-
公开(公告)号：CN109599468B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201811380251.1
申请日：2018-11-20
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种超宽禁带氮化铝材料外延片，包括：纳米图形化蓝宝石衬底，所述衬底上设有周期性排列的图形；氮化铝外延层，设置于所述衬底上，包括从下至上的一次愈合层、二次愈合层，所述一次愈合层包括横向外延空隙及第一愈合区，所述横向外延空隙在所述图形的上方分布有多个，所述第一愈合区分布在相邻的所述横向外延空隙的侧面及上方，所述二次愈合层包括空气隙及第二愈合区，所述空气隙分布于所述第一愈合区的上方，所述第二愈合区分布在所述空气隙的侧面及上方。经过二次愈合，可有效释放外延片残余应变，降低穿透位错密度，消除外延片表面裂纹呈现出类似体材料AlN衬底的优异性能。
-
公开(公告)号：CN107337881B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201710515884.8
申请日：2017-06-29
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种用于LED封装的氟树脂界面剂，包括氧化石墨烯氟树脂密封剂、KH550硅烷偶联剂溶液。氧化石墨烯氟树脂密封剂中的氧化石墨烯粉与KH550硅烷偶联剂发生化学反应，形成分子交联，如同无数个分子锚一样将黏结界面及氟树脂基体紧紧固定在一起，大大提高了氟树脂密封剂的黏结能力，保证了LED封装的可靠性。
-
公开(公告)号：CN110987880A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911323860.8
申请日：2019-12-20
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种光激发气敏传感器结构，包括：金属围坝支架、LED芯片、透镜、金属电极和光激发气敏材料；其中，所述金属围坝支架上设置有凹槽，所述LED芯片设置与所述凹槽内，所述LED芯片用于产生LED光源；所述透镜封装于所述金属围坝支架上，用于将所述LED芯片封装于所述金属围坝支架内；所述光激发气敏材料设置于所述透镜上，用于在接触到气体时生成电信号；所述光激发气敏材料与所述透镜之间设置有金属电极，所述金属电极将所述光激发气敏材料生成的电信号导出。由于将作为光源的LED芯片通过透镜进行封装，并将光激发气敏材料设置于透镜上，LED芯片设置于传感器内部，不单独占用空间，相比现有的外置光源，光敏检测系统的复杂性降低。
-
公开(公告)号：CN109860377A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811517460.6
申请日：2018-12-12
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L33/50
Abstract: 本发明提供了一种采用紫外激发的白光LED，包括依次设置的紫外LED芯片、绿色荧光玻璃、涂覆有红色量子点的纳米图形化衬底，所述绿色荧光玻璃设置于所述紫外LED芯片的出光面的上方，所述涂覆有红色量子点的纳米图形化衬底设置于所述绿色荧光玻璃上。用紫外LED芯片激发绿色荧光玻璃与红色量子点来获得白光，这种设置能够提高白光LED的显色指数；采用绿色荧光玻璃避免了LED长期使用老化有机聚合物变黄的现象，并且提高了其热稳定性、解决了有机化合物会受荧光粉层影响的问题；采用涂覆有红色量子点的纳米图形化衬底，通过纳米图形化衬底结构，抑制了界面处的全反射，从而提高了LED的光提取效率。
-
公开(公告)号：CN109841720A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811516454.9
申请日：2018-12-12
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种白光LED器件制备方法,步骤为：化学机械抛光得到蓝宝石片，使用激光切割蓝宝石表面，掩膜制备、刻蚀、裂片，得到上表面具备蛾眼微结构阵列的蓝宝石片；制备荧光粉层，并在空气炉中烧结，得到具备蛾眼微结构阵列荧光玻璃；在芯片和陶瓷基板上方涂覆硅胶；将具备蛾眼微结构阵列的荧光玻璃设置于硅胶上方；固化得到白光LED器件。本发明还提供了使用该方法制备的白光LED器件。相较于现有技术，本申请的白光LED器件制备方法工艺简单，适用于工业化生产，白光LED器件克服材料紫外照射下有机聚合物变黄的问题，提高白光LED的光提取效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109786537A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811610243.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
