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公开(公告)号：CN111825533A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010295641.X
申请日：2020-04-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07C39/17 , C07C233/75 , C07D207/404 , C07D209/48 , C07D403/14 , C08F22/40 , C08L101/02 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/26 , G03F7/36 , H01L21/02 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及有机膜形成用材料、基板、有机膜的形成方法、图案形成方法、以及有机膜形成用化合物。本发明课题的目的为提供一种含有酰亚胺基的化合物，其不仅在空气中，在惰性气体中的成膜条件亦会硬化，能形成耐热性、形成于基板的图案的填埋、平坦化特性优良且对基板的密接性良好的有机下层膜，并提供含有该化合物的有机膜形成用材料。该课题的解决方法为一种有机膜形成用材料，其特征为含有：(A)下述通式(1A)表示的有机膜形成用化合物、及(B)有机溶剂。[化1] [化2] [化3][化4]但，上述通式(1B)中，W1为[化5]时，R1不为[化6] 中的任一者。
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公开(公告)号：CN111662249A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010147905.7
申请日：2020-03-05
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07D303/40 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039
Abstract: 本发明涉及环氧化合物、抗蚀剂组合物、及图案形成方法。本发明的课题为提供无损感度而能适当地控制产生自产酸剂的酸的扩散长度的抗蚀剂组合物、及使用了该抗蚀剂组合物的图案。该课题的解决方法为以下式(1)表示的环氧化合物、及含有该环氧化合物的抗蚀剂组合物。式中，X1及X2分别独立地为-CH2-或-O-。kA为0或1。R1及R2分别独立地为碳数4～20的叔烃基、或选自于下式中的基团。式中，虚线为价键。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111057088A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201910984985.9
申请日：2019-10-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C07F7/18
Abstract: 本发明的目的在于提供一种在产业上有用的、具有脂环结构(特别是降冰片烷环)与羰基的水解性硅化合物的高效的工业制备方法。一种硅化合物的制备方法，其为基于下述通式(1)所示的氢硅烷化合物与下述通式(2)所示的含羰基脂环烯烃化合物的氢化硅烷化反应的下述通式(3)所示的硅化合物的制备方法，其特征在于，在铂类催化剂的存在下，逐渐添加酸性化合物或酸性化合物前体，并同时进行氢化硅烷化反应。[化学式1]
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公开(公告)号：CN109426076A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810985279.1
申请日：2018-08-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/00 , G03F7/09 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种有机膜形成用组合物，其即使在用于防止基板腐蚀的不活性气体中的成膜条件下也不产生副产物，不仅形成于基板上的图案的嵌入和平坦化特性优异，而且能够形成基板加工时的干法蚀刻耐性也良好的有机膜，进一步，即使在该有机膜上形成CVD硬掩模时，该膜的膜厚也不因热分解而变动。本发明为一种有机膜形成用组合物，其特征在于，含有(A)具有下述通式(1)所示的重复单元的聚合物及(B)有机溶剂。[化学式1]
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公开(公告)号：CN107540491A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710387797.9
申请日：2017-05-27
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种糖醇化合物的金属低减法，所述方法用于得到能够适用于半导体装置制造工序的品质的糖醇化合物。所述糖醇化合物的金属低减法包含：(A)使用保护基团，保护含有作为杂质的金属的糖醇化合物的羟基的保护工序，(B)从上述羟基通过保护基团受到保护的糖醇化合物中，除去作为杂质的金属的金属除去工序，以及(C)对上述除去了金属的糖醇化合物的保护基团进行脱保护的脱保护工序。
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公开(公告)号：CN102591152A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110442501.1
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0382 , Y10S430/114 , Y10S430/128
Abstract: 本发明是一种化学增幅型光阻组合物，其至少含有1种或2种以上的具有羧基且不含有共价键结于碱性中心即氮上的氢的胺化合物或氧化胺化合物，但排除胺及氧化胺的氮原子被包含于芳香环的环状结构的情形。由此，可提供一种化学增幅光阻材料等的光阻材料、及使用此材料的图案形成方法，该光阻材料在用于微加工的微影成像术且特别是使用KrF激光、ArF激光、F2激光、极短紫外线、电子射线、X射线等作为曝光光源的微影术中，可赋予高解像性，同时在基板界面也能赋予良好图案形状。
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公开(公告)号：CN101625524A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200910140187.4
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0382 , Y10S430/114 , Y10S430/128
Abstract: 本发明是一种化学增幅型光阻组合物，其至少含有1种或2种以上的具有羧基且不含有共价键结于碱性中心即氮上的氢的胺化合物或氧化胺化合物，但排除胺及氧化胺的氮原子被包含于芳香环的环状结构的情形。由此，可提供一种化学增幅光阻材料等的光阻材料、及使用此材料的图案形成方法，该光阻材料在用于微加工的微影成像术且特别是使用KrF激光、ArF激光、F2激光、极短紫外线、电子射线、X射线等作为曝光光源的微影术中，可赋予高解像性，同时在基板界面也能赋予良好图案形状。
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