光阻图案形成方法
    43.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102520581A

    公开(公告)日:2012-06-27

    申请号:CN201110442517.2

    申请日:2009-07-10

    CPC classification number: G03F7/0045 G03F7/0382 Y10S430/114 Y10S430/128

    Abstract: 本发明是一种化学增幅型光阻组合物,其至少含有1种或2种以上的具有羧基且不含有共价键结于碱性中心即氮上的氢的胺化合物或氧化胺化合物,但排除胺及氧化胺的氮原子被包含于芳香环的环状结构的情形。由此,可提供一种化学增幅光阻材料等的光阻材料、及使用此材料的图案形成方法,该光阻材料在用于微加工的微影成像术且特别是使用KrF激光、ArF激光、F2激光、极短紫外线、电子射线、X射线等作为曝光光源的微影术中,可赋予高解像性,同时在基板界面也能赋予良好图案形状。

    抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法

    公开(公告)号:CN113805434B

    公开(公告)日:2024-04-23

    申请号:CN202110646782.6

    申请日:2021-06-10

    Abstract: 本发明涉及抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法。本发明提供一种抗蚀剂下层膜材料,是多层抗蚀剂法中使用的抗蚀剂下层膜材料,含有:(A)下列通式(1)表示的化合物;及(B)有机溶剂。#imgabs0#式中,X各自独立地为下列通式(2)表示的1价有机基团。W含有m个下式(3)表示的独立的部分结构。m、n为1~10的整数。#imgabs1#式中,虚线表示原子键。Z表示芳香族基团。A为单键、或‑O‑(CH2)p‑。k为1~5的整数。p为1至10的整数。#imgabs2#式中,虚线表示原子键。R01为氢原子或碳数1~10的一价有机基团。

    抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法

    公开(公告)号:CN108693713B

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN201810275797.4

    申请日:2018-03-30

    Abstract: 本发明提供一种具有优异的耐受碱性过氧化氢水的性能、良好的嵌入/平坦化特性、及干法蚀刻特性的抗蚀剂下层膜材料、使用了该抗蚀剂下层膜材料的图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。其为用于多层抗蚀剂法的抗蚀剂下层膜材料,其含有:(A1)下述通式(X)表示的化合物中的一种或两种以上;以及,(B)有机溶剂。[化学式1]式中,n01表示1~10的整数,n01为2时,W表示亚硫酰基、磺酰基、醚基、或碳原子数为2~50的二价有机基团,n01为2以外的整数时,W表示碳原子数为2~50的n01价有机基团。此外,Y表示单键或碳原子数为1~10的可包含氧原子的二价连接基团。

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