Abstract: 本发明属于LED器件领域，公开了一种全无机LED封装结构，包括围坝型的覆铜陶瓷基板、设置在覆铜陶瓷基板内部的LED芯片，设置在覆铜陶瓷基板顶部的平面石英玻璃、设置在平面石英玻璃下表面的第一金属层；第一金属层的大小为平面石英玻璃与覆铜陶瓷基板接触的区域的大小；第一金属层由上至下依次包括Cr、Pt、Au金属层，第一金属层的总厚度为0.9μm～2μm；本发明还公开了一种全无机LED封装结构的制备方法，包括LED芯片固晶、制备第一金属层、完成LED封装。本发明的目的在于解决现有技术中LED封装技术得到的LED器件可靠性低及容易透气、透湿的技术问题。
-
公开(公告)号：CN109742220A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811588605.1
申请日：2018-12-25
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L33/50
Abstract: 本发明公开了一种含液态量子点的白光LED及其制备方法，所述含液态量子点的白光LED制备方法的步骤包括：液态量子点稀释，配置浆料，丝网印刷并干燥，低温烧结，封装并固化。本发明有效避免了蓝光危害，显著提高了白光LED的显色指数及光色一致性，降低了LED的色温，并有效减缓了因有机聚合物老化而导致的光效降低情况。
-
公开(公告)号：CN109524526A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201811375706.0
申请日：2018-11-19
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
IPC: H01L33/38
Abstract: 本发明涉及一种新型深紫外发光二极管芯片，包括外延结构、位于所述外延结构上的P型金属电极层，P型金属电极层开设有若干个孔洞，且相邻两层孔洞所在位置相互对应；所述芯片还包括N型金属电极层与导联层，所述N型金属电极层包括若干列电极柱，每列电极柱包括若干个子电极柱，所述子电极柱一一连接在所述N-AlGaN层的孔洞内，所述子电极柱的直径小于所述孔洞的直径；相邻两个所述子电极柱的中心间距相等。本发明还涉及一种新型深紫外发光二极管芯片的制备方法，与传统的长条形电极深紫外LED相比，本发明提出的深紫外发光二极管的墙插效率大幅度提高，工作产生的热损耗也大幅度降低，进一步提升了产品使用寿命。
-
公开(公告)号：CN109273582A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201810876587.0
申请日：2018-08-03
Applicant: 华中科技大学鄂州工业技术研究院 , 华中科技大学
CPC classification number: H01L33/58 , B82Y40/00 , H01L2933/0058
Abstract: 本发明提供了一种纳米阵列结构透镜的制备方法，具体步骤包括：覆盖保护层、光刻、干法刻蚀保护层、湿法刻蚀蓝宝石衬底、去除保护层。本发明提供的制备方法，将纳米光刻和干湿法蚀刻相结合，能够在蓝宝石衬底上制作均匀的，大面积的且易于控制的纳米阵列，从而在透镜中形成从而形成纳米阵列结构。本发明还提供一种纳米阵列结构透镜，由上述纳米阵列结构透镜的制备方法制得。本发明又提供一种深紫外LED，包括LED芯片、密封剂及上述的纳米阵列结构透镜，该深紫外LED具有较好的光提取效率。
-
公开(公告)号：CN118943202A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411013900.X
申请日：2024-07-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L21/34
Abstract: 本发明属于半导体材料及器件技术领域，公开了一种基于图案化起伏二硫化钼沟道的场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管包括二硫化钼层、金属源电极、金属漏电极、绝缘介质层、金属栅电极和图案化起伏的衬底，其中：二硫化钼层为单分子层厚度的二硫化钼单晶晶域，该二硫化钼单晶晶域与图案化起伏的衬底直接接触，衬底起伏的突起处和凹陷处均被该二硫化钼单晶晶域紧密覆盖。本发明通过在图案化起伏的衬底上保形生长单晶二硫化钼薄膜，并经微纳加工制备得到场效应晶体管。本发明利用原位生长在图案化衬底上得到了保形生长的单晶二硫化钼，性能优于传统转移方式得到的图案化衬底上二硫化钼薄膜。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
78
records
(took 0.028 seconds)
