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公开(公告)号：CN101256934B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200810005732.4
申请日：2008-02-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/265 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262
Abstract: 本发明在硅基板10的主面上使SiGe混晶的缓冲层及Ge外延膜生长。在Ge外延膜11中，虽然高密度的缺陷从与Si基板10的界面被导入，但是施加700～900℃的热处理，来使贯穿位错12变化成为在Si基板界面附近的环状位错缺陷12’。接着，对形成有离子注入层的Ge外延膜11和支撑基板20的至少一方的主面，施加以表面净化或表面活化等作为目的的等离子体处理或臭氧处理，然后使主面之间密接而贴合。对贴合界面施加外部冲击，且沿着氢离子注入界面13进行Ge外延膜的剥离而得到Ge薄膜14，进而，若对该Ge薄膜14的表面施加最后表面处理来除去起因于氢离子注入的损伤时，能够得到其表面具有Ge薄膜14的GeOI基板。
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公开(公告)号：CN101207009B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200710161139.4
申请日：2007-12-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 一种SOI基板的制造方法，包括：离子注入工艺，此工艺是在硅基板的主面侧，形成氢离子注入层；表面处理工艺，此工艺是对绝缘性基板和上述硅基板的至少其中一方的主面，施行活性化处理；贴合工艺，此工艺是贴合上述绝缘性基板的主面和上述硅基板的主面；以及剥离工艺，此工艺是从上述贴合基板的上述硅基板，机械性地剥离硅薄膜，而在上述绝缘性基板的主面上，形成硅膜；上述离子注入工艺中的上述硅基板的温度，保持在400℃以下。本发明的方法可抑制剥离后的SOI膜的表面粗糙度，确保SOI基板的全部表面有均匀的SOI膜的厚度。由于全部是低温工艺，又可抑制转印缺陷或滑移错位等的发生，而得到高品质的SOI晶片。
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公开(公告)号：CN101571671A
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：CN200910137734.3
申请日：2009-04-29
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明目的在于提供一种防护薄膜组件，其具备EUV用防护薄膜，该防护薄膜透光性、机械性、化学稳定性优异，且制造良品率高，成本低廉实用。为达成上述目的，本发明之防护薄膜组件以硅单晶膜为防护薄膜，该硅单晶膜以自属于{100}面群和{111}面群的其中任一个晶格面倾斜3～5°的晶面为主面。由于以该等晶面为主面的硅单晶，跟 方位的硅单晶相比，其有效键结密度或杨氏系数高出40～50％左右，故不易发生解理或龟裂等问题。又，耐氢氟酸性等的化学耐性很高而不易发生腐蚀陷斑或孔隙等缺陷。
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公开(公告)号：CN108885972B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN201780021577.2
申请日：2017-04-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 秋山昌次
IPC: H01L21/02 , B23K20/00 , B23K20/24 , H01L21/265 , H01L21/425 , H01L27/12 , H10N30/853 , H10N30/072
Abstract: 本发明涉及一种复合晶片，其包括转移至支承晶片整个表面的钽酸锂或铌酸锂氧化物单晶薄膜，且在支承晶片与氧化物单晶薄膜之间的接合界面上不发生开裂或剥落。一种复合晶片的制造方法，其至少包括：在氧化单晶片中形成离子注入层的步骤，对所述氧化物单晶片的所述离子注入表面和支承晶片表面中的至少一者进行表面活化处理的步骤，将所述氧化物单晶片的所述离子注入表面接合至所述支承晶片表面形成层合体的步骤，在90℃以上且不致使开裂发生的温度下对所述层合体进行第一热处理的步骤，对所述离子注入层施加机械冲击的步骤，以及在250℃～600℃的温度下对带有转移的所述氧化物单晶薄膜的所述支承晶片进行第二热处理以获得复合晶片的步骤。
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公开(公告)号：CN109417376B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201780040362.5
申请日：2017-07-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种可降低压电结晶膜和支承基板的接合界面上的波的反射造成的杂散的、温度特性良好且为高性能的表面声波器件用复合基板。表面声波器件用复合基板包含压电单晶基板和支承基板而构成，其特征在于，在压电单晶基板和该支承基板的接合界面部，至少压电单晶基板和支承基板中任一方具有凹凸构造，该凹凸构造的剖面曲线上的要素的平均长度RSm和用作表面声波器件时的表面声波的波长λ的比为0.2以上且7.0以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115485972A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202180031770.0
