一种SERS检测用银纳米线块的制备方法

    公开(公告)号:CN111036930A

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201911352737.9

    申请日:2019-12-25

    Abstract: 本发明涉及一种SERS检测用银纳米线块的制备方法,其特征在于:S1:将硝酸银加到多元醇中,搅匀得浓度为0.01~0.3 g/mL的溶液A;S2:将聚乙烯吡咯烷酮加到多元醇中,搅匀得浓度为0.02~0.2 g/mL的溶液B;S3:将溶液B升温至50~80℃并保温20~60 min,搅拌下将溶液A加入到溶液B中,随后继续搅拌20~60 min得溶液C;S4:将浓度为0.0002~0.005 g/mL的氯化物加入溶液C中,搅拌5~10 min,90~140℃加热8~24 h,在溶液C上层得纳米银线块;S5:将纳米银线块取出,清洗5~10次,在40~80℃干燥60~120min后即可。本发明有益效果:1.可一步制备得到块状银纳米线,制备步骤简单;2.该纳米线块可直接用来进行SERS检测且使用方法简单,使用便捷;3.SERS性能优异且可以重复使用,降低成本。

    一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN107546341B

    公开(公告)日:2019-07-26

    申请号:CN201710796080.X

    申请日:2017-09-06

    CPC classification number: Y02E10/549

    Abstract: 本发明公开一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1、清洗柔性基底;S2、通过磁控溅射在柔性基底表面沉积下SiO2膜层,下SiO2膜层厚度为15~60nm;S3、采用电子束蒸发技术在下SiO2膜层表面蒸发Ag膜层,Ag膜层厚度6~20nm;S4、在真空腔内对Ag膜层进行Ar等离子辐照;S5、通过磁控溅射在Ag膜层表面沉积上SiO2膜层,得到所述透明导电氧化物薄膜,上SiO2膜层厚度为15~60nm;本发明得到的透明导电SiO2/Ag/SiO2的复合薄膜,具有更好的透过率和导电性能;对Ag膜层采用等离子体辐照,使Ag膜层成膜质量更好,整个复合膜系具有更好的透过率和导电性;SiO2膜层与Ag膜层之间浸润性良好,不需要金属过渡层,且成本低廉,适合工业化生产。

    一种ZnS发光薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN108410460A

    公开(公告)日:2018-08-17

    申请号:CN201810560531.4

    申请日:2018-06-04

    CPC classification number: C09K11/672

    Abstract: 本发明公开一种ZnS发光薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1、清洗衬底,去除衬底表面油污和杂质;S2、采用磁控溅射设备,以ZnS靶、Pb靶为靶材,衬底置于磁控溅射设备的真空腔体内,ZnS靶采用直流与射频电源,Pb靶采用直流电源,通入氩气,在衬底表面溅镀Zn过量且Pb掺杂的ZnS发光薄膜;采用磁控溅射进行ZnS、Pb共掺杂薄膜的制备,工艺简单,可控性、操作性强;ZnS靶采用直流和射频相结合的电源,进行薄膜的镀制,Pb靶采用直流电源,制备的薄膜致命性高,结晶质量好;通过工艺参数的改变能很好调节薄膜中的Zn和S的比例。

    一种用于磁控溅射的以气体为掺杂源的供气装置

    公开(公告)号:CN108165942A

    公开(公告)日:2018-06-15

    申请号:CN201711456534.5

    申请日:2017-12-28

    CPC classification number: C23C14/35

    Abstract: 本发明涉及一种用于磁控溅射的以气体为掺杂源的供气装置,包括供气环(1),在供气环(1)的内壁(2)上均布一组出气孔(3),在供气环(1)内设有环形腔体,在每个出气孔(3)均与环形腔体连通,在供气环(1)上还连接进气管(4),进气管(4)连接环形腔体,在供气环(1)上还连接吊耳(5)。本发明的优点:本装置克服了现有供气系统中气体分布不均匀,离化程度不高,掺杂量达不到目标值以及不能进行定量分析等缺陷,有效促进掺杂气体源进行离子化,提高了气体的利用率,提高掺杂量,达到有效进行掺杂完成镀膜的目的,同时还能精准进行定量分析,为多元素掺杂磁控溅射的进一步研究开发提供了一个更好的精确方案。

Patent Agency Ranking