公开(公告)号：CN104591741B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201510086371.0

申请日：2015-02-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨治华 ,  张茜 ,  蔡德龙 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 一种SiNCB陶瓷材料的制备方法，涉及一种陶瓷材料的制备方法。本发明是要解决现有方法制备的SiNCB陶瓷材料容易析晶，高温下不稳定的问题。方法：一、将氮源、硅源、缚酸剂和溶剂放入具有惰性气体保护的反应器中，室温条件下反应；二、将反应产物真空抽滤，与硼烷四氢呋喃混合，放入反应器中反应；三、向反应器中加入三氯化硼正己烷溶液，反应后升温至室温；四、将产物抽滤，真空旋转蒸发，得到陶瓷前驱体；五、将陶瓷前驱体放入管式炉中，热解，随炉冷却至室温，即得到SiNCB陶瓷材料。在1450℃下具有优良的抗氧化性，可长期使用不分解，不晶化。本发明应用于硅基陶瓷材料领域。

公开(公告)号：CN104591741A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201510086371.0

申请日：2015-02-17

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 杨治华 ,  张茜 ,  蔡德龙 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622

Abstract: 一种SiNCB陶瓷材料的制备方法，涉及一种陶瓷材料的制备方法。本发明是要解决现有方法制备的SiNCB陶瓷材料容易析晶，高温下不稳定的问题。方法：一、将氮源、硅源、缚酸剂和溶剂放入具有惰性气体保护的反应器中，室温条件下反应；二、将反应产物真空抽滤，与硼烷四氢呋喃混合，放入反应器中反应；三、向反应器中加入三氯化硼正己烷溶液，反应后升温至室温；四、将产物抽滤，真空旋转蒸发，得到陶瓷前驱体；五、将陶瓷前驱体放入管式炉中，热解，随炉冷却至室温，即得到SiNCB陶瓷材料。在1450℃下具有优良的抗氧化性，可长期使用不分解，不晶化。本发明应用于硅基陶瓷材料领域。

公开(公告)号：CN103819180A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201410090220.8

申请日：2014-03-13

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 贾德昌 ,  蔡德龙 ,  杨治华 ,  段小明 ,  梁斌 ,  苑景坤 ,  李倩 ,  闫姝 ,  周玉

IPC: C04B35/14 ,  C04B35/5833 ,  C04B35/5835 ,  C04B35/622

Abstract: 一种BN-MAS陶瓷复合材料及其制备方法，涉及一种氮化硼基陶瓷复合材料及其制备方法。本发明是要解决现有氮化硼陶瓷材料生产中烧结温度过高、烧结压力过大导致成本高、效率低的技术问题。一种BN-MAS陶瓷复合材料由MgO粉末、Al2O3粉末、非晶SiO2粉末和六方BN粉末制成。制备方法为：一、称量；二、球磨制浆；三、干燥制粉；四、装模预压；五、烧结处理，即得BN-MAS陶瓷复合材料。本发明的BN-MAS陶瓷复合材料的致密度为99.4％，抗弯强度为213.2MPa±24.8MPa，介电常数为5.81，介电损耗角正切值为6.57×10-3。本发明应用于BN-MAS陶瓷复合材料的制备领域。

公开(公告)号：CN103803957A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201410089785.4

申请日：2014-03-12

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 贾德昌 ,  蔡德龙 ,  杨治华 ,  王胜金 ,  张茜 ,  段小明 ,  苗洋 ,  李权 ,  周玉

IPC: C04B35/185 ,  C04B35/622

Abstract: 一种超低热膨胀系数的堇青石陶瓷材料及其制备方法，涉及一种堇青石陶瓷材料及其制备方法。本发明是要解决现有堇青石陶瓷材料制备过程复杂，制备的堇青石陶瓷材料中α型堇青石含量低，弯曲强度低，热膨胀系数高的技术问题。一种超低热膨胀系数的堇青石陶瓷材料由氧化镁粉末、纳米氧化铝粉末和非晶二氧化硅粉末混合制成。制备方法为：一、称量；二、球磨制浆；三、干燥制粉；四、烧结处理，即得堇青石陶瓷材料。本发明的堇青石陶瓷材料的致密度达99.9％，抗弯强度可达到220.5～332.7MPa，介电常数达到4.81～6.75，热膨胀系数为0.5×10-6～1.8×10-6℃-1。本发明应用于堇青石陶瓷材料的制备领域。

公开(公告)号：CN119638443A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411808826.0

申请日：2024-12-10

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李达鑫 ,  陈敏 ,  赵晓彤 ,  吕秋月 ,  周国相 ,  杨治华 ,  蔡德龙 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/589 ,  C04B35/596 ,  C04B35/5835 ,  C04B35/622 ,  C04B35/626 ,  C04B35/63 ,  C04B35/632 ,  B33Y70/10 ,  B33Y10/00

