公开(公告)号：CN105679841A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610031368.3

申请日：2012-08-02

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 永野辉昌 ,  细川畅郎 ,  铃木智史 ,  马场隆

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/107 ,  H01L27/144

CPC classification number: H01L27/1446 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14605 ,  H01L28/20 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/107 ,  H01L2224/11

Abstract: 本发明的半导体光检测元件(10)将包含以盖革模式动作的多个雪崩光电二极管(APD)、相对于各雪崩光电二极管(APD)串联连接的灭弧电阻(R1)、及并联连接有灭弧电阻(R1)的信号线(TL)的光电二极管阵列(PDA)作为一个信道且具有多个信道。搭载基板(20)与各信道对应的多个电极(E9)配置于主面(20a)侧，并且处理来自各信道的输出信号的信号处理部(SP)配置于主面(20b)侧。在半导体基板(1N)中，在各信道形成有与信号线(TL)电连接的贯通电极(TE)。贯通电极(TE)与电极(E9)经由凸块电极(BE)而电连接。

公开(公告)号：CN105633192A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201610044557.4

申请日：2012-08-02

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 永野辉昌 ,  细川畅郎 ,  铃木智史 ,  马场隆

IPC: H01L31/107 ,  G01T1/24 ,  H01L27/144 ,  H01L31/02

CPC classification number: H01L31/107 ,  G01J1/42 ,  G01T1/208 ,  H01L27/144 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/14658 ,  H01L27/14663 ,  H01L28/20 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/022408 ,  G01T1/24 ,  H01L31/02

Abstract: 半导体光检测元件(10)包含：多个雪崩光电二极管(APD)，其以盖革模式动作并且形成在半导体基板(1N)内；灭弧电阻(R1)，其相对于各个雪崩光电二极管(APD)串联连接并且配置在半导体基板(1N)的主面(1Na)侧；以及多个贯通电极(TE)，其与灭弧电阻(R1)电连接且从主面(1Na)侧至主面(1Nb)侧为止贯通半导体基板(1N)而形成。搭载基板(20)包含对应于每个贯通电极(TE)而配置在主面(20a)侧的多个电极(E9)。贯通电极(TE)与电极(E9)经由凸点电极(BE)而电连接，且半导体基板(1N)的侧面(1Nc)与玻璃基板(30)的侧面(30c)成为同一平面。

公开(公告)号：CN102326264B

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：CN201080008816.9

申请日：2010-02-09

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 山村和久 ,  坂本明 ,  永野辉昌 ,  宫崎康人 ,  米田康人 ,  铃木久则 ,  村松雅治

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/0236 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/103 ,  Y02E10/50

Abstract: 一种半导体光检测元件(SP)，包括：硅基板(21)，其由第1导电类型的半导体构成，具有彼此相对的第1主面(21a)及第2主面(21b)，并且在第1主面(21a)侧形成有第2导电类型的半导体层(23)；以及电荷传输电极(25)，其设置于第1主面(21a)上，且传输所产生的电荷。在硅基板(21)上，在第2主面(21b)侧形成有具有比硅基板(21)更高的杂质浓度的第1导电类型的累积层(31)，并且在第2主面(21b)上的至少与半导体区域(23)相对的区域形成有不规则的凹凸(10)。硅基板(21)的第2主面(21b)的形成有不规则的凹凸(10)的区域光学性地露出。

公开(公告)号：CN104737304A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201380054725.2

申请日：2013-10-11

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 山本晃永 ,  永野辉昌 ,  山村和久 ,  里健一 ,  土屋龙太郎

IPC: H01L31/107 ,  H01L27/146 ,  H01L31/00

CPC classification number: H01L27/14643 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/14605 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14636 ,  H01L28/24 ,  H01L31/02027 ,  H01L31/022416 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/107

Abstract: 本发明的目的在于提供一种高时间分辨率的光电二极管阵列。受光区域包含多个光检测部(10)，各个光检测部(10)具备：第1导电型的第1半导体区域(12)；第2导电型的第2半导体区域(13、14)，其与第1半导体区域(12)构成pn结；第1接触电极(3A)，其与第2半导体区域接触；第2接触电极(4A)，其具备与第1接触电极(3A)不同的材料，配置在重叠于第1接触电极(3A)的位置，并与第1接触电极接触；以及电阻层(4B)，其与第2接触电极(4A)连续。

公开(公告)号：CN104201219A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410403704.3

申请日：2010-02-15

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 山村和久 ,  坂本明 ,  永野辉昌 ,  石川嘉隆 ,  河合哲

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0352 ,  H01L27/146 ,  H01L31/103 ,  H01L31/107

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14649 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/103 ,  H01L31/107 ,  H01L2224/48091 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00014

Abstract: 光电二极管阵列(PDA1)中，多个光检测通道(CH)包括具有n型半导体层(32)的基板(22)。光电二极管阵列(PDA1)包括：p-型半导体层(33)，其形成于n型半导体层(32)上；电阻(24)，其对于各光检测通道(CH)设置并且一端部与信号导线23连接；以及n型的分离部(40)，其形成于多个光检测通道(CH)之间。p-型半导体层(33)，在与n型半导体层(32)的界面构成pn结，且与光检测通道对应地具有多个使通过被检测光的入射而产生的载流子进行雪崩倍增的倍增区域(AM)。在n型半导体层(32)的表面形成有不规则的凹凸(10)，该表面光学性地露出。

