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公开(公告)号：CN111223922A
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN202010025949.2
申请日：2020-01-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/10
Abstract: 一种绝缘栅双极晶体管，包括栅极、集电极、两个发射极和环形N型掺杂埋层，其中：两个发射极均分别位于对应的N+发射极区和部分p型base区上，而所述p型base区位于N型轻掺杂漂移层内，两个所述N+发射极区位于p型base区内；环形N型掺杂埋层，在p型base区内环绕N+发射极区，一端与沟道相接，另一端与表面处层间介质相接，将所述p型base区物理分割为p型base1区和p型base2区。本发明可以有效阻挡空穴电流流经N+发射极下方区域，但对沿着沟道运动的电子不产生影响，从而将电子电流和空穴电流分离，极大减小了流经N+发射极下方的电流，抑制了p-base基区/N+发射极结的正偏，显著提高了器件的抗闩锁特性，提升了器件的坚固性。
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公开(公告)号：CN110828538A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810894043.7
申请日：2018-08-07
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/06 , H01L21/331 , H01L29/73
Abstract: 本发明公开了一种双极晶体管，包括：按自下而上的顺序依次设置的集电极、N+衬底、N-集电区、P+基区；设置于所述P+基区上的P-基区，所述P-基区裸露出P+基区的延伸部分，所述延伸部分包括基极接触区和终端区，其中，所述基极接触区上设置有基极，所述终端区包括间隔设置的多个场限环，相邻场限环之间由凹槽分隔开；设置于所述P-基区上的N+发射区；以及设置于所述N+发射区上的发射极。
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公开(公告)号：CN109283298B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201811349529.9
申请日：2018-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01N33/00
Abstract: 一种SiC氧化中SiC‑SiO2界面碳残留浓度的测定方法，包括：提供一个包含SiC‑SiO2界面的碳化硅衬底，所述包含SiC‑SiO2界面的碳化硅衬底由SiC氧化获得；利用离子注入向所述碳化硅衬底内注入18O同位素，18O同位素与SiC‑SiO2界面碳生成一氧化碳C18O；加热所述碳化硅衬底使一氧化碳C18O脱附；收集脱附出来的一氧化碳C18O，并检测其质量；根据一氧化碳C18O的质量计算SiC‑SiO2界面碳残留浓度。本发明的方法操作简单，准确度高，适用于通过各种方法氧化SiC衬底得到的SiC‑SiO2界面碳残留，通过筛选合格碳残留浓度的SiC衬底，可以提高产品的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN108770175B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201810521241.9
申请日：2018-05-25
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H05H1/46
Abstract: 一种用于微波等离子体发生装置的微孔/微纳结构双耦合谐振腔，包括一圆柱形腔体，所述圆柱形腔体的周壁上均匀分布由多个微孔形成的微孔阵列，所述微孔的直径是波长的奇数倍，所述腔体的内壁上具有金属微纳结构，所述微孔阵列与金属微纳结构形成双耦合结构从而实现谐振增强和可调，所述金属微纳结构的周期尺寸为λ/n，λ为入射波长，n为谐振腔材料的折射率。本发明通过优化设计双耦合谐振方式，来减少引导模和泄漏模的损耗，达到在固定区域谐振最大程度增强的目的，并能提高等离子体的均匀性，保证光耦合和场空间局域增强特性的前提下，可改善吸收损耗问题，另外多个谐振腔独立控制，可以有效控制等离子体的温度。
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公开(公告)号：CN109922590A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910189810.9
申请日：2019-03-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种原子态等离子体的形成及维持方法及半导体材料的等离子体处理方法。该方法包括以下步骤：S1，通过微波能量耦合待激发气体，以激发产生等离子体火球；S2，对等离子体火球产生气体扰动，使至少部分等离子体维持在原子态，以调控原子态等离子体与分子态等离子体的激发比例。上述方法中通过微波能量耦合待激发气体以激发产生等离子体火球，然后对等离子体火球产生气体扰动，使至少部分等离子体维持在原子态，实现了对原子态等离子体与分子态等离子体激发比例的调控，具有非常广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109768091A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910192344.X
