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公开(公告)号：CN102590559A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210026594.4
申请日：2012-02-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种纳米结构量子态电注入发光测试方法，涉及一种材料器件电光性能测试方法。提供一种可针对纳米结构中单一量子态进行电注入发光的高空间分辨率、高能量分辨率测试的纳米结构量子态电注入发光测试方法。以双扫描隧道探针、高移动精度的光纤、高分辨率扫描电子显微镜、样品台及光谱仪作为联合实验平台，采用双扫描隧道探针作为电注入端、探针与样品间所产生的隧道电流作为注入电流、光纤作为光信号收集端。选取待测微区，选取待测纳米结构，光纤定位，双探针定位，高能量分辨率电注入发光测试，高空间分辨率载流子选择性注入测试。
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公开(公告)号：CN100538349C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510078721.5
申请日：2005-06-03
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N23/227 , G01N1/34
Abstract: 纳米级高分辨应力测量方法，涉及一种应力测量方法，提供一种基于俄歇电子能谱仪，以电子作为测量的激发源，可获得高空间分辨的应力分布值的微区应力测量方法。其步骤为确定元素分析和零应力点，用俄歇能谱确定样品的化学元素成分和比例，并以样品的1个本质元素选择一个零应力点搜取其标准谱，作为应力零点标定；利用搜取的零应力点标准谱确定拟合参数得优化拟合理论俄歇谱；建立应力标定曲线后，根据确立的俄歇移动和应力的标定曲线得微区应力值。灵活性强，可根据样品需要建立特殊的模型进行计算，也可建立所有化合物元素的应力变化标定曲线的数据库。得到的空间分辨率和采用的俄歇电子能谱仪一致，可达到纳米量级。
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公开(公告)号：CN115172510B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202210803970.X
申请日：2022-07-07
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H04B13/02 , H01L31/0304 , H01L31/0264
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造技术领域，特别涉及一种水电解液的水下通信探测器及其制造方法，探测器包括主探测极板；光响应网络层，形成于所述主探测极板上；所述光响应网络层为复合纳米线组成的一维纳米网络，所述复合纳米线具有吸收外部光子以产生光生电子和光生空穴的功能；辅极板，通过外部电路与主探测极板电连接。本发明提供的探测器以具有光子吸收功能的复合纳米线构成一维光响应网络层，能够提供更大的固液反应界面以及为光生电子转移提供一维的转移通道，不仅能实现自供电，还能有效保护核芯材料；且直接采用水作为电解液，无需防水封装，就能够实现在深海水中长期稳定的循环工作。该器件响应时间短、响应度高，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115800802A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211426594.3
申请日：2022-11-15
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及医疗器械技术领域，特别涉及电子非亲和摩擦纳米发电机与心脏疾病检测仪及其制备方法。该发电机包括第一摩擦层、第二摩擦层、第一电极以及第二电极；其通过调节同种材料的成分，改变材料得失电子能力，第一摩擦层和第二摩擦层采用同一材料制成，且第一摩擦层和第二摩擦层采用的材料的成分不同，以使第一摩擦层和第二摩擦层的得失电子能力不同，从而实现电子非亲和摩擦纳米发电，利用其对压力的高灵敏性，以提取脉搏波的特征信号点，实现自供能的单点探测人体心率、舒张压和收缩压的功能；另外，其灵敏高，可以探测到脉搏波的细微变化，由于心脏疾病患者的脉搏波形和正常脉搏波形有所区别，其可应用于制备心脏疾病检测仪。
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公开(公告)号：CN113354026B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202110553313.X
申请日：2021-05-20
Applicant: 厦门大学
IPC: C02F1/32
Abstract: 本发明为一种非对称内嵌阻流阀结构，采用在流动水腔体内，内嵌非对称的阻流阀结构，通过对流体流线的回阻、湍流、封闭等控制，可有效达到整体降低腔体内流体流速、局部限制水体停留时间、出口加速等作用，并可实现深紫外高效流动水消杀器应用。实现了进出口流速较高的前提下，结构腔体内具有局部减速阻流，出口增速复流的功能。实施应用于深紫外LED高效消毒杀菌器的设计中，有效获得中低功率LED及可以实现较高的杀菌效率的效果，大肠杆菌和金黄色葡萄球菌杀菌率均超过99.99％，流量可大于6L/min。该发明在流体管道、阻流阀、过流式深紫外消毒器、饮用水实时消杀器等人民大健康相关领域具有巨大应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113502603A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110651892.1
申请日：2021-06-11
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及抗菌材料制备领域，特别涉及一种铜基纳米线抗菌材料的制备方法与应用以及抗菌熔喷布的制备方法。铜基纳米线抗菌材料的制备方法包括以下步骤：S100、以还原剂和铜金属无机盐为原料，在长链烷基胺溶剂体系下经溶剂热法制得纯铜纳米线；S200、取纯铜纳米线于亲水分散溶剂中，加入弱酸溶液进行酸洗；S300、取酸洗后的纯铜纳米线经液相氧化法或高温空气氧化法或CVD氧化法氧化制得氧化铜纳米线，即铜基纳米线抗菌材料。该铜基纳米线抗菌材料的氧化程度高、充分且均匀、氧化后纳米线仍保持细长状结构，杀菌效果好；且其在熔喷布上附着稳定性强，以使其应用于熔喷布时，杀菌效果显著且稳定持久。
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公开(公告)号：CN111029449A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911086642.7
申请日：2019-11-08
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种深紫外LED薄膜半导体器件结构及制作方法，包括：制作一凹槽形状图形化衬底，并生长由缓冲层、n型半导体层、发光活性层和p型半导体层构成的深紫外发光外延层，并在所述深紫外发光外延层上制作倒装芯片连接结构，键合到绝缘散热基板上，减薄衬底至凹槽底部开口露出部分缓冲层，形成倒装结构的薄膜芯片结构，利用衬底作为掩膜板，干蚀刻缓冲层至n型层，形成图形对应的空心柱结构。空心柱结构与图形化衬底对应，并形成光子晶体结构，提高了深紫外LED薄膜芯片的光取出效率和改善了芯片的散热效果。
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公开(公告)号：CN108963092B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201810186373.0
申请日：2018-03-07
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供一种LED器件及其制造方法，该LED器件为肖特基势垒的LED器件，二维材料作为势垒绝缘层，掺杂的二维半导体材料为有源层，这样，使得载流子可以在二维半导体材料的有源层发光，以此可以获得一种二维超薄柔性的LED器件，有助于提高器件的散热性、透光率以及使用寿命，提高LED器件的性能。
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公开(公告)号：CN109742184A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201811511371.0
申请日：2018-12-11
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明提供一种半导体包裹金属纳米线的制备方法，涉及一维核壳结构纳米材料。以水热法合成质量高的纯金属纳米线，将半导体(如AlN、InN、GaN、ZnO等)材料直接包裹于金属纳米线表面，形成核壳结构，从而在一维的单根纳米线上实现了金属-半导体接触。这种新型的核壳纳米材料结合了半导体与导体的特性，可以用于制作功能性异质结构的半导体器件，实现纳米线网络上的纳米器件，在光电信息领域可以得到广泛的应用。
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