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公开(公告)号:CN104508441B
公开(公告)日:2017-03-08
申请号:CN201380041019.4
申请日:2013-04-16
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: G01J5/04 , G01J5/02 , H01L27/146 , H04N5/33
CPC classification number: G01J5/12 , G01C3/02 , G01J1/0407 , G01J3/36 , G01J5/0275 , G01J5/045 , G01J5/0859 , G01J2005/123 , G01S7/4816 , G01S17/023 , H01L27/14649 , H01L2224/48091 , H04N5/33 , H04N5/374 , H01L2924/00014
Abstract: 在复合传感器(11)中,热图像传感器(16)的排列区域(R1)与距离图像传感器(31)的排列区域(R2)以从层叠方向看重叠的方式配置。因此,可以在同轴上取得热图像和距离图像,能够抑制热图像与距离图像间的图像偏差。此外,在复合传感器(11)中,通过由第1基板(13)与第2基板封热图像传感器(16)的周围的空间。由此,能够防止距离图像传感器(31)的周围所产生的热对热图像传感器(16)侧造成影响。除此之外,由于排列热图像传感器(16)的基板与排列距离图像传感器(31)的基板不同,因此能够确保设计自由度。(14)的层叠形成的密封体(S1)在真空状态下密
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公开(公告)号:CN106298821A
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201510446571.2
申请日:2015-07-27
Applicant: 采钰科技股份有限公司
Inventor: 王唯科
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14645 , H01L27/14649
Abstract: 本发明提供一种影像感测器,包括:一滤光膜阵列,用于由一入射光线中取出多个色彩成份;以及多个光电元件,用于利用该滤光膜阵列接收该入射光,其中该滤光膜阵列包括:一绿色滤光膜,用于由该多个色彩成份中取出一绿色成份;一红色滤光膜,用于由该多个色彩成份中取出一红色成份;一蓝色滤光膜,用于由该多个色彩成份中取出一蓝色成份;以及一第一红外线滤光膜,用于取出一第一红外线成份,其中该第一红外线滤光膜包括该绿色滤光膜的材料以及具有一特定波长的一红外线高通滤光膜的材料。本发明的影像感测器前面并不需要额外的红外线截止滤光片,使得本发明可降低整个影像感测器的成本,且相像模组的厚度也更薄。
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公开(公告)号:CN103839952B
公开(公告)日:2016-12-28
申请号:CN201310239709.2
申请日:2013-06-17
Applicant: 采钰科技股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: G01S7/4816 , G01S17/023 , G01S17/89 , H01L27/14621 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14649
Abstract: 本发明提供的是一种影像感测装置。此影像感测装置包含:一光学滤片,其包含一双通带滤光片及一红外光穿透滤光片。一RGB像素阵列置于此双通带滤光片下方,且一时差测距阵列置于此双通带滤光片及此红外光穿透滤光片下方。其中,此双通带滤光片及此红外光穿透滤光片的组合仅容许位于红外光区的入射光穿透至此时差测距像素阵列。本发明可减少干涉及噪声。
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公开(公告)号:CN106057838A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201510770209.0
申请日:2015-11-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14649 , H01L27/14685 , H01L27/14683
Abstract: 本发明提供了一种半导体结构,包括:衬底,衬底包括第一侧和第二侧,第二侧与第一侧相对设置的并且配置为接收电磁辐射;阻挡层,设置在衬底的第二侧上方;滤色镜,设置在阻挡层上方;以及栅格,围绕滤色镜并且设置在阻挡层上方,其中,阻挡层配置为吸收或反射电磁辐射中的非可见光,并且阻挡层设置在栅格和衬底之间。本发明涉及半导体结构及其制造方法。
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公开(公告)号:CN106024818A
公开(公告)日:2016-10-12
申请号:CN201610343680.6
申请日:2016-05-24
Applicant: 苏州智权电子科技有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14649 , H01L27/14683
Abstract: 本发明公开了一种红外图像传感器,包括:P型硅衬底,在所述P型硅衬底上形成的CMOS,在所述P型硅衬底上形成的红外光电二极管,所述红外光电二极管包括硫化锌层和位于所述硫化锌层上方的碲镉汞层。本发明的红外图像传感器中,将硫化锌、碲镉汞薄膜先后沉积于硅衬底表面形成的深沟槽内,形成可探测红外光波的红外光电二极管,结合了传统硅基技术上的大规模集成电路制造、以及先进的红外探测器原理,给出可以实现高度集成、低成本的红外图像传感器,从而可以制备消费电子类的红外摄像器,本装置集成度高、加工成本低、稳定性好、适合大规模的生产。
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公开(公告)号:CN105789227A
