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公开(公告)号:CN1883011A
公开(公告)日:2006-12-20
申请号:CN200480033789.5
申请日:2004-11-24
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , C04B35/4682 , C04B35/6264 , C04B35/63424 , C04B2235/3206 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3262 , C04B2235/3436 , C04B2235/3454 , C04B2235/5445 , C04B2235/963 , C09D129/14 , H01G4/008 , H01G4/0085 , H01G4/30
Abstract: 公开了生产用于多层陶瓷电子元件的多层单元的方法,它能够安全地防止在多层陶瓷电子元件中的短路缺陷。用于多层陶瓷电子元件的多层单元是通过按照一定图案将导电糊印刷在陶瓷生片上形成电极层来生产的。陶瓷生片含有作为粘结剂的丙烯酸树脂,且导电糊含有作为粘结剂的缩丁醛树脂以及选自二氢萜品基氧基乙醇,萜品基氧基乙醇,d-二氢香芹醇,I-香茅醇,I-紫苏子醇和乙酰氧基-甲氧基乙氧基-环己醇乙酸酯中的至少一种溶剂。
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公开(公告)号:CN1242435C
公开(公告)日:2006-02-15
申请号:CN01117893.0
申请日:2001-03-31
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/4682
Abstract: 一种制备多层陶瓷片状电容器的方法,该电容器具有由电介质层和内电极层交替叠加而构成的电容器主体,该方法包括:使用钛酸钡作为粉末组分用于形成电介质层,在X-射线衍射图形中,该粉末组分的(200)面的衍射线的峰强度(I(200))相对于(002)面的衍射线的峰点的角与(200)面的衍射线的峰点的角之间的中间点的强度(Ib)的比值(I(200)/(Ib))为4-16。
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公开(公告)号:CN1607612A
公开(公告)日:2005-04-20
申请号:CN200410074273.7
申请日:2002-02-07
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C22C28/00 , B22F3/1007 , B22F3/101 , B22F2003/248 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C1/0441 , H01F1/0557 , H01L41/20 , H01L41/47 , B22F3/15 , B22F3/24 , B22F3/02 , B22F2202/05 , B22F2201/013 , B22F2201/10
Abstract: 本发明采用粉末冶金法,增大得到的超磁致伸缩元件等烧结体的密度,提供一种能减少高温大气中磁致伸缩特性等烧结体特性劣化的烧结体的制造方法。本发明是将式1:RTw(式中,R是一种以上的稀土类金属,T是一种以上的过渡金属,w表示为1<w<4)所示组成的合金粉,在氢气和惰性气体的混合气氛中进行烧结的烧结体的制造方法。另外,是将上述组成的合金粉,在真空气氛中或者在含分子量30以下的气体的气氛中烧结,而且进行热等压处理的烧结体的制造方法。
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公开(公告)号:CN1357898A
公开(公告)日:2002-07-10
申请号:CN01123098.3
申请日:1995-10-17
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B35/6264 , C04B35/63424 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , C04B2235/785 , C04B2237/12 , C04B2237/346 , C04B2237/40 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H01G4/1227
Abstract: 一种多层瓷介片状电容器,满足X7R性质或其电容量的温度响应并表现出在直流电场下电容量随时间的变化最小,绝缘电阻(IR)的加速寿命很长及良好的直流偏置性能,并提供一种耐介质击穿的多层瓷片状电容器。在第一种形式中,介电层包含作为主要组分BaTiO3并包含作为次要组分按特定比例的MgO、Y2O3、BaO与CaO中至少一种及SiO2。在第二种形式中,介电层还包含作为次要组分按特定比例的MnO、V2O5与MoO3中至少一种。
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公开(公告)号:CN1137326A
公开(公告)日:1996-12-04
申请号:CN95191054.X
申请日:1995-10-17
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/12
CPC classification number: B32B18/00 , B32B2311/22 , C04B35/4682 , C04B35/6264 , C04B35/63424 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3205 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3256 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , C04B2235/785 , C04B2237/12 , C04B2237/346 , C04B2237/40 , C04B2237/405 , C04B2237/704 , C04B2237/706 , H01G4/1227
Abstract: 一种多层瓷介片状电容器,满足X7R性质或其电容量的温度响应并表现出在直流电场下电容量随时间的变化最小,绝缘电阻(IR)的加速寿命很长及良好的直流偏置性能,并提供一种耐介质击穿的多层瓷片状电容器。在第一种形式中,介电层包含作为主要组分BaTiO3并包含作为次要组分按特定比例的MgO、Y2O3、BaO与CaO中至少一种、及SiO2。在第二种形式中,介电层还包含作为次要组分按特定比例的MnO、V2O5与MoO3中至少一种。
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