公开(公告)号：CN100373455C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200610080345.8

申请日：2006-05-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 加加美健朗 ,  清野浩 ,  平林启 ,  小俣英一 ,  矢里晴司 ,  坂本孝光

IPC: G11B5/31 ,  G11B21/21

Abstract: 本发明提供了一种复合薄膜磁头包括：基板；形成在所述基板上的底层；形成在所述底层上且设置有下面屏蔽层、上面屏蔽层和磁阻效应层的磁阻效应读取头元件，其中，读出电流在垂直于所述磁阻效应层表面的方向上流经所述上面屏蔽层和所述下面屏蔽层；层叠在所述磁阻效应读取头元件上的中间屏蔽绝缘层；形成在所述中间屏蔽绝缘层上且设置有第一磁极层、非磁性层、第二磁极层和写入线圈的感应写入头元件，其中，第二磁极层的端部经过所述非磁性层与所述第一磁极层的端部相对；以及，形成在所述上面屏蔽层与所述第一磁极层之间的附加屏蔽层。

公开(公告)号：CN119986486A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411607260.5

申请日：2024-11-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 渡部司也 ,  平林启 ,  礒田刚大

IPC: G01R33/09 ,  H01F7/06 ,  G01R33/07 ,  G01R19/00 ,  G01R15/20

Abstract: 本发明的磁场产生器构成为产生对磁传感器施加的磁场。磁场产生器的导体层包含：第一端、第二端、多个主配线、第一副配线、以及第二副配线。第一副配线包含从第一端经由多个第一连结部到达多个主配线31中的各个的多个第一路径。第二副配线包含从第二端经由多个第二连结部到达多个主配线中的各个的多个第二路径。任意两个第一路径各自所经由的多个第一连结部的数量相同。任意两个第二路径各自所经由的多个第二连结部的数量相同。

公开(公告)号：CN112051524B

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202010504222.2

申请日：2020-06-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 猿木俊司 ,  平林启 ,  酒井正则

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明提供一种磁传感器。检测对象磁场在第一平面内的基准位置，具有在第一平面内变化的第一方向。磁传感器包含MR元件。MR元件包含具有在第二平面内可变的方向的第一磁化的磁性层。第一平面和第二平面形成除90°以外的二面角α并交叉。检测对象磁场能够被分为平行于第二平面的面内分量和垂直于第二平面的垂直分量。面内分量具有相应于第一方向的变化而变化的第二方向。第一磁化的方向相应于第二方向的变化而变化。检测值取决于第一磁化的方向。

公开(公告)号：CN112068048B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202010517993.5

申请日：2020-06-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 蔡永福 ,  平林启

IPC: G01R33/09 ,  G01B7/00

Abstract: 位置检测装置具备产生检测对象磁场的磁铁、和磁传感器。磁传感器对检测对象磁场进行检测，从而生成与磁铁的位置对应的检测值。磁传感器包含MR元件和基板。基板包含主面。MR元件接受的检测对象磁场具有在第一平面内变化的第一方向。MR元件含有具有方向可在与主面平行的第二平面内变化的第一磁化的磁性层。第一平面和第二平面形成90°之外的二面角而交叉。检测值依存于第一磁化的方向。

公开(公告)号：CN116125355A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202211411339.1

申请日：2022-11-11

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 渡部司也 ,  平林启

IPC: G01R35/00

Abstract: 本发明提供一种检查装置，其具备：具有载置面的载置台、和第一磁场产生器及第二磁场产生器。第一磁场产生器以能够使其姿势变化，并且单独地产生第一磁场的方式构成。第二磁场产生器以能够使其姿势变化，并且单独地产生第二磁场的方式构成。第一磁场产生器和第二磁场产生器以协动地产生合成磁场的方式构成。

公开(公告)号：CN115932679A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211213504.2

申请日：2022-09-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高野大地 ,  太田宪和 ,  平林启 ,  渡部司也

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明提供磁阻效应元件、磁阻效应装置和磁传感器。MR元件包括第一磁性层、第二磁性层、和配置在第一磁性层与第二磁性层之间的非磁性层。第一磁性层的形状磁各向异性被设定在第一基准方向，且第一磁性层具有方向能够响应外部磁场而变化、并且在没有施加外部磁场的状态下朝向第一磁化方向的磁化。第二磁性层的形状磁各向异性被设定在第二基准方向，且第二磁性层具有方向能够响应外部磁场而变化、并且在没有施加外部磁场的状态下朝向第二磁化方向的磁化。

公开(公告)号：CN115840174A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211152548.9

申请日：2022-09-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小嶋秀和 ,  牧野健三 ,  平林启

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明提供一种磁传感器，其具备：基板，其具有上表面；绝缘层，其配置于基板之上，且具有分别相对于基板的上表面倾斜的第一及第二倾斜面；以及MR元件。MR元件配置于第一倾斜面或第二倾斜面之上。MR元件具有包含相对于第一倾斜面或第二倾斜面所成的角度相互不同的第一部分及第二部分的第一侧面。

公开(公告)号：CN111090063B

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN201911016372.2

申请日：2019-10-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高野研一 ,  斋藤祐太 ,  平林启

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明涉及一种其输出特性对环境温度较不敏感的磁传感器。磁传感器(1)具有：自由层(24)，其磁化方向响应于外部磁场而改变；钉扎层(22)，其磁化方向相对于所述外部磁场固定；间隔层(23)，其位于所述钉扎层(22)与所述自由层(24)之间并表现出磁阻效应；以及至少一个磁性膜(25)，其设置在自由层(24)的侧边并向自由层(24)施加偏置磁场。满足关系0.7≤TC_HM/TC_FL≤1.05，其中TC_HM是所述磁性膜的居里温度并且TC_FL是所述自由层的居里温度。

公开(公告)号：CN110296720B

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN201811286267.6

申请日：2018-10-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 渡部司也 ,  平林启

IPC: G01D5/12

Abstract: 本发明提供一种磁传感装置，其具备第一磁传感器、第二磁传感器、软磁性构造体。第一磁传感器生成与外部磁场的平行于X方向的方向的分量对应的检测值。第二磁传感器生成与外部磁场的平行于Y方向的方向的分量对应的检测值。在软磁性构造体上存在X方向的剩余磁化的状态下，对第一磁传感器施加基于软磁性构造体的剩余磁化的磁场即包含‑X方向的分量的磁场。在软磁性构造体上存在Y方向的剩余磁化的状态下，对第二磁传感器施加基于软磁性构造体的剩余磁化的磁场即包含‑Y方向的分量的磁场。

公开(公告)号：CN109724506B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201811284096.3

申请日：2018-10-31

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 梅原刚 ,  宫下勇人 ,  内田圭祐 ,  平林启

IPC: G01B7/00

Abstract: 位置检测装置具备第一位置检测器、第二位置检测器以及信号生成器。第一位置检测器具备第一磁场产生部、第二磁场产生部以及第一磁传感器。第二位置检测器具备第三磁场产生部、第四磁场产生部以及第二磁传感器。第二及第四磁场产生部的位置与检测对象位置的变化相对应地变化。信号生成器生成第一磁传感器生成的第一检测信号和第二磁传感器生成的第二检测信号之和即位置检测信号。第一及第二位置检测器分别具备偏置磁场产生部。