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公开(公告)号：CN113973437A
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN202111057189.4
申请日：2021-09-09
Applicant: 九江德福科技股份有限公司 , 甘肃德福新材料有限公司
IPC: H05K3/18
Abstract: 本发明公开了一种高速高频信号传输线路板用铜箔的表面处理方法，以为高速高频信号用的印刷线路板提供一种具有较低的轮廓度且同时满足抗剥离性能要求的原料铜箔，更为5G通讯提供一种不含铁磁性金属元素、具有出色的PIM性能的铜箔。方法包括：在含铜电解溶液中，加入分散剂和纳米氧化铝颗粒，使其充分混合，在铜箔表面进行电化学共沉积，形成高比表面积结构的金属复合沉积层。依次在该复合层上电镀铜层、锌层和铬层，然后涂覆硅烷偶联剂，形成完整的处理层。该处理层具有厚度小，比表面积大，粗糙度低，抗剥离强度高的特点。工艺简单，能够满足高频高速信号的无源互调PIM功能，在5G高频高速通讯领域存在可观的应用前景。
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公开(公告)号：CN112680751A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011421257.6
申请日：2020-12-08
Applicant: 九江德福科技股份有限公司 , 甘肃德福新材料有限公司
IPC: C25D1/04
Abstract: 本发明公开了一种高强度电子铜箔制备方法，包括以下步骤：步骤S1，将铜杆、铜线、氯化物用硫酸溶解成水溶液，作为主电解液，所述主电解液中铜、硫酸的含量分别为60‑100g/L、70‑160g/L、0‑25mg/L；步骤S2，向主电解液中放入添加剂，所述添加剂包含A剂、B剂、C剂，且浓度分别为3‑50mg/L、5‑80 mg/L、1‑20mg/L，步骤S3，在温度为35‑65℃、流量为45m‑503/h、电流密度为2000‑8200A/m2的条件下，对放有添加剂的主电解液进行电解；步骤S4：主电解液电解在阴极上电沉积厚9‑105um。本发明提供一种高强度电子铜箔制备方法，这种制备方法生产的电子铜箔，具有抗拉强度高、延伸率高，厚度均匀的优点，可满足超高密度印刷线路板的发展需要。
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公开(公告)号：CN119110495A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411258170.X
申请日：2024-09-09
Applicant: 九江德福科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种载体铜箔及其覆铜板的制备方法，区别于常规载体铜箔结构，本发明在载体铜箔中仅包含载体铜层、剥离层及粗糙化处理层，与树脂板材压合后剥离，仅保留嵌入树脂的粗糙化铜瘤，剥离层、载体铜层与树脂分离。本发明扩大了同款载体铜箔的兼容性，又避免了超薄铜层与载体铜层的分离步骤，减少了超薄铜层因分离造成的表面缺陷，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN116240479B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202310110182.7
申请日：2023-02-14
Applicant: 九江德福科技股份有限公司
IPC: C22F3/00 , B23K26/354
Abstract: 本发明涉及一种电解铜箔用钛辊表面重构化的处理方法，通过激光束的作用下将钛辊表面的晶粒快速熔化、重构、冷却凝固，通过该方式重构成形的钛辊表面晶粒细小，微观组织更加致密，从而提高钛辊表面的抗氧化性和稳定性。该钛辊表面处理技术具有快速、简单、无污染且均匀一致等优点，而且所得到的表面重构化层耐腐蚀能力强、稳定性好。经过此方法处理的钛辊连续运行周期长，电解生产的铜箔质量稳定，可以显著提高电解铜箔生产效率。
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公开(公告)号：CN118223094A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410249548.3
申请日：2024-03-05
Applicant: 九江德福科技股份有限公司 , 九江德富新能源有限公司
Abstract: 本发明公开了一种自支撑可剥离极薄附载体铜箔及覆铜层压板生产方法，具体包括以下步骤：步骤一、石墨预处理：通过等离子体对石墨表面进行活化预处理，增强石墨表面的反应活性；步骤二、电化学沉积极薄铜层；步骤三、极薄铜层表面处理；步骤四、层压覆铜板；步骤五、覆铜层压板分板；步骤六、等离子体去除剥离层；本发明涉及电子信息材料生产加工技术领域。该自支撑可剥离极薄附载体铜箔及覆铜层压板生产方法，结构简化，石墨既作为结构支撑的载体又发挥着剥离层的作用；流程简单，不需要额外制作剥离层的步骤；效率提升，一次层压后经过分板和等离子体处理可以获得两张覆铜层压板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117926350A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410043705.5
