公开(公告)号：CN104868836B

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201510087045.1

申请日：2015-02-25

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  森宏治 ,  鸟谷和正 ,  岩崎孝 ,  稻垣充 ,  工原美树

IPC: H02S40/22 ,  H02S40/00

Abstract: 本发明涉及聚光光伏单元、聚光光伏模块、聚光光伏面板和聚光光伏设备。作为光学系统基本单位的聚光光伏单元，包括：聚光部，该聚光部被构造为会聚阳光；电池，该电池被构造为接收由聚光部会聚的光来发电；包括框架部的封装件，该框架部具有绝缘性质并且环绕电池，该封装件处于与电池集成的关系；屏蔽板，该屏蔽板提供在聚光部和电池之间，并且包括允许由聚光部会聚的光有选择地由此通过的开口；以及保护板，该保护板作为在框架部上提供的耐热构件以使电池暴露于光并且屏蔽封装件，该保护板只与框架部接触，并且确保离电池的带电部有预定绝缘距离。

公开(公告)号：CN107851679A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680042514.0

申请日：2016-06-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  齐藤健司 ,  鸟谷和正 ,  岩崎孝

IPC: H01L31/054 ,  H02S40/22 ,  H02S20/10 ,  H02S20/32

Abstract: 当光学路径上的上下位置关系被定义为使得初级聚光部分位于在次级聚光部分的上方位置处时，次级聚光部分包括：设置在发电元件上方的次级透镜；透镜支撑部分，该透镜支撑部分是座架，该座架包围发电元件并且被配置为将次级透镜安装到该座架，该透镜支撑部分被配置为以次级透镜具有间隙地设置在发电元件上方的状态来支撑次级透镜；由透光性树脂制成的覆盖部分，该覆盖部分被配置为覆盖次级透镜的表面；以及由透光性树脂制成的密封部分，该密封部分在透镜支撑部分中填满发电元件与次级透镜之间的间隙的空间，并且透镜支撑部分的上端面包括：与次级透镜接触的内边缘；以及树脂接纳部分，其从内边缘延伸到外侧而不与次级透镜形成接触，该树脂接纳部分接纳覆盖部分的下端。

公开(公告)号：CN106537612A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201580037722.7

申请日：2015-07-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 鸟谷和正 ,  岩崎孝 ,  永井阳一 ,  森宏治 ,  齐藤健司 ,  三上垒 ,  山名健司

IPC: H01L31/05 ,  H02S40/22

CPC classification number: H01L31/03926 ,  H01L31/02013 ,  H01L31/0508 ,  H01L31/0543 ,  H02S20/32 ,  H02S30/10 ,  H02S40/22 ,  H02S40/34 ,  H02S40/42 ,  H05K1/0204 ,  H05K1/028 ,  H05K1/0281 ,  H05K1/142 ,  H05K1/144 ,  H05K1/189 ,  H05K3/301 ,  H05K2201/046 ,  H05K2201/049 ,  H05K2201/09263 ,  H05K2201/10121 ,  H05K2201/10143 ,  Y02E10/52

Abstract: 一种配线基板(69)被配置成在其上安装有发电部(30)。配线基板(69)包括平台部(60)和配线部(63)。配线部(63)的宽度小于平台部(60)的宽度。

公开(公告)号：CN106341946A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201610529166.1

申请日：2016-07-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 鸟谷和正 ,  永井阳一 ,  齐藤健司 ,  岩崎孝

IPC: H05K1/18 ,  H05K1/02 ,  H05K3/00 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0504 ,  B32B15/04 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/05 ,  H01L31/054 ,  H01L31/0543 ,  H05K1/02 ,  H05K1/0281 ,  H05K1/09 ,  H05K1/181 ,  H05K3/0052 ,  H05K2201/10121 ,  H05K2201/10143 ,  H05K2203/0228 ,  Y02E10/52 ,  H05K1/189 ,  H01L31/04 ,  H05K1/0203 ,  H05K3/0058 ,  H05K2201/05 ,  H05K2201/2009

Abstract: 提供一种柔性印刷电路及其制造方法、聚光光伏模块及面板，增加柔性印刷电路的可制造性。根据本发明的用于聚光光伏的柔性印刷电路到该导电层；绝缘层(126)，其具有绝缘性质；以及加强层(124)，用于加强所述绝缘层(126)，并且导电层、绝缘层以及加强层被按照此顺序接合在一起。在柔性印刷电路(12)中，加强层(124)由与导电层(127)相同的材料形成。(12)包括：导电层(127)，发电元件(121)被连接

公开(公告)号：CN106165549A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201580018753.8

申请日：2015-02-13

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 齐藤健司 ,  永井阳一 ,  弘津研一 ,  岩崎孝 ,  浅井省吾 ,  松山浩幸

IPC: H05K1/03 ,  H01L31/05

CPC classification number: H01L31/05 ,  H01L31/048 ,  H01L31/049 ,  H01L31/0543 ,  H02S20/10 ,  H05K1/0257 ,  H05K1/028 ,  H05K1/0346 ,  H05K1/0373 ,  H05K1/0393 ,  H05K2201/0154 ,  H05K2201/2009 ,  Y02E10/52

