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公开(公告)号：CN110085707B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201810074110.0
申请日：2018-01-25
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物半导体隧道结及其制备方法与应用。所述氮化物半导体隧道结的制备方法包括：形成包含p型氮化物层和n型氮化物层的隧道结；至少使所述p型氮化物层的局部区域暴露在外；对所述隧道结进行热处理，使所述p型氮化物层内至少部分的H逃逸出。藉由本发明的方法，可以有效提高隧道结中p型材料中掺杂元素的激活效率，降低隧道结的串联电阻，提升隧道结的隧穿几率，当将此类隧道结应用于发光二极管、超辐射发光二极管、激光器等半导体器件时，可以大幅减小器件的串联电阻，有效提升器件的输出功率和可靠性。
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公开(公告)号：CN111146314B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201811314183.9
申请日：2018-11-06
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本发明公开了一种提高氮化物半导体紫外发光二极管取光效率的方法及应用。所述方法包括：在衬底上生长氮化物半导体紫外发光二极管结构，获得外延片，所述氮化物半导体紫外发光二极管结构包括依次形成的第一接触层、有源区、电子阻挡层和第二接触层，所述方法还包括：采用旋转错位法，使光刻图形的任意一条边均避开氮化物半导体紫外发光二极管结构的晶向；采用湿法腐蚀技术修复刻蚀损伤，使氮化物半导体紫外发光二极管结构的无规则粗糙侧壁转化为m面组成的锯齿形侧壁。本发明结合旋转错位和侧壁腐蚀工艺来实现外延片的侧壁粗化和刻蚀损伤修复，可显著提高氮化物半导体紫外发光二极管的取光效率，提高紫外发光二极管器件性能。
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公开(公告)号：CN112374528A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011069201.9
申请日：2020-09-30
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东(佛山)研究院
IPC: C01G9/02 , C01B32/194 , B01J23/06 , B01J35/10 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/0296 , H01G11/84
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯表面负载氧化锌纳米颗粒复合材料及其制备方法与应用。本发明石墨烯表面负载氧化锌纳米颗粒的制备方法，包括如下步骤：S1.将化学氧化还原法制备的石墨烯分散于醇溶液后加入1‑芘甲酸并搅拌；S2.加入醋酸锌搅拌制得溶液A；S3.将碱加入到醇溶液中搅拌制得溶液B；S4.将溶液B加入到溶液A中，0℃～15℃搅拌7天以上，之后固液分离，所得固体即为石墨烯表面负载氧化锌纳米颗粒复合材料。本发明利用1‑芘甲酸对化学氧化还原法制备的石墨烯进行表面修饰，结合低温长周期的反应方式，实现了氧化锌纳米颗粒在石墨烯表面的高密度均匀分布，提高了石墨烯表面负载氧化锌纳米颗粒复合材料在光催化、超级电容和传感器应用能力。
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公开(公告)号：CN112151520A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910560294.6
申请日：2019-06-26
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L25/16
Abstract: 本发明公开了一种具有单片集成结构的光电收发芯片、其制作方法及应用。所述单片集成的光电收发芯片包括集成设置的发光二极管与光探测器，所述发光二极管与光探测器之间设置有反射镜结构，所述反射镜结构至少用于防止所述发光二极管发射的光线向所述光探测器传输。进一步的，所述反射镜结构还用于将所述发光二极管发射的至少部分光线向所述发光二极管的出光面反射。本发明实施例提出的光电收发芯片具有尺寸小、制作方法简单、集成度高，且发光二极管和光探测器不会相互影响等优点，可大幅提升可见光通信模块的器件性能和稳定性。
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公开(公告)号：CN106601613B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201510684066.1
申请日：2015-10-20
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/314 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种云母薄膜的制备方法，其包括：将衬底放置于真空的脉冲激光沉积设备中；利用脉冲激光熔蚀云母靶材，使云母靶材的表面产生等离子体羽辉，所述等离子体羽辉沉积在所述衬底上生长形成均匀的云母薄膜。本发明还公开了一种晶体管，其包括利用该制备方法制备的云母薄膜。本发明的晶体管引入云母薄膜作为电介质层，由于云母的层状二维纳米结构具有超薄的厚度，有利于晶体管的栅极调制，并且有助于晶体管在纵向方向的高密度集成。此外，云母薄膜的表面非常光滑，这个特征使晶体管的载流子能够免于表面粗糙度及陷阱态的影响，从而晶体管能够获得较高的载流子迁移率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106783994B
