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公开(公告)号：CN103606588A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201310641850.5
申请日：2010-02-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L27/144 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02366 , H01L27/1446 , H01L27/1464 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/107 , H01L31/1804 , Y02E10/547
Abstract: p-型半导体基板（20）具有相互相对的第1主面（20a）及第2主面（20b），且包含光感应区域（21）。光感应区域（21）由n+型杂质区域（23）、p+型杂质区域（25）、及对p-型半导体基板（20）施加偏压电压时空乏化的区域构成。在p-型半导体基板（20）的第2主面（20b）上形成有不规则的凹凸（10）。在p-型半导体基板（20）的第2主面（20b）侧形成有累积层（37），累积层（37）中的与光感应区域（21）相对的区域光学性地露出。
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公开(公告)号：CN103606588B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201310641850.5
申请日：2010-02-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L27/144 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02366 , H01L27/1446 , H01L27/1464 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/107 , H01L31/1804 , Y02E10/547
Abstract: p‑型半导体基板（20）具有相互相对的第1主面（20a）及第2主面（20b），且包含光感应区域（21）。光感应区域（21）由n+型杂质区域（23）、p+型杂质区域（25）、及对p‑型半导体基板（20）施加偏压电压时空乏化的区域构成。在p‑型半导体基板（20）的第2主面（20b）上形成有不规则的凹凸（10）。在p‑型半导体基板（20）的第2主面（20b）侧形成有累积层（37），累积层（37）中的与光感应区域（21）相对的区域光学性地露出。
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公开(公告)号：CN102334199B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201080009101.5
申请日：2010-02-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L31/10
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/1462 , H01L27/14625 , H01L27/1463 , H01L27/14649 , H01L27/14689 , H01L31/0232 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/103 , H01L31/107 , H01L2224/48091 , Y02E10/50 , H01L2924/00014
Abstract: 光电二极管阵列(PDA1)中，多个光检测通道(CH)包括具有n型半导体层(32)的基板(22)。光电二极管阵列(PDA1)包括：p-型半导体层(33)，其形成于n型半导体层(32)上；电阻(24)，其对于各光检测通道(CH)设置并且一端部与信号导线23连接；以及n型的分离部(40)，其形成于多个光检测通道(CH)之间。p-型半导体层(33)，在与n型半导体层(32)的界面构成pn结，且与光检测通道对应地具有多个使通过被检测光的入射而产生的载流子进行雪崩倍增的倍增区域(AM)。在n型半导体层(32)的表面形成有不规则的凹凸(10)，该表面光学性地露出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104201219B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410403704.3
申请日：2010-02-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L27/146 , H01L31/103 , H01L31/107
Abstract: 光电二极管阵列(PDA1)中，多个光检测通道(CH)包括具有n型半导体层(32)的基板(22)。光电二极管阵列(PDA1)包括：p-型半导体层(33)，其形成于n型半导体层(32)上；电阻(24)，其对于各光检测通道(CH)设置并且一端部与信号导线23连接；以及n型的分离部(40)，其形成于多个光检测通道(CH)之间。p-型半导体层(33)，在与n型半导体层(32)的界面构成pn结，且与光检测通道对应地具有多个使通过被检测光的入射而产生的载流子进行雪崩倍增的倍增区域(AM)。在n型半导体层(32)的表面形成有不规则的凹凸(10)，该表面光学性地露出。
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公开(公告)号：CN104201219A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410403704.3
申请日：2010-02-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L27/146 , H01L31/103 , H01L31/107
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/1462 , H01L27/14625 , H01L27/1463 , H01L27/14649 , H01L27/14689 , H01L31/0232 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/103 , H01L31/107 , H01L2224/48091 , Y02E10/50 , H01L2924/00014
Abstract: 光电二极管阵列(PDA1)中，多个光检测通道(CH)包括具有n型半导体层(32)的基板(22)。光电二极管阵列(PDA1)包括：p-型半导体层(33)，其形成于n型半导体层(32)上；电阻(24)，其对于各光检测通道(CH)设置并且一端部与信号导线23连接；以及n型的分离部(40)，其形成于多个光检测通道(CH)之间。p-型半导体层(33)，在与n型半导体层(32)的界面构成pn结，且与光检测通道对应地具有多个使通过被检测光的入射而产生的载流子进行雪崩倍增的倍增区域(AM)。在n型半导体层(32)的表面形成有不规则的凹凸(10)，该表面光学性地露出。
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公开(公告)号：CN102334198A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201080009098.7
申请日：2010-02-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L31/10
CPC classification number: H01L31/02366 , H01L27/1446 , H01L27/1464 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/107 , H01L31/1804 , Y02E10/547
Abstract: p-型半导体基板(20)具有相互相对的第1主面(20a)及第2主面(20b)，且包含光感应区域(21)。光感应区域(21)由n+型杂质区域(23)、p+型杂质区域(25)、及对p-型半导体基板(20)施加偏压电压时空乏化的区域构成。在p-型半导体基板(20)的第2主面(20b)上形成有不规则的凹凸(10)。在p-型半导体基板(20)的第2主面(20b)侧形成有累积层(37)，累积层(37)中的与光感应区域(21)相对的区域光学性地露出。
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公开(公告)号：CN102334198B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201080009098.7
申请日：2010-02-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L31/10
CPC classification number: H01L31/02366 , H01L27/1446 , H01L27/1464 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/028 , H01L31/107 , H01L31/1804 , Y02E10/547
Abstract: p-型半导体基板(20)具有相互相对的第1主面(20a)及第2主面(20b)，且包含光感应区域(21)。光感应区域(21)由n+型杂质区域(23)、p+型杂质区域(25)、及对p-型半导体基板(20)施加偏压电压时空乏化的区域构成。在p-型半导体基板(20)的第2主面(20b)上形成有不规则的凹凸(10)。在p-型半导体基板(20)的第2主面(20b)侧形成有累积层(37)，累积层(37)中的与光感应区域(21)相对的区域光学性地露出。
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公开(公告)号：CN102334199A
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201080009101.5
申请日：2010-02-15
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L31/107 , H01L31/10
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L27/1462 , H01L27/14625 , H01L27/1463 , H01L27/14649 , H01L27/14689 , H01L31/0232 , H01L31/0236 , H01L31/02363 , H01L31/035281 , H01L31/103 , H01L31/107 , H01L2224/48091 , Y02E10/50 , H01L2924/00014
Abstract: 光电二极管阵列(PDA1)中，多个光检测通道(CH)包括具有n型半导体层(32)的基板(22)。光电二极管阵列(PDA1)包括：p-型半导体层(33)，其形成于n型半导体层(32)上；电阻(24)，其对于各光检测通道(CH)设置并且一端部与信号导线23连接；以及n型的分离部(40)，其形成于多个光检测通道(CH)之间。p-型半导体层(33)，在与n型半导体层(32)的界面构成pn结，且与光检测通道对应地具有多个使通过被检测光的入射而产生的载流子进行雪崩倍增的倍增区域(AM)。在n型半导体层(32)的表面形成有不规则的凹凸(10)，该表面光学性地露出。
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