公开(公告)号：CN100500610C

公开(公告)日：2009-06-17

申请号：CN200580032693.1

申请日：2005-06-28

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 加藤成 ,  中村友幸 ,  武藤和夫 ,  笹林武久 ,  佐野晴信

IPC: C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/4682 ,  B32B2311/12 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/6303 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/365 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/407 ,  H01G4/1227

Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷、电介质陶瓷的制备方法以及叠层陶瓷电容器。其中，本发明的电介质陶瓷以(Ba、Ca)(Ti、X)O3(其中X表示比Ti的价数高的元素)为主成分，所含有的第一～第三添加成分相对于主成分100摩尔分别为0.1～4.0摩尔。第一添加成分为规定的稀土类元素，第二添加成分是价数比Ti低的规定元素，第三添加成分由含有Si的烧结助剂构成。对于主成分粒子1中的90%以上而言，表示各添加成分2向主成分粒子1中的固溶状态的固溶率的总计按截面积比计为10%以下。Ca的配合摩尔比为0～0.20(优选0.02～0.20)，B位置中的元素X的配合摩尔比y为0.0001～0.005。由此，即使电介质层薄层化至1～3μm程度，也能够得到具有高介电常数，在不损害静电电容的温度特性的前提下能够获得良好的绝缘性及高温负载寿命。

公开(公告)号：CN100419923C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200410008201.2

申请日：2004-03-01

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中村友幸 ,  加藤成 ,  武藤和夫 ,  佐野晴信

IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  C04B35/00 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/30 ,  H01G4/1227 ,  Y10T29/43

Abstract: 本发明提供了一种在还原性气氛中经过焙烧而形成的介电陶瓷。通过使用上述的介电陶瓷而形成的多层陶瓷电容器，甚至当从那里形成的介电陶瓷层的厚度减小时，也具有优良的可靠性。该介电陶瓷具有晶粒；和位于晶粒之间的晶粒间界和三相点。晶粒包括：由ABO3(其中A是Ba和Ca，或Ba、Ca和Sr；B是Ti，或者Ti和其被Zr和Hf中的至少一种所代替的一部分)表示的钙钛矿化合物组成的钙钛矿晶粒，和由包括至少Ba，Ti和Si的晶体氧化物所组成的晶体氧化物晶粒，约有80%或更多数量的三相点的截面面积各自为约8nm2或更小。

公开(公告)号：CN101006027A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200580028204.5

申请日：2005-06-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 武藤和夫 ,  中村友幸 ,  加藤成 ,  佐野晴信 ,  笹林武久 ,  平松隆

IPC: C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/49 ,  B32B2311/12 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/6303 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/3291 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/348 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/407 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 构成陶瓷烧坯的介电陶瓷具有通式100(Ba1－x－ySrxCay)m(Ti1－zZrz)O3＋aBaO＋bR2O3+cMgO＋dMnO＋eCuO+fV2O5＋gXuOv(式中，R是特定的稀土元素比如La、Ce或Pr；而XuOv是至少含有Si的氧化物组)所示的组成；并且0≤x≤0.05，0≤y≤0.08(优选0.02≤y≤0.08)，0≤z≤0.05，0.990≤m，100.2≤(100m+a)≤102，0.05≤b≤0.5，0.05≤c≤2，0.05≤d≤1.3，0.1≤e≤1.0，0.02≤f≤0.15和0.2≤g≤2。使用这种组成，可以制备这样的一种单片陶瓷电容器：即使在因其介电层被进一步变薄而导致被施加高电场强度的电压时，也保持良好的介电特性和温度特性，并且在实现良好的绝缘性质、介电强度和高温负载寿命上具有优异的可靠性。

公开(公告)号：CN1890196A

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200480036525.5

申请日：2004-12-10

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 田村浩 ,  佐野晴信

IPC: C04B35/20

CPC classification number: C04B35/20 ,  B32B2311/09 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2237/341 ,  C04B2237/408 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/30

Abstract: 专利文献1的用于高频的介电陶瓷组合物具有1350℃～1400℃之高的焙烧温度，因为过分高的焙烧温度，所以不适合用作多层电容器的材料。专利文献2的多层电容器需要复杂费时的制备方法，由于粘合层和陶瓷层之间的热收缩系数差，所以产生结构缺陷，从而存在多层陶瓷电容器小型化和多层化的困难。本发明的介电陶瓷组合物由通式MgxSiO2+x+aSryTiO2+y表示，其中x、y和a分别满足关系式：1.70≤x≤1.99、0.98≤y≤1.02和0.05≤a≤0.40。

公开(公告)号：CN1167082C

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN00121712.7

申请日：2000-07-19

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 冈松俊宏 ,  中村友幸 ,  堀宪治 ,  畠宏太郎 ,  佐野晴信

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/4682 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种介电陶瓷组合物，包括含钛酸钡BamTiO3主要组分，RO3/2、CaO、MgO和SiO2次要组分的复合氧化物，R是至少一种选自Y、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm和Yb的元素；该复合氧化物满足关系100BamTiO3+aRO3/2+bCaO+cMgO+dSiO2，以摩尔计0.990≤m≤1.030，0.5≤a≤6.0，0.10≤b≤5.00，0.010≤c＜0.900，0.05≤d＜1.50。该介电陶瓷组合物的静电容量与温度关系满足JIS和EIA标准，具有大的CR乘积。含有这种组合物组成的介电陶瓷层的单块陶瓷电容器具有高的可靠性。