Abstract: 一种直写式3D打印用SiBCN陶瓷浆料及其制备方法和打印方法，它属于陶瓷增材制造领域。本发明要解决现有直写打印中SiBCN前驱体填料选择和分散不均的问题。浆料：它由固化后的聚硼硅氮烷PBSZ粉体、无机流变助剂、流变增效剂及聚硼硅氮烷PBSZ液体制备而成。制备方法：一、聚硼硅氮烷PBSZ固化；二、球磨破碎；三、称取；四、浆料制备。打印方法：一、打印初坯；二、固化和烧结。本发明用于直写式3D打印用SiBCN陶瓷浆料及其制备和打印。

公开(公告)号：CN116947490B

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202310946144.5

申请日：2023-07-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李达鑫 ,  林坤鹏 ,  张祎 ,  牛孜博 ,  杨治华 ,  蔡德龙 ,  段文九 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/515 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明提供了一种低温烧结致密块体陶瓷材料及其制备方法，涉及陶瓷材料技术领域。制备方法包括以无机陶瓷粉体和前驱体溶液/粉体为原料，经混合分散后，制得混合粉体，其中，前驱体溶液/粉体占混合粉体的重量百分比为10‑40wt％；将混合粉体在保护气氛下进行低温烧结，得到低温烧结致密块体陶瓷材料。本发明中，前驱体溶液/粉体在高温下发生裂解生成无机非晶陶瓷相，均匀包覆和填充在原有无机陶瓷粉体表面与空隙中，在烧结过程这些无机非晶陶瓷网络结构为原有无机陶瓷粉体颗粒的重排提供了驱动力，进而实现无机陶瓷粉体的低温烧结致密化得到致密的块体陶瓷材料。本发明所制备的块体陶瓷材料具有高的致密度,高的强度和良好的抗氧化性能。

公开(公告)号：CN116947490A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310946144.5

申请日：2023-07-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李达鑫 ,  林坤鹏 ,  张祎 ,  牛孜博 ,  杨治华 ,  蔡德龙 ,  段文九 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/515 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明提供了一种低温烧结致密块体陶瓷材料及其制备方法，涉及陶瓷材料技术领域。制备方法包括以无机陶瓷粉体和前驱体溶液/粉体为原料，经混合分散后，制得混合粉体，其中，前驱体溶液/粉体占混合粉体的重量百分比为10‑40wt％；将混合粉体在保护气氛下进行低温烧结，得到低温烧结致密块体陶瓷材料。本发明中，前驱体溶液/粉体在高温下发生裂解生成无机非晶陶瓷相，均匀包覆和填充在原有无机陶瓷粉体表面与空隙中，在烧结过程这些无机非晶陶瓷网络结构为原有无机陶瓷粉体颗粒的重排提供了驱动力，进而实现无机陶瓷粉体的低温烧结致密化得到致密的块体陶瓷材料。本发明所制备的块体陶瓷材料具有高的致密度,高的强度和良好的抗氧化性能。

公开(公告)号：CN116924819A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202310892003.X

申请日：2023-07-19

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李达鑫 ,  窦文皓 ,  杨明达 ,  刘倍材 ,  卢荣光 ,  刘策 ,  杨治华 ,  贾德昌 ,  蔡德龙 ,  周玉

IPC: C04B35/80 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明涉及高温结构陶瓷材料技术领域，具体而言，涉及一种SiBCN复合材料及其制备方法；所述SiBCN复合材料由短碳纤维、SiBCN粉末和混合助剂复合而成，其中，所述混合助剂包括BaCO3粉体、Al2O3粉体和SiO2粉体。本发明提供的SiBCN复合材料，同时具备较高的韧性和较高的强度；本发明提供的SiBCN复合材料的制备方法，不需要采用特殊的复合材料制备技术，操作简单。

公开(公告)号：CN116693297A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310735099.9

申请日：2023-06-20

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李达鑫 ,  牛孜博 ,  林坤鹏 ,  杨治华 ,  蔡德龙 ,  窦文皓 ,  段文九 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/65 ,  C04B35/645 ,  C04B35/626 ,  C04B35/628

Abstract: 一种具有PDCs‑SiBCN三维网络包覆结构的亚稳态SiBCN陶瓷的制备方法，本发明属于陶瓷领域。本发明要解决现有方法无法制备大尺寸致密SiBCN亚稳态陶瓷的问题。方法：一、非晶MA‑SiBCN纳米粉体制备；二、包覆粉体的制备；三、包覆粉体的温压‑裂解‑烧结三段式烧结工艺。本发明用于具有PDCs‑SiBCN三维网络包覆结构的亚稳态SiBCN陶瓷的制备。

公开(公告)号：CN116477952A

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202310515235.3

申请日：2023-05-09

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 李达鑫 ,  关景怡 ,  蔡德龙 ,  杨治华 ,  段文九 ,  贾德昌 ,  周玉

IPC: C04B35/56 ,  C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645 ,  C04B35/626

Abstract: 一种碳化钽铪‑硅硼碳氮陶瓷扩散偶的制备方法，它涉及扩散偶的制备方法。本发明要解决现有Ta4HfC5/SiBCN陶瓷扩散偶难以结合，界面结合强度差，扩散行为不明显的问题。制备方法：一、高能球磨制备非晶相SiBCN粉体；二、粉体装填至模具；三、热压烧结。本发明用于碳化钽铪‑硅硼碳氮陶瓷扩散偶的制备。