管包括具有源极/漏极区域和沟道区域的有源层、栅极电极、具有暴露每个源极/漏极区域的一部分的接触孔的绝缘层、和暴露有源层的一部分的晶化诱导图案。源极/漏极电极通过接触孔连接到源极/漏极区域，而晶化诱导图案并不将源极/漏极区域连接到源极/漏极电极。

公开(公告)号：CN101110365A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710104043.4

申请日：2007-05-18

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277

Abstract: 一种制造p型薄膜晶体管(TFT)的方法，包括：在衬底上执行第一退火处理以通过覆盖层把金属催化剂扩散到无定形硅层的表面内，以及由于所扩散的金属催化剂而使无定形硅层结晶成多晶硅层；除去覆盖层；形成多晶硅层的图案以形成半导体层；在衬底上形成栅极绝缘层和栅极；把p型杂质离子植入半导体层；以及把吸气材料植入半导体层和执行第二退火处理以除去金属催化剂。这里，按6×1013/cm2到5×1015/cm2的剂量植入p型杂质离子，而按1×1011/cm2到3×1015/cm2的剂量植入吸气材料。

公开(公告)号：CN1313875C

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200410089773.8

申请日：2004-11-04

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 金勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭

IPC: G02F1/136 ,  G09F9/30 ,  G09G3/00 ,  G09G3/36 ,  H01L21/00

CPC classification number: G02F1/13624 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/3244

Abstract: 公开了一种平板显示器及其制造方法。在平板显示器中，衬底包括具有多个单位象素的象素区域，和位于象素区域周围的外围电路区域。外围电路区域还包括用于驱动多个单位象素的驱动电路。至少一个电路薄膜晶体管位于外围电路区域，并且包括由顺序横向凝固方法结晶而成的第一半导体层。至少一个象素薄膜晶体管位于象素区域，并且包括具有由金属诱导结晶方法或者金属诱导横向结晶方法之一结晶而成的沟道区的第二半导体层。

公开(公告)号：CN1758447A

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：CN200410095452.9

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李基龙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其生产方法，其中在衬底上形成非晶硅，在非晶硅层上形成包含有根据其厚度而具有不同浓度的金属催化剂的覆盖层，构图该覆盖层以形成覆盖层图形，并且结晶该非晶硅层，以控制在非晶硅层和覆盖层图形之间的界面形成的籽晶的密度和位置，从而提高颗粒的尺寸和均匀性，并且在其中通过一个结晶工艺，在要求的位置选择性地形成要求的尺寸和均匀性的多晶硅，形成具有卓越的和所要求的特性的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN1741256A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200410103351.1

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李相雄 ,  吴栽荣 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  刘喆浩

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供了一种制造薄膜晶体管的方法，其步骤包括：制备绝缘基片；在该基片上形成非晶硅层；在该非晶硅层上形成具有1.78至1.90的折射率的盖层；在该盖层上形成金属催化剂层；通过对该基片的热处理而使非晶硅层晶化成多晶硅层。由于通过控制氮化物膜盖层的折射率到1.78至1.90从而获得大晶粒尺寸的半导体层来使电子迁移率增加并且残余金属催化剂的数量减少，从而降低漏电流，所以这种晶体管具有优良的特性，并能够通过利用盖层的折射率控制多晶硅层的晶粒尺寸来获得具有所希望的晶粒尺寸和均匀性的多晶硅层从而控制其特性。