公开(公告)号：CN102334198A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201080009098.7

申请日：2010-02-15

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 山村和久 ,  坂本明 ,  永野辉昌 ,  石川嘉隆 ,  河合哲

IPC: H01L31/107 ,  H01L31/10

CPC classification number: H01L31/02366 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/1464 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/028 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547

Abstract: p-型半导体基板(20)具有相互相对的第1主面(20a)及第2主面(20b)，且包含光感应区域(21)。光感应区域(21)由n+型杂质区域(23)、p+型杂质区域(25)、及对p-型半导体基板(20)施加偏压电压时空乏化的区域构成。在p-型半导体基板(20)的第2主面(20b)上形成有不规则的凹凸(10)。在p-型半导体基板(20)的第2主面(20b)侧形成有累积层(37)，累积层(37)中的与光感应区域(21)相对的区域光学性地露出。

公开(公告)号：CN117999469A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202280062393.1

申请日：2022-08-10

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 岩科进也 ,  永野辉昌 ,  冈田真昇 ,  足立俊介 ,  藤田卓也

IPC: G01J1/42 ,  G01J1/02 ,  H01L27/146 ,  H01L31/10 ,  H04N25/766

Abstract: 在光检测装置中，开关(21、22、23)相互并联连接。各开关(21、22、23)与APD(11)连接。读出线(10)电连接开关(21)和信号处理部(9)。开关(21)以第二端子(24b)与读出线(10)连接，并且在导通状态下将击穿电压以上的电压提供到APD(11)的方式构成。开关(22)以第二端子(24b)不与读出线(10)连接，并且在导通状态下将击穿电压以上的电压提供到APD(11)的方式构成。开关(23)以第二端子(24b)不与读出线连接，并且在导通状态下将小于击穿电压的电压提供到APD(11)的方式构成。

公开(公告)号：CN109952649B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN201780069329.5

申请日：2017-11-09

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 中村重幸 ,  足立俊介 ,  马场隆 ,  永野辉昌 ,  山本晃永

IPC: H04N25/70 ,  H01L27/146 ,  H01L31/02

Abstract: 光检测装置具备：具有二维排列的多个像素的半导体光检测元件、具有对来自对应的像素的输出信号进行处理的多个信号处理部的搭载基板。半导体光检测元件在每个像素具有：多个雪崩光电二极管，其以盖革模式动作；多个灭弧电阻，其串联地电连接于对应的雪崩光电二极管；贯通电极，其与多个灭弧电阻电连接。各信号处理部具有通过对应的贯通电极而电连接有多个雪崩光电二极管并且输出与来自多个雪崩光电二极管的输出信号对应的信号的电流镜电路。搭载基板具有的多个信号处理部的数量比各像素中的受光区域的数量多。

公开(公告)号：CN109313072B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201780035338.2

申请日：2017-05-30

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 土屋龙太郎 ,  永野辉昌 ,  辻悠太 ,  河合刚 ,  大桑勇树

IPC: G01J1/02 ,  G01J1/42 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明的光检测单元具备：第1配线基板，其具有第1主面；多个光检测芯片，其具有受光面及所述受光面的相反侧的背面，且在所述第1主面上呈二维状地排列；第1凸块电极，其将所述光检测芯片电连接于所述第1配线基板；光透射部，其设置在所述受光面上；及光遮蔽部，其具有光反射性或光吸收性；且所述光检测芯片包含盖革模式APD，在所述背面与所述第1主面相对的状态下利用所述第1凸块电极安装于所述第1配线基板上；所述光遮蔽部在自与所述第1主面交叉的第1方向观察下，在位于彼此相邻的所述光检测芯片之间的中间区域内，设置于至少较所述受光面更靠近所述光透射部一侧。

公开(公告)号：CN107408507B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201680018576.8

申请日：2016-03-31

Applicant: 浜松光子学株式会社

Inventor： 石田笃司 ,  细川畅郎 ,  永野辉昌 ,  马场隆

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

Abstract: 本发明所涉及的半导体装置(1)中的贯通孔(7)为垂直孔。对于包含贯通孔(7)的中心线(CL)的平面来说在分别着眼于中心线(CL)的两侧区域的情况下，将连结对应于绝缘层(10)的开口(10a)的边缘的第1点(X1)和对应于第2开口(7b)的边缘的第2点(X2)的线段设定为第1线段(S1)，将连结第2点(X2)和对应于第2开口(7b)与绝缘层(10)的表面(10b)交叉的点的第3点(X3)的线段设定为第2线段(S2)，将连结第3点(X3)和第1点(X1)的线段设定为第3线段(S3)。此时，相对于第1线段(S1)位于一方侧的绝缘层(10)的第1面积(A1)大于由第1线段(S1)和第2线段(S2)以及第3线段(S3)围起来的绝缘层(10)的第2面积(A2)与相对于第3线段(S3)位于另一方侧的绝缘层(10)的第3面积(A3)之和。