申请日：2019-03-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种双沟槽SS-SiC MOSFET结构，包括：一碳化硅衬底；依次堆叠在衬底之上的一碳化硅N型电子漂移外延层、一碳化硅N型电流扩展外延层、一碳化硅P型基区层、一碳化硅N型重掺杂层、两个对称分布、从碳化硅N型重掺杂层顶部延伸到碳化硅N型电流扩展外延层中的碳化硅源极P型重掺杂离子注入区；两个在碳化硅源极P型重掺杂离子注入区内的源极沟槽；一位于中心的栅极沟槽；一位于栅极沟槽下的P型遮蔽区；一包覆栅极沟槽的二氧化硅层；一栅极多晶硅层。本发明提出的双沟槽SS-SiC MOSFET结构，通过短P型遮蔽区和浅源极沟槽的设计，可以实现在不损失器件的耐压能力的同时，提高器件的电流能力。
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公开(公告)号：CN109671799A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811578851.9
申请日：2018-12-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/118 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1185 , H01L31/022416 , H01L31/18 , H01L31/1804
Abstract: 本发明公开了一种漂移探测器及其制作方法，其中，漂移探测器，包括：高阻N型衬底、P型半导体薄膜、N型半导体薄膜、金属电极层和隔离层，其中，P型半导体薄膜与高阻N型衬底构成PN结，或者P型半导体薄膜中的P型掺杂剂扩散到N型衬底中构成PN结，PN结形成：漂移电极、第一保护环、第二保护环和入射窗口；N型半导体薄膜与高阻N型衬底构成高低结，或者N型半导体薄膜中的N型掺杂剂扩散到N型衬底中构成高低结，高低结形成：阳极、第一接地电极和第二接地电极；以及第二P型半导体薄膜，用来形成分压器。该漂移探测器实现大面积、低噪声、能量分辨率高，且具有简单的制作工艺，可进行大批量制造。
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公开(公告)号：CN109671797A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811579268.X
申请日：2018-12-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/115 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开了一种漂移探测器及其制作方法，该漂移探测器包括：第一导电半导体衬底、隧穿氧化层、第二导电半导体层、第三导电半导体层、金属电极层和隔离层；其中，第二导电半导体层与第一导电半导体衬底的导电类型相反，第三导电半导体层与第一导电半导体衬底的导电类型相同，第二导电半导体层、位于其下方的隧穿氧化层和第一导电半导体衬底共同构成PN结，该PN结形成：漂移电极、第一保护环、入射窗口和第二保护环；第三导电半导体层、位于其下方的隧穿氧化层和第一导电半导体衬底共同构成高低结，该高低结形成：阳极、第一接地电极和第二接地电极。该漂移探测器实现大面积、低噪声、能量分辨率高，且具有简单的制作工艺，可进行大批量制造。
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公开(公告)号：CN109494147A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811349424.3
申请日：2018-11-13
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种基于交流电压下微波等离子体的碳化硅氧化方法，包括：步骤一、提供碳化硅衬底，将碳化硅衬底放置在微波等离子体发生装置中；步骤二、加入含氧气体，在交流电压下产生氧等离子体；步骤三、通过所述交流电压控制所述氧等离子体中的氧离子与电子的运动，在所述碳化硅衬底上生成预定厚度的氧化层，其中，碳化硅衬底电压为负时，氧离子靠近界面与碳化硅发生氧化反应，碳化硅衬底电压为正时，电子靠近界面与碳化硅发生还原反应，将碳残留去除；步骤四、停止通入含氧气体，反应结束。本发明可以实现对碳化硅氧化层的实时修复，有效减小碳残留，改善界面质量，减小氧化层中的缺陷中心对载流子的散射作用。
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公开(公告)号：CN109341880A
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201811156415.2
申请日：2018-09-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种环形温度传感器，用于测量晶体管的温度，包括：按由内而外顺序依次设置在所述晶体管的有源区的环形P型重掺杂区、环形N型重掺杂区、环形阳极、环形N阱区以及环形P阱区；以及环形阴极，所述环形阴极设置在所述环形N型重掺杂区；其中，所述环形阴极与所述晶体管的源极短路设置。
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