公开(公告)号：CN1031088C

公开(公告)日：1996-02-21

申请号：CN89100622.2

申请日：1989-02-01

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 新井孝至 ,  金井正博 ,  川上総一郎 ,  村上勉

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/00 ,  C23C16/24

CPC classification number: C23C16/511 ,  C23C16/452 ,  C23C16/52

Abstract: 向成膜空间引入成膜材料化合物，如果需要引入含能控制沉积膜价电子的元素的化合物，形成半导体功能沉积膜，每一化合物处于气态或至少一种化合物是激活态，同时形成激发态氢原子，与成膜空间的气态的或激活空间中的激活态化合物发生化学反应，在基片上形成沉积膜，其中用一微波回路中与两个阻抗匹配回路结合的共振腔中的等离子体产生室产生的微波等离子，从氢气或氢气与惰性气体的混合气体中形成激发态氢原子，并且其激发态受到控制。

公开(公告)号：CN1016449B

公开(公告)日：1992-04-29

申请号：CN89100620.6

申请日：1989-02-01

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 金井正博 ,  村上勉 ,  新井孝至 ,  川上一郎

IPC: C23C16/48 ,  C23C16/52

CPC classification number: C30B25/105 ,  C23C16/306 ,  C23C16/452 ,  C30B29/48 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  Y10S148/045 ,  Y10S148/064

Abstract: 形成主要含周期表的II和VI族原子的实用沉积膜工艺，沉积膜按如下方法制成：向用以在其内一衬底上形成沉积膜的成膜空间引入用作成膜原料的，分别由下列一般公式(I)和(II)表示的化合物(1)、(2)，如果需要，再引入含作为组分元素的，能控制沉积膜价子的元素的化合物(3)，这些化含物要么都呈气态，要么至少有一个在分立于成膜空间的激发空间中被预先激发。RnMn…(I)：AaBb…(II)。