一种氮掺杂多孔碳/MoS2钠离子电池负极材料及制备方法

    公开(公告)号:CN107359320B

    公开(公告)日:2020-03-24

    申请号:CN201710422073.3

    申请日:2017-06-07

    Applicant: 同济大学

    Inventor: 程传伟 任伟娜

    Abstract: 本发明涉及一种氮掺杂多孔碳/MoS2钠离子电池负极材料及制备方法,首先选用导电碳布材料作为柔性基底,利用溶液法在碳布上生长Co基金属有机框架(Co‑MOF)纳米墙阵列,随后在惰气体(Ar气氛)环境中高温处理得到金属Co与氮掺杂碳的混合材料,然后用酸性溶液将金属Co去除,得到多孔氮掺杂碳纳米墙阵列,最后利用水热法在其表面合成超薄MoS2纳米片,最终获得氮掺杂多孔碳/MoS2钠离子负极材料。与现有技术相比,本发明获得的多孔氮掺杂多孔碳纳米片阵列与超薄的MoS2纳米片复合电极材料具有优异的倍率性能和循环稳定性,其制备方法采用柔性碳布基底作为集流体,可弯曲、可折叠,无需任何粘结剂,机械力学性能好。

    一种量子点复合闪烁体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN106947468B

    公开(公告)日:2019-03-01

    申请号:CN201710146655.3

    申请日:2017-03-13

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种量子点复合闪烁体材料及其制备方法,包括有机塑料基质以及分散在有机塑料基质中的有机高原子序数材料、有机发光体及量子点发光材料,有机高原子序数材料的含量为1‑5wt%,有机发光体的含量为5‑15wt%,量子点发光材料的含量为10‑20wt%。与现有技术相比,本发明通过高原子序数材料的掺入实现了对高能光子阻止本领的提高,通过建立基质材料与量子点材料的能量传递过程,最终实现了量子点发光材料在辐射激发下的高闪烁效率。

    一种光子晶体塑料闪烁体的制备方法

    公开(公告)号:CN105425266B

    公开(公告)日:2018-08-28

    申请号:CN201510736521.8

    申请日:2015-11-03

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种光子晶体塑料闪烁体的制备方法,选取合适的压印模板和所需的塑料闪烁体;对模板进行防粘处理;利用进行过防粘处理的模板对塑料闪烁体进行热纳米压印;将压印处理后的模板与塑料闪烁体分离,从而获得与模板图形互补的光子晶体结构。与现有技术相比,本发明无须进行图形转移,避免了大多数光子晶体制备过程中光刻胶的旋涂和后续图形转移的复杂过程,使得整个制备过程大大简化。

    一种制备塑料闪烁体薄膜的方法

    公开(公告)号:CN108407171A

    公开(公告)日:2018-08-17

    申请号:CN201810054849.5

    申请日:2018-01-19

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种制备塑料闪烁体薄膜的方法,将塑料闪烁块体在室温条件下溶于甲苯中,搅拌至完全溶解并密封静置12-24小时;清洗基底;用提拉机将洗净的基底的一端夹住且保持竖直,同时将装有塑料闪烁体溶液的烧杯放在基底的正下方,让基底浸入溶液中进行浸渍,然后将基底慢速从溶液中提拉出来,待完全离开溶液后基底表面形成一层湿膜,保持基底静止不动挥发掉甲苯使薄膜初步固化,重复上述步骤将基底倾斜避光放置在干燥环境下3-4天,薄膜中的甲苯溶剂完全挥发后固化,将延薄膜边缘划出开口使薄膜与基底分离,制备得到塑料闪烁体薄膜。与现有技术相比,本发明可以制备自支撑厚度为10-200微米的塑料闪烁体薄膜。

    一种压印技术制备大面积光子晶体闪烁体的方法

    公开(公告)号:CN106527043B

    公开(公告)日:2018-07-03

    申请号:CN201611032018.5

    申请日:2016-11-22

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种压印技术制备大面积光子晶体闪烁体的方法,选取压印模板和所需的塑料闪烁体,对模板进行防粘处理,利用进行过防粘处理的模板对塑料闪烁体进行热纳米压印,将压印处理后的模板与塑料闪烁体分离,从而获得与模板图形互补的光子晶体结构,其中压印模板的尺寸大于400mm2,采用特定的加热加压的方式进行热纳米压印。与现有技术相比,本发明可以制备大面积的光子晶体塑料闪烁体,按照所述温度和压强参数可以获得足够深度的光子晶体结构,在制备过程中可以避免模板或样品的损坏。

    利用表面等离激元调控的方向性发射闪烁体

    公开(公告)号:CN105891870B

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201610202780.7

    申请日:2016-04-01

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及利用表面等离激元调控的方向性发射闪烁体,包括基底层、基底层上面布置的金属周期阵列结构和布置在金属周期阵列结构上的塑料闪烁体。与现有技术相比,本发明可以适用于更厚的样品,最大厚度可达3微米,这有利于发光强度的显著提高,系统应用中可以获得更高的灵敏度和信噪比,对于辐射探测应用具有重要意义。

    一种等离激元晶体调控的闪烁体器件

    公开(公告)号:CN106054229B

    公开(公告)日:2018-06-26

    申请号:CN201610338646.X

    申请日:2016-05-20

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种等离激元晶体调控的闪烁体器件,包括基底层、布置在基底层上的第一闪烁体层、布置在第一闪烁体层上的金属周期阵列层及布置在金属周期阵列层上的第二闪烁体层,金属周期阵列层由呈正方形或三角形结构周期分布的柱状金属单元组成。与现有技术相比,本发明将发光方向性的调控和衰减时间的缩短集中于一个闪烁器件,将在系统应用中同时获得探测效率和时间分辨能力的提高。

    一种用于闪烁探测的导模共振移波器件

    公开(公告)号:CN105204191B

    公开(公告)日:2018-04-03

    申请号:CN201510598647.3

    申请日:2015-09-18

    Applicant: 同济大学

    Abstract: 本发明涉及一种用于闪烁探测的导模共振移波器件,包括基底层和基底层上面布置的发光薄膜层,还包括布置在发光薄膜层上面的光子晶体层,光子晶体层由排列排列呈三角构型的周期阵列的介质柱构成,介质柱垂直布置于发光薄膜层上表面,介质柱的材料对发光薄膜层发射的光透明。与现有技术相比,本发明具有高的转换效率和时间分辨能力,又具有高度的光发射方向调控能力,能够提高对紫外等闪烁荧光的探测效率。

    一种原子层沉积反应装置及通孔材料表面薄膜沉积工艺

    公开(公告)号:CN107022753A

    公开(公告)日:2017-08-08

    申请号:CN201710256523.6

    申请日:2017-04-19

    Applicant: 同济大学

    Inventor: 程传伟 张海峰

    Abstract: 本发明涉及本发明提供一种原子层沉积反应腔体设计装置以及针对超高深宽比通孔材料表面均匀镀膜工艺,其中,原子层沉积反应腔体设计装置包括:进气系统、排气系统、上反应腔、下反应腔、基板;其中,基板位于上反应腔内,进气系统用于提供所需反应前驱体和净化气体,反应前驱体和净化气体进入所述上反应腔,排气系统用于清除多余反应前驱体和净化气体,经所述下反应腔排除。本发明可以解决超高深宽比通孔材料内部表面无法均匀沉积镀膜问题。

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