公开(公告)日:2016-07-20
申请号:CN201410812336.8
申请日:2014-12-23
Applicant: 采钰科技股份有限公司
Inventor: 王唯科
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14621 , G02B5/201 , G02B5/22 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/14649 , H01L27/14652 , H01L27/14685
Abstract: 本发明公开了堆叠滤光片用于含有红外线像素的图像传感器,堆叠滤光片包含堆叠的第一滤光层和第二滤光层设置在红外线像素中,第一滤光层允许具有第一波段的波长的光线穿透,第二滤光层允许具有第二波段的波长的光线穿透,第一波段与第二波段部分地重叠在第三波段的,第三波段比第一波段和第二波段狭窄,使得堆叠滤光片可以让具有第三波段的波长的光线穿透。另外,本发明还提供含有堆叠滤光片的图像传感器。本发明提供的堆叠滤光片容易制造,并且此堆叠滤光片的特性与入射光线的角度无关联,不会受到入射光线角度的影响,因此该堆叠滤光片还可以在大角度的倾斜入射光线照射在图像传感器时避免发生蓝偏移现象。
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公开(公告)号:CN105590942A
公开(公告)日:2016-05-18
申请号:CN201610158008.X
申请日:2016-03-18
Applicant: 联想(北京)有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14636 , H01L27/14647 , H01L27/14649 , H01L27/146 , H01L27/14643
Abstract: 本发明实施例提供一种复合式图像传感器,包括:处理电信号的配线层;堆叠于所述配线层第一方向的将第一光波信号转换为电信号的第一光电二极管层;堆叠于所述配线层第二方向的将第二光波信号转换为电信号的第二光电二极管层,所述第一方向与所述第二方向相反。本发明实施例通过设置第一光电二极管层和第二光电二极管层不在同一层,且由配线层隔离开,可对第一光波信号和第二光波信号的焦距进行兼顾调整,能够使得复合式图像传感器形成的第一光波图像和第二光波图像处在一个平面,提升图像品质。
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公开(公告)号:CN105448942A
公开(公告)日:2016-03-30
申请号:CN201510589903.2
申请日:2015-09-16
Applicant: 全视科技有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14649 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/14685 , H01L27/14689
Abstract: 本发明涉及图像传感器及制造图像传感器的方法。图像传感器包含多个光电二极管,所述多个光电二极管接近第一半导体层的前侧安置以响应于被引导到所述第一半导体层的所述前侧中的光而积累图像电荷。多个钉扎阱安置于所述第一半导体层中。所述钉扎阱将包含于所述多个光电二极管中的个别光电二极管分离。接近所述第一半导体层的背侧安置多个电介质层。所述电介质层经调谐使得波长实质上与包含于被引导到所述第一半导体层的所述前侧中的光中的第一波长相等的光从所述电介质层反射回接近所述第一半导体层的所述前侧安置的所述多个光电二极管中的相应一者。
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公开(公告)号:CN104956484A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201480006270.1
申请日:2014-01-31
Applicant: 新成像技术公司
Inventor: Y·尼
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14649 , H01L27/1461 , H01L27/14694 , H01L31/03046 , H01L31/109 , H01L31/1844
Abstract: 本发明涉及光电二极管阵列,以及用于制造光电二极管阵列的方法,所述光电二级管阵列包括-阴极,所述阴极包括至少一个由磷化铟族的材料制备的衬底层(4)和一个由镓铟砷族的材料制备的有源层(5),并且所述阵列特征在于所述阵列进一步包括至少两种相同类型的至少部分地在有源层(5)中形成的掺杂区域:-第一掺杂区域(3),其与阴极一起形成用于图像的形成的光电二极管;-至少一个第二掺杂区域(8),其吸收过量电荷载流子从而将过量电荷载流子排出。
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公开(公告)号:CN104882384A
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:CN201410177250.2
申请日:2014-04-29
Applicant: 佳霖科技股份有限公司
CPC classification number: H01L31/0203 , G01J5/045 , H01L21/50 , H01L23/10 , H01L27/14618 , H01L27/14649 , H01L27/14683 , H01L31/09 , H01L2924/15153 , H01L2924/16195 , H01L2924/165
Abstract: 本发明公开一种元件封装方法及其结构,此方法包括下列步骤:先提供槽型基座以及盖体,并在槽型基座的底部设置感测元件。将盖体覆盖槽型基座,并在盖体与槽型基座的边缘部设置密封体(sealant)。接着,使用镭射照射槽型基座的边缘部,以熔融密封体,使盖体与边缘部结合。使盖体与槽型基座之间的密封空间处于真空状态。因此,以有效率地封装制造高灵敏度的感测元件。
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