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公开(公告)号：CN101442030B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN200810177769.5
申请日：2008-11-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L23/00
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B25/02 , C30B29/403
Abstract: 本发明提供了一种III族氮化物半导体晶体基板和半导体器件，该III族氮化物半导体晶体基板具有至少25mm且不大于160mm的直径。该III族氮化物半导体晶体基板的电阻率为至少1×10-4Ω·cm且不大于0.1Ω·cm。该III族氮化物半导体晶体沿直径方向的电阻率分布为至少-30％且不大于30％。该III族氮化物半导体晶体沿厚度方向的电阻率分布为至少-16％且不大于16％。
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公开(公告)号：CN1992168B8
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200610172517.4
申请日：2006-12-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/205 , C30B25/02 , C30B33/00 , H01S5/323
Abstract: 一种第III族氮化物晶体物质的制造方法包括以下步骤：通过向反应室(110)中引入HCl气体(1)而清洁反应室(110)的内部，以及第III族氮化物晶体物质在清洁的反应室(110)中气相沉积。一种第III族氮化物晶体物质的制造装置包括：将HCl气体(1)引入到反应室(110)中的结构，和由HVPE生长第III族氮化物晶体物质(11)的结构。因此，提供一种第III族氮化物晶体物质的制造方法以及在该制造方法中采用的制造装置，其中所述的制造方法包括有效地清洁在晶体生长的过程中粘附在反应室内部的沉积物的方法。
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公开(公告)号：CN101535533A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200780042700.5
申请日：2007-11-14
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/20 , H01L21/205
CPC classification number: H01L29/045 , C30B19/02 , C30B23/025 , C30B25/20 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L29/2003 , Y10T428/24752
Abstract: 本发明提供制造III族氮化物晶体的方法，所述III族氮化物晶体(20)具有除{0001}以外的任意指定的面取向的主面(20m)，所述方法包括以下步骤：由III族氮化物块状晶体(1)切出多个具有指定面取向的主面(10pm)，(10qm)的III族氮化物晶体衬底(10p)，(10q)；在横向上将所述衬底(10p)，(10q)互相邻接地布置，使得所述衬底(10p)，(10q)的主面(10pm)，(10qm)互相平行，并使得所述衬底(10p)，(10q)的[0001]方向以相同的方式取向；以及使所述III族氮化物晶体(20)在所述衬底(10p)，(10q)的主面(10pm)，(10qm)上生长。
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公开(公告)号：CN101440520A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200810177773.1
申请日：2008-11-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: C30B29/38 , C30B25/02 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02576 , H01L21/0237 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及半导体晶体生长方法、半导体晶体基板及其制造方法。本发明公开了一种III族氮化物半导体晶体的生长方法，其包括步骤：准备下层基板，以及通过气相生长在该下层基板上通过利用四氯化硅(SiCl4)气体作为掺杂气体生长用硅掺杂的第一III族氮化物半导体晶体。第一III族氮化物半导体晶体的生长速率为至少200μm/h且不大于2000μm/h。
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公开(公告)号：CN100477089C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200610087785.6
申请日：2000-09-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/00 , C30B25/02 , C30B29/40 , C23C16/34
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L33/0075
Abstract: 提供一种制造106cm-2以下低错位GaN单结晶的方法，其特征是气相成长的成长表面不是平面状态，形成具有三维的小面结构，保持小面结构，通过在不埋没小面结构下进行成长，可降低错位，进行单晶体氮化镓的结晶成长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101393851A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810173810.1
申请日：2002-10-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种单晶氮化镓基板和单晶氮化镓长晶方法，单晶氮化镓基板具有表面、背面和厚度，具有晶体缺陷集合区H、低缺陷单晶区Z和C面生长区Y，具有HZYZ构造；所述晶体缺陷集合区H直线状伸展，贯通表背面，有宽，在宽度方向两侧具有交界线K、K，让变位集合在内部；所述低缺陷单晶区Z直线状伸展，贯通表背面，通过交界线K与晶体缺陷集合区H相接，有宽，变位密度比晶体缺陷集合区H低；所述C面生长区Y位于低缺陷单晶区Z的大致中央，直线状伸展，贯通表背面，有宽，变位密度比晶体缺陷集合区H低，电阻率比低缺陷单晶区Z低高，C面生长区Y的宽度并非一定而具有随机偏差，在厚度方向以及与面平行的方向上歪歪扭扭。
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公开(公告)号：CN100435268C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN02145712.3
申请日：2002-10-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B29/406 , C30B23/002 , C30B25/02 , C30B29/403
Abstract: 一种单晶氮化镓长晶方法，在衬底基板上有规律地设条纹图案，在其长形成凹凸构成的V沟(谷)并加以维持，同时让GaN凹凸生长，凹凸面构成的V沟(谷)底部形成缺陷集合区H，将变位集结于此，实现其周围的低缺陷单晶区Z与C面生长区Y的低变位化。克服了这些难点：自凹凸面构成的坑的中央变位变位零乱分布、生成放射状面状缺陷、坑生成位置不可控制。
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公开(公告)号：CN1273654C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN00129013.4
申请日：2000-09-26
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C30B25/02 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B33/00 , H01L33/0075
Abstract: 提供一种制造106cm-2以下低错位GaN单结晶的方法，其特征是气相成长的成长表面不是平面状态，形成具有三维的小面结构，保持小面结构，通过在不埋没小面结构下进行成长，可降低错位，进行单晶体氮化镓的结晶成长。
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公开(公告)号：CN1744326A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510099023.3
申请日：2005-08-31
Applicant: 住友电气工业株式会社
IPC: H01L29/38 , H01L29/417 , H01L29/861 , H01L29/772 , H01L29/732
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/41741 , H01L29/4238 , H01L29/861 , H01L29/872
Abstract: 在肖特基二极管11中，氮化镓支撑底板13包括第一表面13a和与第一表面相反的第二表面13b，其载流子浓度大于1×1018cm－3。氮化镓外延层15放置在第一表面13a上。欧姆电极17放置在第二表面13b上。肖特基电极19放置在氮化镓外延层15上。氮化镓外延层15的厚度D1至少是5微米，但不大于1000微米。另外，氮化镓外延层15的载流子密度至少是1×1014cm－3，但不大于1×1017cm－3。
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公开(公告)号：CN1148810C
公开(公告)日：2004-05-05
申请号：CN99106909.9
申请日：1999-05-28
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L33/0075 , C30B25/02 , C30B29/406 , H01L21/02395 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L21/02664 , H01L33/0079
Abstract: 本发明提供一种氮化镓单晶衬底及其制造方法。该衬底用HVPE法或MOC法制造，添加有作为表现出n型电子传导的掺杂剂的浓度为1×1016cm-3～1×1020cm-3的氧，且不具有其他材料的衬底部分。
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