公开(公告)号：CN100463182C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200510112895.9

申请日：2005-10-19

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松本昭人 ,  神谷俊幸 ,  山田健二 ,  名取荣治 ,  木下智雄

IPC: H01L27/10 ,  H01L29/92 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供一种在制造工序以及制造之后，难以导致特性劣化，并且可靠性高的铁电体存储器及其制造方法。根据本发明的铁电体存储器(1000)的制造方法，包括以下工序：(a)通过在基板(10)的上方依次层积下部电极层(20)、铁电体层(30)、以及上部电极层(40)，形成铁电体层积体；(b)对铁电体层积体进行图案形成，形成铁电体电容器(100)；(c)供给氧气的同时通过物理气相沉积法，形成覆盖铁电体电容器(100)的第一屏障膜(50)；(d)通过原子层化学气相沉积法，形成覆盖第一屏障膜(50)的第二屏障膜(60)。

公开(公告)号：CN100383924C

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN03818766.3

申请日：2003-08-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 泽崎立雄 ,  名取荣治 ,  古林智一 ,  滨田泰彰

IPC: H01L21/26 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 本发明提供一种强电介质存储器的制造方法，在基板(10)上至少形成了强电介质电容器(105)的状态下，从强电介质电容器(105)的上方照射脉冲状的激光(70)。

公开(公告)号：CN100339996C

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200410031794.4

申请日：2004-03-25

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 滨田泰彰 ,  木岛健 ,  柄泽润一 ,  大桥幸司 ,  名取荣治

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02197 ,  G11C11/22 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/318

Abstract: 一种强电介质材料，在以通式ABO3表示的复合氧化物的原料中含有补偿A部位缺损的A部位补偿成分和补偿B部位缺损的B部位补偿成分；该原料含有钛酸锆酸铅；添加有至少取2价状态的元素和至少取3价状态的元素作为A部位补偿成分；添加有至少取5价状态的元素作为B部位补偿成分；取2价状态的元素的添加量是相对A部位的构成元素的1摩尔%～30摩尔%；取3价状态的元素的添加量是相对所述A部位的构成元素的1摩尔%～30摩尔%；取5价状态的元素的添加量是相对B部位的构成元素的1摩尔%～30摩尔%；取2价状态的添加量、取3价状态的添加量、取5价状态的添加量的合计是对A部位和B部位的全部构成元素的5摩尔%～40摩尔%。

公开(公告)号：CN1983462A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610172524.4

申请日：2003-10-23

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  滨田泰彰 ,  名取荣治 ,  大桥幸司

IPC: H01B3/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/82 ,  H01L41/22 ,  C01G33/00

Abstract: 一种强电介质膜的制造方法，包括使用溶胶凝胶溶液形成强电介质膜的工序，使用至少混合PbZrO3用溶胶凝胶溶液、PbTiO3用溶胶凝胶溶液和PbNbO3用溶胶凝胶溶液的溶液作为所述溶胶凝胶溶液。

公开(公告)号：CN1312744C

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200310119519.3

申请日：2003-12-01

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 木岛健 ,  名取荣治

IPC: H01L21/316

Abstract: 本发明提供一种氧化物薄膜的制造方法，采用超临界流体作为溶剂，包括以下步骤：让由超临界流体构成的气泡溶存于氧化物的原料溶液中，在超临界流体中溶解氧化物的构成元素；将溶解有超临界流体的原料溶液涂敷在基板上；将涂敷有原料溶液的基板退火，让氧化物结晶化。

公开(公告)号：CN1302151C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN01800706.6

申请日：2001-03-29

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 名取荣治

IPC: C23C16/40 ,  C23C14/08 ,  C23C14/22 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L27/10 ,  H01L41/22

CPC classification number: C23C16/409 ,  C23C16/44 ,  C23C16/483 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55 ,  H01L41/314

Abstract: 强介电体的制法包含在预定区域边供给至少成为强介电体原材料一部分的氧活性粒子(100A)和电磁波(200A)，边形成强介电体膜的工序。也可以在前述规定区域上形成由强介电体原材料一部分的物质构成的膜。还包含在第1强介电体膜(20a)上供给活性粒子(100A)和电磁波(200A)，形成与第1强介电体膜(20a)的结晶构造不同的第2强介电体膜的工序。

公开(公告)号：CN1675747A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN03818766.3

申请日：2003-08-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 泽崎立雄 ,  名取荣治 ,  古林智一 ,  滨田泰彰

IPC: H01L21/26 ,  H01L27/105

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/11507

Abstract: 本发明提供一种强电介质存储器的制造方法，在基板(10)上至少形成了强电介质电容器(105)的状态下，从强电介质电容器(105)的上方照射脉冲状的激光(70)。

公开(公告)号：CN1216425C

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN01802788.1

申请日：2001-08-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 长谷川和正 ,  名取荣治 ,  西川尚男 ,  小口幸一 ,  下田达也

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L27/11502 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159

Abstract: 一种强电介质存储装置，包括存储单元阵列和用于对上述存储单元选择性地进行信息的写入或者读出的周边电路部分，其中，存储单元阵列在基体上矩阵形地排列存储单元，包括第1信号电极，沿着与该第1信号电极交叉的方向排列的第2信号电极，至少配置在上述第1信号电极与上述第2信号电极的交叉区域中的强电介质层，其特征在于：上述存储单元阵列和上述周边电路部分配置在不同的层中，上述周边电路部分形成在上述存储单元阵列的外侧区域中，在上述基体上形成具有与该基体的表面不同的表面特性的表面修饰层，上述表面修饰层配置在没有形成上述存储单元的区域中，该表面修饰层的表面。

公开(公告)号：CN1644496A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510001873.5

申请日：2002-06-13

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 名取荣治 ,  木岛健 ,  古山晃一 ,  田崎雄三

IPC: C01B33/00 ,  C04B35/00 ,  C04B35/622 ,  H01L27/10 ,  H01B3/12 ,  H01B19/00

CPC classification number: C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/42 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/465 ,  C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

Abstract: 一种陶瓷的制造方法，包括：形成一个具有氧八面体结构的复合氧化物材料与对该复合氧化物材料具有触媒作用的常介电体材料混合存在的膜；之后对该膜进行热处理，所述常介电体材料，由构成元素中含有Si的层状触媒物质，以及构成元素中含有Si及Ge的层状触媒物质构成。所述热处理包括烧结及退火，优选至少该退火在含有氧及臭氧中的一种气体的加压环境下进行。陶瓷是具有氧八面体结构的复合氧化物，该复合氧化物中含有Si及Ge。

公开(公告)号：CN1534784A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410033223.4

申请日：2004-03-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 柄泽润一 ,  大桥幸司 ,  滨田泰彰 ,  木岛健 ,  名取荣治

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/31 ,  G11C11/22

CPC classification number: H01L21/02197 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明提供一种适于非破坏读出法的强电介质层及其制造方法。本发明的强电介质层(30)是一种含有空间电荷的强电介质层(30)，对所述强电介质层(30)的膜厚方向上，在上部或下部的至少任一方中，所述空间电荷具有空间电荷浓度峰值。