一种制备纳米粉末和薄膜材料的装置

    公开(公告)号:CN101147976A

    公开(公告)日:2008-03-26

    申请号:CN200710053669.7

    申请日:2007-10-26

    Abstract: 本发明公开了一种制备纳米粉末和薄膜材料的装置,其结构为:坩埚位于真空腔体的底部,衬底装置由电动机,衬底支架和衬底组成,衬底支架位于真空腔体的内腔顶部,电动机与衬底支架连接,衬底安装在衬底支架的下面;粉末收集器的收集口与真空腔体相通,送粉器安装在真空腔体的内壁上,送粉器的出粉口位于坩埚的上方,真空腔体上开有进水口、出水口和保护气体进口;高真空机组与真空腔体相连,硅整流器的正、负极分别与位于真空腔体内的钨极氩弧焊枪和坩埚连接,钨极氩弧焊枪与坩埚的距离为3-20mm之间。该装置既可以制备纳米粉末又可以沉积薄膜材料。制备的粉末纯度高,颗粒均匀;沉积的薄膜均匀,沉积速率较高,该装置的成本较低。

    一种应用于后量子密码算法的模乘器电路及其计算方法

    公开(公告)号:CN119906541A

    公开(公告)日:2025-04-29

    申请号:CN202510063933.3

    申请日:2025-01-15

    Abstract: 本申请提供一种应用于后量子密码算法的模乘器电路及其计算方法,包括:第一计算模块,所述第一计算模块用于计算(a×b1)modq的结果,得到第一计算结果f;其中,mod表示求余算法;第二计算模块,所述第二计算模块用于计算(a×b2)modq的结果,得到第二计算结果g;其中,a为23bit的数据,b为23bit的数据,b1表示数据b的第5bit位到第22bit位的数据,b1表示数据b的第0bit位到第4bit位的数据;第三计算模块,所述第三计算模块用于计算(f+g)modq的结果,从而得到最终输出结果。该结构仅使用了1个DSP,且通过模约简方法和关键路径插入寄存器,进一步提升了电路性能。

    一种用于SPHINCS+的抗侧信道时间攻击保护电路、方法

    公开(公告)号:CN118337364A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410517363.6

    申请日:2024-04-28

    Abstract: 本申请提供一种用于SPHINCS+的抗侧信道时间攻击保护电路、方法。包括:运算单元,用于基于输入数据进行哈希运算,并输出每一次哈希运算产生的运算结果;保护单元,连接所述运算单元,用于接收每一次哈希运算产生的运算结果,并将每一次运算对应的运算结果进行存储,使得每一次运算产生的功耗曲线近似。本申请在每次运算完成之后,都将对应的运算结果进行存储,使得每一次运算产生的功耗曲线近似。攻击者无法通过测量功耗获取真正的签名生成时间,无法完成对私密信息的获取,提高信息安全性。

    一种适用于后量子密码算法Dilithium的模乘运算电路

    公开(公告)号:CN118233094A

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202410459219.1

    申请日:2024-04-17

    Abstract: 本发明公开了一种适用于后量子密码算法Dilithium的模乘运算电路,包括:用于对输入的一对初始数据进行拆分相乘相加,获得三个中间数据的分项相乘单元,用于对所述三个中间数据进行拆分左移并相加减,获得初步加工数据的分项相加单元,用于对所述初步加工数据拆分左移并相加减,获得二次加工数据;所述二次加工数据与第一预设常数相减,并与二次加工数据比较判断,获得最终输出数据的模归约单元。本发明所述的适用于后量子密码算法Dilithium的模乘运算电路通过将一个高位数据一分为二,能够有效减小乘法运算次数,实现对23×23位乘法运算的高效运算,减少逻辑延迟时间,并且具有更小的面积。

    一种基于硫系阈值转变器件的温度感知人工神经元系统

    公开(公告)号:CN116952409A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202310928562.1

    申请日:2023-07-26

    Abstract: 本发明提供了一种基于硫系阈值转变器件的温度感知人工神经元系统,属于人工神经形态技术领域,包括:电阻、硫系阈值转变器件和电容;硫系阈值转变器件用于在不同激励下实现高阻态和低阻态之间的切换;其中,基于硫系阈值转变器件的阈值电压随温度升高而减小,进而脉冲信号幅值减小且周期性振荡频率增大的特性,以阈值电压的变化作为响应,感知温度信号;激励输入端用于为电容提供激励,控制电容通过硫系阈值转变器件放电,或者控制电容通过电阻充电。本发明中的温度感知人工神经元系统能够将温度信号转换为脉冲信号,无需额外引入温度传感器,结构紧凑,电路结构简单,漏电流小,功耗低,有利于大规模集成。

