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公开(公告)号:CN111584355A
公开(公告)日:2020-08-25
申请号:CN202010459673.9
申请日:2015-04-17
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/306 , H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/321 , H01L21/3213 , H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683 , B24B37/04 , B24B37/20
Abstract: 本发明是改善使用CARE法的基板处理装置。一种基板处理装置,用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而研磨基板的被处理区域,具备:基板保持部,被构成为保持基板;催化剂保持部,被构成为保持催化剂;以及驱动部,被构成为在基板的被处理区域与催化剂接触的状态下,使基板保持部与催化剂保持部相对移动。催化剂比基板小。
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公开(公告)号:CN104275642A
公开(公告)日:2015-01-14
申请号:CN201410330519.6
申请日:2014-07-11
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/04 , B24B49/12 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/013 , G01B11/0625 , G01B11/0683 , G01B11/0691
Abstract: 一种研磨装置,具有:对处于静止状态的基板的膜厚进行测量的在线型膜厚测量器(80);以及具有配置在研磨台(30A)内的膜厚传感器(40)的原位分光式膜厚监视器(39)。原位分光式膜厚监视器(39),从研磨基板前由在线型膜厚测量器(80)取得的初期膜厚中,减去研磨基板前由原位分光式膜厚监视器(39)取得的初期膜厚,由此确定补正值,对研磨基板中取得的膜厚加上补正值,由此取得监视膜厚,基于监视膜厚而监视基板的研磨进度。采用本发明,研磨装置能实现高精度的精加工性能。
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公开(公告)号:CN102398210A8
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201110324900.8
申请日:2011-09-08
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 研磨装置,具有:使研磨工作台旋转的工作台旋转电动机;使顶环旋转的顶环旋转电动机;对研磨垫进行修整的修整器;测量研磨垫的高度的垫高测量器;和诊断部,根据研磨垫的高度计算研磨垫的损耗量,并根据研磨垫的损耗量、工作台旋转电动机的转矩或电流、和顶环旋转电动机的转矩或电流,确定研磨垫(22)的寿命。
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公开(公告)号:CN301728539S
公开(公告)日:2011-11-16
申请号:CN201130019362.2
申请日:2011-01-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 1.该外观设计产品的名称:半导体晶片研磨用弹性膜,也称作膜片;2.该半导体晶片研磨用弹性膜的用途:在半导体等的制造中的晶片研磨工序中,安装在研磨装置的基板保持环内侧;3.该半导体晶片研磨用弹性膜的设计要点:请参考各个视图所示的形状;4.最能表明设计要点的图片或者照片:设计2的B部放大图;5.本申请包含同一产品“半导体晶片研磨用弹性膜”的2项相似外观设计,其中设计2为基本设计;6.在各设计中,由于仰视图与俯视图对称,且左视图与右视图对称,因此省略仰视图和左视图。
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公开(公告)号:CN301348232S
公开(公告)日:2010-09-15
申请号:CN201030113726.9
申请日:2010-02-26
Applicant: 株式会社荏原制作所
Abstract: 该外观设计产品的名称为半导体晶片研磨装置用弹性膜。该半导体晶片研磨装置用弹性膜也称作膜片,其用途为:在半导体等的制造中的晶片研磨工序中,安装在研磨装置的基板保持环内侧,从装置侧向本物品的侧面侧供给空气等气体,使膜面朝正面侧膨胀,将配置于正面侧的晶片的一面向研磨垫推压。该半导体晶片研磨装置用弹性膜的设计要点请参考各个视图所示的形状。最能表明设计要点的图片或者照片为第六页中的立体图2。另外,由于仰视图与俯视图对称,左视图与右视图对称,因此省略仰视图和左视图。
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