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201510822198.6
申请日：2015-11-24
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种抑制电流崩塌效应的增强型HEMT器件及其制备方法。该HEMT器件包括异质结构以及与异质结构连接的源极、漏极和栅极，该异质结构包括作为沟道层的第一半导体和作为势垒层的第二半导体，该第二半导体形成于第一半导体上，该异质结构内形成有二维电子气；该第二半导体上还依次形成有量子阱层和第三半导体，该第三、第二半导体的导电类型不同，该栅极与第三半导体电性接触。本发明通过在增强型HEMT器件中的栅极区域及非栅极区域直接集成量子阱结构，使得器件处于开态时，同时能够实现发光，该发光可以有效辐射在栅‑漏、栅‑源之间的表面区域并深入至材料内部，能够加快被各类缺陷态所俘获的电子的释放过程，从而有效抑制器件电流崩塌效应。
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公开(公告)号：CN106653838B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201510740432.0
申请日：2015-11-04
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/32 , H01S1/02
Abstract: 本发明公开了一种太赫兹光源器件及其制作方法。所述器件包括主要由第一、第二半导体组成的异质结以及与所述异质结连接的电极，所述第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，并且所述异质结内分布有二维电子气；所述第二半导体表面还分布有复数基于V型坑的孔结构，所述基于V型坑的孔结构与分布于所述异质结中的相应穿透位错相连接。本发明通过在太赫兹光源器件的外延生长过程中故意引入基于V型坑的孔结构，极为有利于纵向栅极注入电流激发技术方案的实现，可以避免背景黑体辐射带来的噪音问题，同时还能大幅提高能量转化效率和输入电功率，以及大幅提高太赫兹辐射功率和辐射效率。
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公开(公告)号：CN108305918A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201710022586.5
申请日：2017-01-12
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
Abstract: 本申请公开了一种氮化物半导体发光器件及其制作方法。所述氮化物半导体发光器件包括外延结构，所述外延结构具有第一面和与第一面相背对的第二面，所述第一面为 面并位于所述外延结构的n型侧，所述第二面位于所述外延结构的p型侧，所述外延结构的n型侧与n型电极电性接触，p型侧与p型电极电性接触，并且所述第一面形成有脊型波导结构。本申请的氮化物半导体发光器件，特别是III-V族氮化物半导体激光器或超辐射发光二极管具有电阻低、内损耗低、阈值电流小、热阻小、稳定性和可靠性好等优点，同时其制备工艺简单易实施。
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公开(公告)号：CN106033724A
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：CN201510102490.0
申请日：2015-03-09
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/335 , H01L21/28 , H01L29/778 , H01L29/423
CPC classification number: H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/778 , H01L29/66431 , H01L29/42356 , H01L29/7786
Abstract: 本发明公开了一种III族氮化物增强型HEMT及其制备方法。该制备方法包括：在衬底上生长形成主要由作为势垒层的第一半导体层和作为沟道层的第二半导体层组成的异质结构，其中所述第一半导体层叠设在第二半导体层上；在第一半导体层上形成兼作钝化层的掩膜层；对掩膜层的栅极区进行刻蚀，至暴露出第一半导体层；在所述掩膜层的栅极区内生长p型层，所述p型层与第一半导体层组成PN结；在所述p型层上设置p型栅，且使所述p型栅与p型层之间形成欧姆接触。本发明工艺极大降低了p型栅技术的实施难度，并有效解决增强型HEMT器件的可靠性问题，以及有效抑制电流崩塌效应，从而大幅提升HEMT器件的工作性能，实现真正意义上的增强型HEMT。
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公开(公告)号：CN105990106A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510076931.4
申请日：2015-02-13
Applicant: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: H01L21/205 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开了一种半导体异质结构、其制备方法及应用。该半导体异质结构包括第一半导体材料和第二半导体材料，该第一半导体材料与该第二半导体材料相互接合且形成实质上的晶格匹配，其中该第一半导体材料为AlxInyGa1‑x‑yN，其中4.72≤x/y≤5.10，0≤x≤1，0
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