    一种相变存储器的电热分析方法及系统

    公开(公告)号:CN115130346A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202210759289.X

    申请日:2022-06-30

    Abstract: 本发明提供一种相变存储器的电热分析方法及系统,包括:将相变存储器的相变层等比例划分为相同体积的多个子区域;确定所述掺杂材料的掺杂比例,并按照掺杂比例计算掺杂材料所占的子区域数量;根据所计算的子区域数量随机选取相应数量的子区域填充掺杂材料,剩余子区域填充相变材料;确定掺杂材料、相变材料、上电极、下电极以及绝缘绝热层的电热参数;确定相变存储器的边界条件和电流参数;边界条件为热边界条件,电流参数为RESET/SET电流脉冲;结合上述电热参数、电流参数以及边界条件对所述相变存储器进行热仿真分析,确定相变存储器接收RESET/SET电流脉冲后其内部的温度场分布情况,以进一步分析相变存储器内部的相变区域和RESET/SET功耗。

    一种阻燃硬质聚氨酯泡沫的制备方法

    公开(公告)号:CN110724238B

    公开(公告)日:2021-01-01

    申请号:CN201910998011.6

    申请日:2019-10-21

    Abstract: 本发明属于阻燃材料领域,更具体地,涉及一种阻燃硬质聚氨酯泡沫的制备方法。将FRC‑6、含有羟基的多元醇与含有环氧基团的长链烷烃混合,加入催化剂,在一定温度下使得长链烷烃的环氧基团发生开环接枝反应,获得开环产物;将获得的开环产物与FRC‑6、添加型阻燃剂混合,在催化剂、表面活性剂、发泡剂存在条件下,在搅拌条件下与异氰酸酯反应,制得阻燃硬质聚氨酯泡沫。本发明使用了一种添加型阻燃剂和两种反应型阻燃剂,提高了阻燃材料的阻燃性能。最终简单测试结果表明,长×宽×高为8cm×8cm×1cm的泡沫在火焰温度为1300℃的高温喷枪下燃烧可达2分钟以上,且燃烧面与背面温度差在700℃以上。

    一种平板式固体氧化物燃料电池

    公开(公告)号:CN104916857B

    公开(公告)日:2017-12-22

    申请号:CN201510332238.9

    申请日:2015-06-16

    Abstract: 本发明公开了一种平板式固体氧化物燃料电池,包括依次紧密接触的阴极层、电解质层、阳极功能层以及支撑体层,所述支撑体层背向所述阳极功能层一侧设置有气体通道,其特征在于,所述支撑层成分包括NiO、Fe2O3和NiTiO3,所述燃料电池在工作过程中,所述NiO‑Fe2O3还原成Ni‑Fe合金,NiTiO3还原成Ni和TiO2,TiO2颗粒均匀的分布在Ni‑Fe合金骨架上。按照本发明实现的平板式固体氧化物燃料电池,具有良好的延展性和导热性能,并且具有良好的机械加工和抗积碳性能,相比于金属陶瓷材料,按照本发明的设计方式,能够显著地降低SOFC材料的成本。

    一种中温平板式固体氧化物燃料电池堆密封物及其制备方法

    公开(公告)号:CN104505527B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201410648643.7

    申请日:2014-11-14

    Abstract: 本发明公开了一种中温平板式固体氧化物燃料电池堆密封物及其制备方法,该密封材料主要分为三层:两层玻璃基密封材料中间夹一层Al2O3基密封材料。玻璃基密封材料包括:BaO?B2O3?SiO2玻璃体系和质量百分比为1~5%的YSZ粉,Al2O3基密封材料包括:Al2O3和质量百分比为10~30%的Al粉。两种成分的密封材料通过流延成型制备成可压缩的复合密封材料,再经热压成型为三明治结构密封材料。按照本发明,结合玻璃基密封材料和Al2O3基密封材料各自优势,减少密封材料的漏气率,增加材料的力学性能,并以便于操作和加工的密封方式来实现有效的气体密封。

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