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公开(公告)号：CN101625524B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200910140187.4
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0382 , Y10S430/114 , Y10S430/128
Abstract: 本发明是一种化学增幅型光阻组合物，其至少含有1种或2种以上的具有羧基且不含有共价键结于碱性中心即氮上的氢的胺化合物或氧化胺化合物，但排除胺及氧化胺的氮原子被包含于芳香环的环状结构的情形。由此，可提供一种化学增幅光阻材料等的光阻材料、及使用此材料的图案形成方法，该光阻材料在用于微加工的微影成像术且特别是使用KrF激光、ArF激光、F2激光、极短紫外线、电子射线、X射线等作为曝光光源的微影术中，可赋予高解像性，同时在基板界面也能赋予良好图案形状。
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公开(公告)号：CN102221783A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110122793.0
申请日：2011-02-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 提供一种化学放大正性抗蚀剂组合物，该组合物包括具有其中键合的胺结构的聚合物PB与包括具有用酸不稳定保护基保护的酸性侧链的重复单元和在侧链上具有酸产生部分的重复单元的聚合物PA。
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公开(公告)号：CN101982808A
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN201010552383.5
申请日：2010-05-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/039 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/0397
Abstract: 一种包含聚合物的化学放大型抗蚀剂组合物，所述聚合物包含具有足够极性以赋予聚合物粘附力的单元和在酸作用下变为碱溶性的酸不稳定单元。所述聚合物包含具有通式(1)的重复单元，其中R1为H、F、CH3或CF3，Rf为H、F、CF3或CF2CF3，A是二价的烃基，R2、R3、R4为烷基、烯基、氧代烷基、芳基、芳烷基或芳氧代烷基。包含芳环结构的重复单元的存在量为≥60mol％，而具有通式(1)的重复单元的存在量＜5mol％。
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公开(公告)号：CN102221783B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201110122793.0
申请日：2011-02-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 提供一种化学放大正性抗蚀剂组合物，该组合物包括具有其中键合的胺结构的聚合物PB与包括具有用酸不稳定保护基保护的酸性侧链的重复单元和在侧链上具有酸产生部分的重复单元的聚合物PA。
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公开(公告)号：CN102520581B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201110442517.2
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0382 , Y10S430/114 , Y10S430/128
Abstract: 本发明是一种化学增幅型光阻组合物，其至少含有1种或2种以上的具有羧基且不含有共价键结于碱性中心即氮上的氢的胺化合物或氧化胺化合物，但排除胺及氧化胺的氮原子被包含于芳香环的环状结构的情形。由此，可提供一种化学增幅光阻材料等的光阻材料、及使用此材料的图案形成方法，该光阻材料在用于微加工的微影成像术且特别是使用KrF激光、ArF激光、F2激光、极短紫外线、电子射线、X射线等作为曝光光源的微影术中，可赋予高解像性，同时在基板界面也能赋予良好图案形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101982808B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201010552383.5
申请日：2010-05-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/039 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/0397
Abstract: 一种包含聚合物的化学放大型抗蚀剂组合物，所述聚合物包含具有足够极性以赋予聚合物粘附力的单元和在酸作用下变为碱溶性的酸不稳定单元。所述聚合物包含具有通式(1)的重复单元，其中R1为H、F、CH3或CF3，Rf为H、F、CF3或CF2CF3，A是二价的烃基，R2、R3、R4为烷基、烯基、氧代烷基、芳基、芳烷基或芳氧代烷基。包含芳环结构的重复单元的存在量为≥60mol％，而具有通式(1)的重复单元的存在量＜5mol％。
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公开(公告)号：CN101943864A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010221430.8
申请日：2010-06-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 本发明提供一种正型光阻组合物，其至少含有：(A)基础树脂，其是具有由酸不稳定基保护的酸性官能基的碱不溶性或难溶性的树脂，且在此酸不稳定基脱离时变为碱可溶性；(B)产酸剂；及(C)作为碱性成分的含氮化合物；其特征在于：所述基础树脂含有以下述通式(1)所表示的重复单元，并含有一种或两种以上的以下述通式(2)及/或通式(3)所表示的重复单元，而且，构成所述基础树脂的全部重复单元中，含有70摩尔％以上的以下述通式(1)、通式(2)和通式(3)所表示的重复单元。根据本发明，可以提供一种在用以进行微细加工的光刻，特别是使用KrF激光、极端紫外线、电子束、X射线等作为曝光源的光刻中，耐蚀刻性和解像性优异，即使在基板表面也可以形成良好的图案形状的正型光阻组合物，以及使用此正型光阻组合物的图案形成方法。
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公开(公告)号：CN101923288A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010289418.0
申请日：2010-06-12
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045
Abstract: 一种聚合物，包含高比例的含芳环结构单元，且侧链上含芳香磺酸锍盐，该聚合物用于形成化学放大正性光致抗蚀剂组合物，该组合物对于形成具有高抗蚀性的抗蚀图案是有效的。所述聚合物克服了在用于聚合和纯化的溶剂中以及抗蚀剂溶剂中的溶解问题。
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公开(公告)号：CN101893824A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010178168.3
申请日：2010-05-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/0045 , G03F7/30 , G03F7/322
Abstract: 本发明的目的是提供一种负型光阻组合物、使用其的图案形成方法、其检查方法及调制方法，该负型光阻组合物至少含有：(A)碱可溶性且可由于酸的作用而变为碱不溶性的基础树脂及/或碱可溶性且可由于酸的作用与交联剂反应而变为碱不溶性的基础树脂与交联剂的组合、(B)产酸剂、(C)含有氮作为碱性成分的化合物，其形成为了形成光阻图案而实施曝光处理、显影处理且具有50nm～100nm厚的X nm的光阻膜，其特征在于：该负型光阻组合物在形成图案时的成膜条件下形成光阻膜的情况，对于在形成图案时的显影处理中所使用的碱性显影液的溶解速度，成为0.0333X-1.0nm/sec以上0.0667X-1.6nm/sec以下的值。
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公开(公告)号：CN104199255B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201410471281.9
申请日：2011-02-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0382 , G03F7/038
Abstract: 提供一种化学放大负性抗蚀剂组合物，包括(A)碱可溶性聚合物，(B)酸产生剂，和(C)作为碱性组分的含氮化合物，该聚合物(A)在酸催化剂存在下变为碱不溶性。在侧链上具有仲或叔胺结构的碱性聚合物用作组分(A)和(C)。由EB或EUV平版印刷方法处理负性抗蚀剂组合物可以形成精细尺寸的抗蚀剂图案，优点包括碱均匀扩散、LER改善、酸在基材界面的钝化受控和咬边程度降低。
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