申请日：2024-01-11
Applicant: 九江德福科技股份有限公司 , 九江德富新能源有限公司
Abstract: 本发明公开了一种可剥离负载体铜箔的生产方法，具体包括以下步骤：S01、电化学沉积载体铜层：在电解生箔机台通过直流电化学沉积在含有添加剂的硫酸铜电解液中通过沉积厚度不低于12μm的载体铜层；S02、剥离层制备：通过化学沉积或电化学沉积的方式在载体铜层的光面生成具有一定厚度的剥离层，本发明涉及电子电路材料加工技术领域。该可剥离负载体铜箔的生产方法，生产流程简化，可以实现可剥离负载体铜箔的一站式生产；成品率提高，从源头上取消了各工序之间的上下卷操作，大幅降低了各工序轮转过程中出现褶皱和报废的风险。
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公开(公告)号：CN117286463A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311105066.2
申请日：2023-08-30
Applicant: 九江德福科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具备较高剥离效率的载体铜箔的制备方法，包括如下步骤：a、真空镀金属打底层；b、离子源辅助溅射沉积剥离层；c、镀金属种子铜层；d、种子铜层加厚及表面处理。本发明利用金属靶材氧化物掺杂比例、离子源辅助溅射沉积功率、剥离层溅射时间及功率的调控，实现载体铜箔极薄铜层与载体的结合力精确调控，确保剥离效果稳定，且该方法生产制备载体铜箔绿色无污染，打破了国外产品技术壁垒，具有重大经济价值与科研价值。
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公开(公告)号：CN117265530A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311144731.9
申请日：2023-09-06
Applicant: 九江德福科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种消除复合铜箔透光点的方法，包括以下步骤：a、将高分子聚合物薄膜表面进行电晕，使其表面活化；b、采用真空磁控溅射的方式在高分子聚合物薄膜表面进行溅射金属层，使其表面金属化；c、对已金属化的高分子聚合物薄膜经离子风机进行除静电处理；d、将已除静电的高分子聚合物薄膜浸入有润湿剂的水溶液中，进行润湿处理；e、将经过润湿处理的高分子聚合物薄膜进行电镀沉积铜至指定厚度，得到复合铜箔。本发明制备的复合铜箔，可有效消除复合铜箔的透光点，使复合铜箔表面铜层更加的连续和紧密，有效改善了复合铜箔的导电率，更提高了复合铜箔在锂电池电解液中的稳定性、可靠性和耐久性。
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公开(公告)号：CN117004997A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310657007.X
申请日：2023-06-05
Applicant: 九江德福科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种超低轮廓HVLP电解铜箔的生产方法及其用途，属于电解铜箔技术领域，以解决铜箔可加工性中尽量杜绝引入非铜金属的问题。该方法包括添加剂辅助电化学沉积超低轮廓生箔、添加剂辅助电化学微细粗糙化处理、零含量铁磁性功能层构建、化学结合层适配与构建。本发明方法生产的超低轮廓电解铜箔具有超低的表面轮廓度、微细粗糙化化组织、特殊形貌粗化组织、不含铁磁性金属含量、稳定的抗剥离性能、出色的信号完整性等典型特征；在加工覆铜板产品时，电解铜箔与树脂基材之间的结合强度也足够。且由于产品不含铁磁性金属含量，作为PCB产品的原料，从根本上消除铁磁性金属对信号传输的不利影响，保证信号的完整性。
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公开(公告)号：CN116609369A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310550157.0
申请日：2023-05-16
Applicant: 九江德福科技股份有限公司
IPC: G01N23/203 , G01N1/28 , G01N1/32 , G01B15/06
Abstract: 本发明涉及材料微观分析技术领域，公开了一种铜箔微观晶粒应变的分析方法，包括如下步骤：S1、准备铜箔样品，确定待分析铜箔样品表面为截面；S2、剪取铜箔样品；S3、抛光铜箔样品表面，将铜箔样品放入离子束切割抛光仪，对铜箔样品表面进行抛光；S4、对S3中的抛光后的铜箔样品采用电子背散射衍射分析技术设备进行测试；S5、对S4中得到的测试结果进行图像匹配分析处理，得到样品的内核平均取向差、晶粒取向散布和晶粒参照取向偏差角分布数据。本发明对铜箔进行离子抛光并通过EBSD技术得到了样品的内核平均取向差、晶粒取向散布和晶粒参照取向偏差角分布数据，实现了铜箔材料断裂、翘曲的原因以及晶粒变形情况的可视化。
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