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公开(公告)号：CN103843146A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201280047630.3
申请日：2012-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78693 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/7869
Abstract: 包括氧化物半导体膜的半导体器件中的导通态电流的降低得到抑制。一种晶体管，包括：氧化物半导体膜；绝缘膜，包含氧和硅；栅电极，与氧化物半导体膜相邻，氧化物半导体膜设置成与绝缘膜相接触并且至少与栅电极重叠；以及源电极和漏电极，电连接到氧化物半导体膜。在氧化物半导体膜中，第一区域(其设置成接触与绝缘膜的界面并且具有小于或等于5nm的厚度)具有低于或等于1.0at.%的硅浓度，以及氧化物半导体膜中与第一区域不同的区域具有比第一区域低的硅浓度。
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公开(公告)号：CN103339715A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN201180066610.6
申请日：2011-11-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/363 , C01G15/00 , C23C14/08 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L29/045 , H01L29/1033 , H01L29/247 , H01L29/7869 , H01L29/78693
Abstract: 本发明提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。
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公开(公告)号：CN117690977A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311531376.0
申请日：2018-08-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L29/49
Abstract: 本发明提供了半导体装置，其包括：第一绝缘体；第二绝缘体；氧化物；第一及第二导电体；氧化物、第一及第二导电体上的第三绝缘体；第三绝缘体上且至少一部分与第一和第二导电体之间的区域重叠的第三导电体；覆盖氧化物、第一、第二、第三导电体及第三绝缘体的第四绝缘体；第四绝缘体上的第五绝缘体；第五绝缘体上的第六绝缘体；第七绝缘体；和第八绝缘体，其中第七绝缘体与第一导电体的上表面、第四绝缘体的底面、第一导电体的侧面及氧化物的第一侧面接触，第八绝缘体与第二导电体的上表面、第四绝缘体的底面、第二导电体的侧面及氧化物的第二侧面接触，第四绝缘体的一部分中形成到达第二绝缘体的开口，且第五绝缘体通过该开口与第二绝缘体接触。
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公开(公告)号：CN107068766B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201710111075.0
申请日：2012-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 半导体装置包括栅电极、覆盖栅电极并包含含有硅的氧化物的栅极绝缘膜、以与栅极绝缘膜接触并至少与栅电极重叠的方式设置的氧化物半导体膜、以及与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极。在氧化物半导体膜中，以与栅极绝缘膜接触且厚度为5nm以下的方式设置的第一区域具有1.0at.％以下的硅浓度，并且第一区域之外的氧化物半导体膜中的区域具有比第一区域低的硅浓度。至少第一区域包括结晶部。
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公开(公告)号：CN106847929B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201710111162.6
申请日：2012-09-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 半导体装置包括栅电极、覆盖栅电极并包含含有硅的氧化物的栅极绝缘膜、以与栅极绝缘膜接触并至少与栅电极重叠的方式设置的氧化物半导体膜、以及与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极。在氧化物半导体膜中，以与栅极绝缘膜接触且厚度为5nm以下的方式设置的第一区域具有1.0at.％以下的硅浓度，并且第一区域之外的氧化物半导体膜中的区域具有比第一区域低的硅浓度。至少第一区域包括结晶部。
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公开(公告)号：CN111033702A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880054552.7
申请日：2018-08-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L27/11519 , H01L27/1156 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/363 , H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: 提供一种可靠性良好的半导体装置。该半导体装置包括第一绝缘体、配置在第一绝缘体上的第二绝缘体、配置在第二绝缘体上的氧化物、在氧化物上彼此分开地配置的第一导电体及第二导电体、配置在氧化物、第一导电体及第二导电体上的第三绝缘体、配置在第三绝缘体上且以其至少一部分与第一导电体和第二导电体之间的区域重叠的方式配置的第三导电体、以覆盖氧化物、第一导电体、第二导电体、第三绝缘体及第三导电体的方式配置的第四绝缘体、配置在第四绝缘体上的第五绝缘体以及配置在第五绝缘体上的第六绝缘体，在第四绝缘体的至少一部分中形成到达第二绝缘体的开口，第五绝缘体通过开口与第二绝缘体接触，第一绝缘体、第四绝缘体及第六绝缘体的氧透过性比第二绝缘体低。
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公开(公告)号：CN110071219A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201811630083.7
申请日：2014-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及发光元件、发光装置。所述发光元件为一对电极之间包括发射荧光的第一发光层及发射磷光的第二发光层的叠层。第二发光层包括形成激基复合物的第一层、形成激基复合物的第二层以及形成激基复合物的第三层。第二层位于第一层上，而第三层位于第二层上。第二层的发射峰波长长于第一层的发射峰波长及第三层的发射峰波。
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公开(公告)号：CN105981191B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201480065826.4
申请日：2014-11-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本发明涉及发光元件、发光装置、电子设备以及照明装置。所述发光元件为一对电极之间包括发射荧光的第一发光层及发射磷光的第二发光层的叠层。第二发光层包括形成激基复合物的第一层、形成激基复合物的第二层以及形成激基复合物的第三层。第二层位于第一层上，而第三层位于第二层上。第二层的发射峰波长长于第一层的发射峰波长及第三层的发射峰波。
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公开(公告)号：CN107068765A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611144591.5
申请日：2012-10-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
Abstract: 降低包含在栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜中的杂质元素的浓度。另外，提高栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜的结晶性。一种半导体装置包括：在基底绝缘膜上的氧化物半导体膜；在氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在氧化物半导体膜上的包含硅氧化物的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的栅电极。氧化物半导体膜包括硅浓度为1.0at.％以下的区域，并且，至少在区域内包括结晶部。
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公开(公告)号：CN104025301B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201280050475.0
申请日：2012-10-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/477 , H01L21/8242 , H01L21/8244 , H01L27/108 , H01L27/11 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/42384 , H01L29/78693
Abstract: 降低包含在栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜中的杂质元素的浓度。另外，提高栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜的结晶性。一种半导体装置包括：在基底绝缘膜上的氧化物半导体膜；在氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在氧化物半导体膜上的包含硅氧化物的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的栅电极。氧化物半导体膜包括硅浓度为1.0at.％以下的区域，并且，至少在区域内包括结晶部。
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