公开(公告)号：CN1527331A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200410008201.2

申请日：2004-03-01

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中村友幸 ,  加藤成 ,  武藤和夫 ,  佐野晴信

IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  C04B35/00 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/30 ,  H01G4/1227 ,  Y10T29/43

Abstract: 本发明提供了一种在还原性气氛中经过焙烧而形成的介电陶瓷。通过使用上述的介电陶瓷而形成的多层陶瓷电容器，甚至当从那里形成的介电陶瓷层的厚度减小时，也具有优良的可靠性。该介电陶瓷具有晶粒；和位于晶粒之间的晶粒间界和三相点。晶粒包括：由ABO3(其中A是Ba和Ca，或Ba、Ca和Sr；B是Ti，或者Ti和其被Zr和Hf中的至少一种所代替的一部分)表示的钙钛矿化合物组成的钙钛矿晶粒，和由包括至少Ba，Ti和Si的晶体氧化物所组成的晶体氧化物晶粒，约有80％或更多数量的三相点的截面面积各自为约8nm2或更小。

公开(公告)号：CN1155028C

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN98103966.9

申请日：1998-01-08

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 和田博之 ,  佐野晴信

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/005 ,  H01G4/30 ,  H01B3/12 ,  C04B35/468

CPC classification number: H01G4/1227 ,  H01G4/232

Abstract: 一种由多个介电陶瓷层、位于介电陶瓷层之间的内部电极和在介电陶瓷层的侧面形成的外部电极(从而，它们连接到交互的内部电极)层叠而成的独石瓷介电容器，其中介电陶瓷层由以下公式所示主要组分的材料所构成：(1-α-β-γ){BaO}m·TiO2+αM2O3+βRe2O3+γ(Mn1-x-yNixCoy)O(这里，M2O3是Sc2O3和Y2O3中的至少一种；Re2O3是Sm2O3和Eu2O3中的至少一种；0.0025≤α+β≤0.025，0.0005≤β≤0.0075，0.0025≤γ≤0.05，1≤γ/(α+β)≤4，0≤x≤0.3，0≤y≤0.4，0≤x+y≤0.4，以及1.005≤m≤1.035)，还包含一定数量的MgO和SiO2作为次要组分。

公开(公告)号：CN1118444C

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN99120872.2

申请日：1999-09-28

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中村友幸 ,  水埜嗣伸 ,  佐野晴信

IPC: C04B35/462 ,  H01B3/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12

CPC classification number: C04B35/4682 ,  H01G4/1227

Abstract: 本发明提供一种介电陶瓷组合物，其烧制温度为1300℃或更低；介电常数为200或更高；在高频高压交流电下损耗低，在高电场强度下具有高的绝缘电阻，其性能满足B级和X7R级性能标准；且在高温负荷试验中具有优异的性能。该组合物含有钛酸钡固溶体和多种添加剂，可由式ABO3+aR+bM表示，其中ABO3代表具有钙钛矿结构的钛酸钡固溶体；R代表至少一种金属元素的氧化物；M代表至少另一种金属元素的氧化物；a和b分别代表单一金属氧化物的摩尔比，以及一种烧结添加剂，其中0.950≤A/B(摩尔比)≤1.050，0.12＜a≤0.30，0.04≤b≤0.30。

公开(公告)号：CN1411003A

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN02143985.0

申请日：2002-09-30

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 中村有幸 ,  清水基尋 ,  佐野晴信

IPC: H01B1/16 ,  H01G4/008 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/008 ,  B32B18/00 ,  B32B2311/08 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/49 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/63 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9615 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/408 ,  C04B2237/704 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明揭示一种导电糊、迭层陶瓷电子器件的制造方法及迭层陶瓷电子器件。在导电糊中加上导电金属粉及有机赋形剂，使其含有陶瓷粉。陶瓷粉为Re(La等)、包括Mg及Mn的化合物的至少一种、并且焙烧过的ABO3系(A为Ba等、B为Ti等)的粉末，具有比金属粉更小的平均粒径，并且是在构成陶瓷层的基体用陶瓷的烧结温度下不烧结的粉末。在迭层陶瓷电容器中，为了不易因烧结时的陶瓷层和内部导体膜间的收缩行为之差别引起产生裂缝等缺陷，所以，在让内部导体膜用的导电糊含有陶瓷粉之同时，做成使得该陶瓷粉不会给陶瓷层的电气特性带来不良影响。

公开(公告)号：CN1085636C

公开(公告)日：2002-05-29

申请号：CN97113832.X

申请日：1997-06-20

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 佐野晴信 ,  和田博之 ,  浜地幸生

IPC: C04B35/468 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1227

Abstract: 本发明揭示了一种介电陶瓷组合物和使用该组合物的叠层陶瓷电容器。该组合物含有：钛酸钡；至少一种选自氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒和氧化镱的稀土氧化物；氧化锰和氧化镍；并相对于100摩尔具有下列组成式的主要组分，含有0.5至3.0摩尔(以MgO计)氧化镁，和0.2至5.0摩尔(以SiO2计)氧化硅作为次要组分：(1-α-β){BaO}m·TiO2+αRe2O3+β(Mn1-xNix)O其中Re2O3是选自Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3和Yb2O3中的至少一种；α、β、m和x如下所述：0.0025≤α≤0.020 0.0025≤β≤0.04 β/α≤4 0≤x＜1.0 1.000＜m≤1.035。