公开(公告)号：CN102487066B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201110270577.0

申请日：2011-09-02

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 秀明土子

IPC: H01L27/098 ,  H01L29/808 ,  H01L21/8232

Abstract: 一种级联的结型场晶体管(JFET)器件，包括一个级联到二级低压JFET的一级高压JFET，其中一级和二级JFET的其中之一连接到另一个JFET级的漏极电极上。

公开(公告)号：CN102201454B

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201010149527.2

申请日：2010-03-25

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 胡智闵 ,  洪崇祐 ,  陈永初 ,  龚正

IPC: H01L29/808 ,  H01L29/06 ,  H01L27/098

Abstract: 本发明为接面场效应晶体管元件，包括第一型掺杂物的基板；基板中的第二型掺杂物的第一井区；第一型掺杂物的一第二井区和一第三井区，于第一井区中彼此分离；第一型掺杂物的第四井区，位于第二井区和第三井区间；第二型掺杂物的第一扩散区，位于第四井区及第二井区之间；及第二型掺杂物的第二扩散区，位于第三井区以及第四井区之间。

公开(公告)号：CN102332472A

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN201110282710.4

申请日：2006-10-30

Applicant: 苏伏特股份有限公司

Inventor： A·K·卡泊

IPC: H01L29/808 ,  H01L29/78 ,  H01L27/06 ,  H01L27/098 ,  H01L29/10 ,  H01L29/45 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337

CPC classification number: H01L29/808 ,  H01L21/2257 ,  H01L27/0611 ,  H01L27/098 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66901 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明描述了一种在硅中使用结型场效应晶体管构造互补逻辑电路的方法。本发明理想地适用于深亚微米尺寸，尤其适于65nm以下。本发明的基础是在增强模式下工作的互补结型场效应晶体管。JFET的速度-功率性能在亚70纳米尺寸下变得能够与CMOS器件相比。然而，JFET的最大电源电压仍然限制在内建电势(二极管压降)以下。为了满足某些要求对外部电路的接口驱动至更高电压电平的应用，本发明还包括用于在与JFET器件相同的衬底上构造CMOS器件的结构和方法。

公开(公告)号：CN101714558A

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200910178569.6

申请日：2009-09-29

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 相沢和也

IPC: H01L27/098 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/423 ,  H01L29/08 ,  H01L29/38 ,  H01L29/06 ,  H01L21/266

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其所具有的起动电路具备出色的特性，且适于IC化。形成有在N型外延层(12)形成，并规定漏极区域(121)的P型元件分离区域(13)。在漏极区域(121)内形成基体区域(15)，在基体区域(15)内形成N型源极区域(16)。在漏极区域(121)与源极区域(16)之间的沟道区域上配置栅电极(20)，形成LDMOS。经由漏极区域(121)、作为栅极发挥功能的P型分离区域(13)和P型元件分离区域(13)基于对漏极区域(121)施加的电压而被反向偏置、使耗尽层延伸的沟道区域，配置JFET的源极引出层(23)，形成JFET。

公开(公告)号：CN100521159C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200580035042.8

申请日：2005-10-13

Applicant: NXP股份有限公司

Inventor： 普拉巴特·阿加瓦尔 ,  扬·W·斯洛特布曼 ,  韦伯·D·范诺尔特

IPC: H01L21/8248 ,  H01L27/098 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L27/098 ,  H01L21/8248 ,  H01L27/0623

Abstract: 公开了一种包括源极和漏极区(17、18)的与BiCMOS兼容的JFET器件，以与用于形成发射极外扩散或垂直双极型器件相同的方式形成所述源极和漏极，其中，形成双极型器件中的发射极帽的半导体层形成了JFET器件的沟道(16)，以及形成双极型器件的本征基极区的材料层(即，基极epi-迭层)形成了JFET器件的本征栅极区(14)。结果，可以在标准BiCMOS工艺中实现JFET器件的集成，而无需任何附加掩模或其他处理步骤。

公开(公告)号：CN111293115B

公开(公告)日：2024-11-19

申请号：CN201911240162.1

申请日：2019-12-06

Applicant: 英飞凌科技奥地利有限公司

Inventor： R·魏斯 ,  R·亨施 ,  A·马哈茂德

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/098 ,  H01L27/12 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8232