申请日：2021-04-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 秋山昌次
Abstract: 本发明提供一种能够在抑制裂纹产生的同时提高温度特性的复合基板及这种复合基板的制造方法。本发明的复合基板的制造方法具备：准备具有粗糙面的压电材料的基板的步骤；通过化学方法对压电材料的基板的粗糙面进行蚀刻而除去损伤层的步骤；在除去了损伤层的压电材料的基板的粗糙面沉积夹层的步骤；使沉积的夹层的表面平坦化的步骤；将压电材料的基板经由沉积的夹层与热膨胀系数比压电材料小的支承基板贴合的步骤；以及使贴合后的压电材料的基板薄化的步骤。作为压电材料，优选钽酸锂(LT)或铌酸锂(LN)。
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公开(公告)号：CN115315780A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202180022998.3
申请日：2021-04-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种复合基板以及制造该复合基板的方法，所述复合基板即使暴露于高温或低温下也不会出现裂纹，从而不会出现性能劣化。本发明的复合基板(10)具有按列出顺序层叠的支承基板(2)、应力松弛间层(3)和氧化物单晶薄膜(1)。应力松弛间层(3)具有介于支承基板(2)的热膨胀系数与氧化物单晶薄膜(1)的热膨胀系数之间的热膨胀系数。
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公开(公告)号：CN107636802B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201680033205.7
申请日：2016-06-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/425 , H01L27/12 , H01L41/187 , H01L41/312
Abstract: 本发明提供一种复合晶片及制造方法，复合晶片在支持晶片和氧化物单晶薄膜的贴合界面不易产生破裂或剥落，且在支持晶片上的整个面转印有作为钽酸锂或铌酸锂的氧化物单晶的薄膜。所述方法，其至少包括：在氧化物单晶晶片的内部形成离子注入层的工序；对氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面中的至少一者实施表面活化处理的工序；将氧化物单晶晶片的经离子注入的表面和支持晶片的表面贴合而获得接合体的工序；在接合体的至少一个表面具备具有比氧化物单晶晶片小的热膨胀系数的保护晶片的工序；以及以80℃以上的温度对具备保护晶片的接合体进行热处理的工序，且沿着离子注入层剥离而获得被转印于支持晶片上的氧化物单晶薄膜的工序。
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公开(公告)号：CN108138358B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201680052879.1
申请日：2016-09-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , CUSIC股份有限公司
Abstract: 本发明提供SiC复合基板的制造方法，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10的制造方法，其特征在于，在由Si构成的保持基板21的单面设置单晶SiC层12而制作了单晶SiC层负载体14后，在该单晶SiC层12上采用化学气相沉积法沉积多晶SiC而制作在保持基板21'上将单晶SiC层12和厚度t的多晶SiC基板11层叠的SiC层叠体15时，进行将单晶SiC层负载体14加热至低于1414℃而只沉积厚度t的一部分的多晶SiC，接着升温到1414℃以上而边将保持基板21的至少一部分熔融边进一步沉积多晶SiC直至成为厚度t后进行冷却，然后将保持基板21'以物理和/或化学方式除去。根据本发明，用简便的制造工艺得到在具有结晶性良好的单晶SiC层的同时翘曲小的SiC复合基板。
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公开(公告)号：CN112152587A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202010561198.6
申请日：2020-06-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供了具有改善的特性的用于表面声波器件的复合基板。根据本发明的用于表面声波器件的复合基板被配置为包括压电单晶基板和支撑基板。在压电单晶基板与支撑基板之间设置中间层，该中间层中的化学吸附水的量为1×1020个分子/cm3以下。在压电单晶基板和支撑基板之间的结合界面处，压电单晶基板和支撑基板中的至少一者可以具有不平坦结构。优选的是，当用作表面声波器件时，不平坦结构的截面曲线中的元件的平均长度RSm与表面声波的波长λ的比率为0.2以上且7.0以下。
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