Abstract: 本发明提供一种柔性印刷电路，包括：膜状的绝缘基材，所述膜状的绝缘基材具有柔性并且具有至少2000V的耐压值；和电导体层，所述电导体层形成在绝缘基材上并且形成电路图案，其中关于绝缘基材，其主要成分是聚酰亚胺并且其填料含量是0％。因此，可以获得具有即使在高湿度环境中也可以抑制耐压性能降低的绝缘基材的柔性印刷电路。

公开(公告)号：CN104584236A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201480002218.9

申请日：2014-03-12

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 永井阳一 ,  岩崎孝 ,  鸟谷和正 ,  齐藤健司 ,  弘津研一 ,  中幡英章

IPC: H01L31/054

CPC classification number: H01L31/0201 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/0508 ,  H01L31/0512 ,  H01L31/0543 ,  H02S40/22 ,  Y02E10/52

Abstract: 一种聚光光伏模块(1M)，设有：由金属构成的器皿形壳体(11)；和柔性印刷线路板(12)，其设置为与壳体(11)的内表面接触。柔性印刷线路板(12)具有绝缘层(124)、绝缘基板(121a)、图案(121b)、多个发电元件(122)和绝缘层(126)。绝缘层(124)与壳体(11)的底面(11a)接触。绝缘基板(121a)设置在绝缘层(124)上，并且具有挠性。图案(121b)由导体构成，并且设置在所述绝缘基板(121a)上。多个发电元件(122)安装在图案(121b)上。绝缘层(126)设置为覆盖图案(121b)的除安装有发电元件(122)的部分以外的整个表面。

公开(公告)号：CN102203960B

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201080003113.7

申请日：2010-07-07

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  石塚贵司 ,  秋田胜史 ,  永井阳一 ,  田边达也

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/0262 ,  H01L31/1035 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种制造半导体器件的方法，其中能够有效地生长具有许多对量子阱的多量子阱结构并同时确保优异的晶体品质。本发明还提供了通过这种方法制造的半导体器件。本发明制造半导体器件的方法包括形成具有50对以上由III-V族化合物半导体构成的量子阱的多量子阱结构(3)的步骤。在所述形成多量子阱结构(3)的步骤中，通过全金属有机气相淀积法(全金属有机MOVPE法)来形成所述多量子阱结构。

公开(公告)号：CN103503165A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280021545.X

申请日：2012-10-29

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  藤井慧 ,  石塚贵司 ,  永井阳一

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/105 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/109

Abstract: 提供了以下内容：一种光电探测器，其中，在具有近红外区到远红外区中的灵敏度的III-V半导体中，可以以高精度来控制载流子浓度；一种外延晶片，其形成用于光电探测器的材料；以及，一种用于制作外延晶片的方法。本发明提供有：衬底，其包括III-V族化合物半导体；光接收层，其用于接收光；窗口层，其具有比光接收层大的带隙能量；以及，p-n结，其至少被定位在光接收层处；并且特征在于，窗口层表面的均方根表面粗糙度为10nm或更大且40nm或更小。

公开(公告)号：CN103403884A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280010022.5

申请日：2012-02-03

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  藤井慧 ,  永井阳一 ,  稻田博史 ,  猪口康博

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035209 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/183 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  C30B29/68 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/109 ,  H01L31/1844 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明的目的是提供一种光电二极管等，该光电二极管可以在1.5μm至1.8μm的近红外波长范围内具有足够高的灵敏度并且可以具有低暗电流。根据本发明的光电二极管（10）包括：缓冲层（2），其设置为与InP衬底（1）的顶部相邻并与之接触；和吸收层（3），其位于缓冲层上并与之接触。吸收层包括50或更多个对，其中第一半导体层（3a）和第二半导体层（3b）构成一对，第一半导体层（3a）具有0.73eV或更小的带隙能量，第二半导体层（3b）具有比第一半导体层（3a）的带隙能量大的带隙能量。第一半导体层（3a）和第二半导体层（3b）形成应变补偿量子阱结构，并且每层都具有不小于1nm且不大于10nm的厚度。

公开(公告)号：CN102612758A

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN201180004431.X

申请日：2011-05-19

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 藤井慧 ,  秋田胜史 ,  石塚贵司 ,  中幡英章 ,  猪口康博 ,  稻田博史 ,  永井阳一

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035236 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/105 ,  H01L31/1844

Abstract: 提供一种半导体器件和光学传感器装置，每个都具有减小的暗电流和向着近红外中的更长波长扩展的探测灵敏度。而且，提供了一种半导体器件的制造方法。该半导体器件50包括：位于InP衬底1上的II型(InGaAs/GaAsSb)MQW结构的吸收层3，和位于MQW结构上的InP接触层5。在MQW结构中，GaAsSb的组分x(％)不小于44％，其厚度z(nm)不小于3nm，且满足z≥-0.4x+24.6。