Abstract: 本发明公开了一种方法，其包括在载体(200)的顶部上形成层堆叠体，该层堆叠体具有第一掺杂类型的多个第一层(110)和与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的多个第二层(120)。形成该层堆叠体包括在载体(200)上形成多个外延层(140n)。形成多个外延层(140n)中的每一个包括沉积半导体材料层；在相应的半导体材料层的不同垂直位置处形成第一类型或第二类型之一的至少两个第一注入区域；以及形成与第一注入区域的类型互补的类型的至少一个第二注入区域，其中交替地布置第一注入区域和第二注入区域。

公开(公告)号：CN112670349B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202011383597.4

申请日：2014-07-14

Applicant: 太浩研究有限公司

Inventor： W·M·哈菲兹 ,  C-H·简

IPC: H01L29/808 ,  H01L27/098 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L29/8605 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/329

Abstract: 描述了用于基于鳍状物的电子设备的固体源扩散的结。在一个示例中，在衬底上形成鳍状物。在衬底之上并且在鳍状物的下部部分之上沉积第一掺杂剂类型的玻璃。在衬底和鳍状物之上沉积第二掺杂剂类型的玻璃。对玻璃进行退火以将掺杂剂驱动到鳍状物和衬底中。去除玻璃并且在鳍状物之上形成不接触鳍状物的下部部分的第一接触部和第二接触部。

公开(公告)号：CN118281042A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410679381.4

申请日：2024-05-29

Applicant: 无锡芯朋微电子股份有限公司

Inventor： 张弛 ,  祖健 ,  唐峰辉 ,  陈飞鹭 ,  王钦 ,  祝靖 ,  李海松

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/808 ,  H01L21/336 ,  H01L27/088 ,  H01L27/098 ,  H01L21/8232

Abstract: 本申请涉及半导体器件技术领域，特别是涉及一种碳化硅结型场效应管、集成器件及其制备方法。所述碳化硅结型场效应管包括：第一导电类型阱区，设置在漂移区中，所述漂移区中还设置有第一导电类型深阱区，所述第一导电类型深阱区内设置有第一导电类+接触区，所述第一导电类型阱区上表面设置有相互连接的第二导电类+接触区和第二导电类‑沟道区，所述第二导电类‑沟道区延伸至所述第一导电类型阱区与所述第一导电类型深阱区之间的漂移区；所述第一导电类型深阱区的深度大于所述第一导电类型阱区的深度，所述第一导电类型深阱区的掺杂浓度低于所述第一导电类型阱区的掺杂浓度。本申请的碳化硅结型场效应管，兼顾高夹断电压与高击穿电压。

公开(公告)号：CN117393566A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202310960764.4

申请日：2023-08-01

Applicant: 北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司

Inventor： 任烨 ,  吴旭升

IPC: H01L27/092 ,  H01L27/098 ,  H01L21/8234

Abstract: 本申请提供半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域的半导体衬底表面都形成有栅极结构，每个栅极结构两侧的半导体衬底中都分别形成有源极和漏极；其中，所述第一区域的源极包括第二高掺杂外延层，所述第一区域的漏极包括第一低掺杂外延层和第一高掺杂外延层，所述第二区域的源极包括第一高掺杂外延层，所述第二区域的漏极包括第二低掺杂外延层和第二高掺杂外延层。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以减少MOSFET器件和TFET器件混合集成的半导体结构中外延生长工艺的时间，提高工艺效率，节约成本。

公开(公告)号：CN114695564B

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202210208877.4

申请日：2022-03-04

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 孔谋夫 ,  王彬 ,  胡泽伟

IPC: H01L29/808 ,  H01L29/10 ,  H01L27/098

Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，涉及碳化硅半导体器件及集成电路，具体提供一种高压碳化硅功率场效应晶体管及高低压集成电路，以解决传统SiC MOSFET器件的沟道迁移率低、导通电阻高以及高温栅氧可靠性的问题；同时，基于该高压碳化硅功率场效应晶体管器件，实现其与低压器件的同一衬底集成，为新型的SiC集成电路及功率集成电路技术提供新的实现途径。本发明高压碳化硅功率场效应晶体管的沟道迁移率大大增加，比导通电阻大大降低；同时，由于新型场效应晶体管没有栅氧介质层，能够避免SiC MOSFET的栅氧高温可靠性问题，使得器件能够在高温工作，而且新型场效应晶体管能够很好的实现高低压器件的集成，能够较好地用于高温集电路和高温功率集成电路。