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公开(公告)号：CN103547451A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280024907.0
申请日：2012-05-22
Inventor： 加藤裕介 , 小岛正宽 , 向井竜太郎 , 日下部正人 , 荻野弘幸 , 菊池刚 , 伊藤卓 , 奥聪志 , 胁晶子 , 井上志保 , 室屋佑二 , 胁宪尚 , 田中康行 , 井深重夫 , 下井田良雄
IPC: B32B27/18 , B32B27/00 , C08K3/04 , C08L45/00 , C08L65/00 , H01M2/10 , H01M4/66 , H01M10/0525 , H01M10/0585
CPC classification number: H01M4/668 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/281 , B32B27/325 , B32B2264/10 , B32B2264/105 , B32B2307/202 , B32B2307/206 , B32B2457/10 , C08G2261/3324 , C08G2261/418 , C08J7/047 , C08J2379/08 , C08J2465/00 , C08K3/04 , C08K2201/001 , H01M4/661 , H01M4/663 , H01M4/666 , H01M4/667 , H01M10/0525 , H01M2004/029 , Y02E60/122 , C08L65/00
Abstract: 本发明提供多层导电膜，其具有层1和层2，所述层1由包含具有脂环族结构的高分子材料1以及导电性粒子1的导电性材料形成，所述层2由对正极电位具有耐久性的材料形成，所述多层导电膜具有相对于负极的平衡电位环境的稳定性以及相对于正极的平衡电位的稳定性，且厚度方向每单位面积的电阻低，此外，其对电解液的溶剂的阻断性优异，若将所述多层导电膜用作集电体，可获得兼具轻量化及耐久性的电池。
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公开(公告)号：CN101836323B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200880113058.X
申请日：2008-10-20
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01M10/40
CPC classification number: H01M10/044 , H01M2/1673 , H01M2/1686 , H01M4/13 , H01M4/139 , H01M2300/0085 , Y10T29/49108 , Y10T29/4911 , Y10T29/49115
Abstract: 当制造双极型电池时，首先制备双极型电极和隔离体。然后，向正极和负极中的一个电极(例如，正极)涂敷使得在该一个电极的表面上露出的量的电解质。之后，在涂敷有电解质的该一个电极的表面上配置隔离体，由此形成子组单元。之后，层叠多个子组单元，并且使涂敷至该一个电极的电解质通过隔离体渗透到另一个电极，由此形成组合单元。
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公开(公告)号：CN101055894B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200710090575.7
申请日：2007-04-11
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L29/24 , H01L29/78 , H01L21/329 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7808 , H01L29/0619 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/6606 , H01L29/7802 , H01L29/7811 , H01L29/7828 , H01L29/8083 , H01L29/861 , H01L29/8618 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。将第二半导体区的杂质浓度设置为当对由第一半导体区和第二半导体区构成的异质结二极管施加预定反向偏压时，至少在异质结二极管的外周端以外的异质结区中的击穿电压是半导体装置的击穿电压。
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公开(公告)号：CN102257668A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980151668.3
申请日：2009-12-15
Applicant: 日产自动车株式会社
CPC classification number: H01M10/441 , H01M10/482 , H02J7/0016
Abstract: 提供了一种轻量化和低成本化的二次电池系统，该二次电池系统包括串联连接的多个二次电池。多个第一二极管的阳极分别与相应二次电池的负电极相连接。多个第二二极管的阴极分别与相应二次电池的正电极相连接。多个电容器各自连接至第一二极管的阴极和第二二极管的阳极之间的连接部。交流电源通过这些电容器与这些连接部均相连接。
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公开(公告)号：CN101083280B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200610083496.9
申请日：2006-06-01
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/02 , H01L21/336 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。该半导体装置包括：第一导电类型的半导体基底；以及开关机构，其形成在所述半导体基底的第一主表面上，并切换电流的导通/关断。在半导体基底中，多个柱形异质半导体区间隔开地形成在半导体基底内，该异质半导体区由具有带隙与半导体基底的带隙不同的半导体材料制成，并在第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面之间延伸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101064344B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200710097691.1
申请日：2007-04-28
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/1608 , H01L29/267 , H01L29/4916 , H01L29/66068 , H01L29/7828
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置设置有：预定导电类型的半导体衬底；异质半导体区，其与半导体衬底的第一主表面接触，该异质半导体区包括能带隙与半导体衬底的能带隙不同的半导体材料；栅极，在与异质半导体区和半导体衬底之间的接合区接近的位置处通过栅绝缘层形成栅极；源极，其连接到异质半导体区；以及漏极，其连接到半导体衬底，其中，异质半导体区包括与源极接触的接触部分，该接触部分的至少一部分区域的导电类型与半导体衬底的导电类型相同，该一部分区域的杂质浓度高于异质半导体区中被布置为通过栅绝缘层面对栅极的栅极面对部分的至少一部分区域的杂质浓度。
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公开(公告)号：CN101425600A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810171274.1
申请日：2008-10-30
Applicant: 日产自动车株式会社
CPC classification number: Y02E60/122 , Y02T10/7011
Abstract: 本发明提供双极型二次电池、连接多个双极型二次电池而成的电池组以及安装有这些电池的车辆。可以防止层叠了的双极型电池层叠体相互之间、双极型电池层叠体与电极引板之间产生错位。在位于双极型电池层叠体(40)的层叠方向两端的集电体与电极引板(50、60)相抵接的粘接面的一部分上形成有粘接部(90)，利用该粘接部固定电极引板和集电体。另外，在相邻的双极型电池层叠体(40)相抵接的粘接面的一部分上形成有粘接部(90)，利用该粘接部固定位于层叠方向上下的双极型电池和双极型电池。
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公开(公告)号：CN101312241A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200810100110.X
申请日：2008-05-22
Applicant: 日产自动车株式会社
CPC classification number: H01M10/0585 , H01M2/266 , H01M10/0413 , H01M10/0463 , H01M10/0525 , Y02E60/122 , Y02T10/7011
Abstract: 二次电池及安装有该二次电池的车辆。本公开讨论了具有优异的耐久性的二次电池以及被构造成安装有该二次电池的车辆。该二次电池包括以下电极构造体：在具有电绝缘性的基体材料层的一个侧面形成阴极，在基体材料层的另一侧面形成阳极。在将电解质层置于多个电极构造体的两两之间使得相邻的电极构造体的阴极和阳极位于电解质层的相反侧上的状态下堆叠多个电极构造体。
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公开(公告)号：CN101064344A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710097691.1
申请日：2007-04-28
Applicant: 日产自动车株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0847 , H01L29/1033 , H01L29/1608 , H01L29/267 , H01L29/4916 , H01L29/66068 , H01L29/7828
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置设置有：预定导电类型的半导体衬底；异质半导体区，其与半导体衬底的第一主表面接触，该异质半导体区包括能带隙与半导体衬底的能带隙不同的半导体材料；栅极，在与异质半导体区和半导体衬底之间的接合区接近的位置处通过栅绝缘层形成栅极；源极，其连接到异质半导体区；以及漏极，其连接到半导体衬底，其中，异质半导体区包括与源极接触的接触部分，该接触部分的至少一部分区域的导电类型与半导体衬底的导电类型相同，该一部分区域的杂质浓度高于异质半导体区中被布置为通过栅绝缘层面对栅极的栅极面对部分的至少一部分区域的杂质浓度。
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