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公开(公告)号：CN108305645B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201711430804.5
申请日：2017-12-26
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7006 , C22C19/07 , C22C27/06 , C22C2202/02 , G11B5/653 , G11B5/7325
Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以W为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
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公开(公告)号：CN108305645A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201711430804.5
申请日：2017-12-26
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7006 , C22C19/07 , C22C27/06 , C22C2202/02 , G11B5/653 , G11B5/7325 , G11B5/731 , G11B5/70605 , G11B5/725 , G11B5/851
Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以W为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以W为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108242244A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711336207.6
申请日：2017-12-14
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/65 , G11B5/7325 , G11B5/851 , G11B11/10589 , G11B5/70605 , G11B5/70626 , G11B5/725 , G11B5/73 , G11B5/8404
Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有L10型结晶结构的合金进行了(001)配向的磁性层。所述底层包括第1底层。所述第1底层是含有以W为主成分的材料和氮化物并且所述氮化物的含量在1mol％～80mol％的范围内的结晶质层。所述氮化物包括从Al、B、Si、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo及W组成的组中选择的1种以上的元素的氮化物。
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公开(公告)号：CN107527633A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710439941.9
申请日：2017-06-12
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/82
CPC classification number: G11B5/1875 , G11B5/398 , G11B5/65 , G11B5/66 , G11B5/706 , G11B5/70615 , G11B5/716 , G11B5/73 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/8404 , G11B5/855
Abstract: 一种磁记录介质，包括：衬底；基底层，其形成在所述衬底上；以及(001)取向的L10磁性层，其形成在所述基底层上，并且包括第一磁性层和第二磁性层，其中，所述第一磁性层形成在所述基底层上，并且具有磁性晶粒和晶界部的粒状结构，所述晶界部包含C，并且所述第二磁性层形成在所述第一磁性层上，并且具有磁性晶粒和晶界部的粒状结构，所述晶界部包含氧化物或氮化物，所述第二磁性层还包含选自由Mg、Ni、Zn、Ge、Pd、Sn、Ag、Re、Au及Pb构成的组的一种以上的元素作为添加物。
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公开(公告)号：CN102270459B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201110140669.7
申请日：2011-05-26
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 磁记录介质和磁记录再生装置。本发明提供一种磁记录介质，是通过溅射工序在基板上形成了至少1个具有粒状结构的磁性层的磁记录介质，其特征在于，所述至少1个具有粒状结构的磁性层由包含Co合金的多个磁性粒子和将所述多个磁性粒子分离开的氧化物构成，并且，所述至少1个具有粒状结构的磁性层是通过使用了包含氧化钴且不包含金属Cr和Cr合金的任一者的靶材的溅射而形成的。上述具有粒状结构的磁性层的磁性粒子的平均粒径通常为6nm以下，磁性粒子的平均粒子间隔通常为1.5nm以上。具有由这样被微细化并且扩大了粒子间隔的磁性粒子形成的粒状磁性层的磁记录介质，能够应对高于现有程度的高记录密度化，且电磁转换特性优异。
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公开(公告)号：CN103226954A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310032007.7
申请日：2013-01-28
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65
Abstract: 本发明的热辅助磁记录介质，具备：基板、在基板上形成的基底层、和在基底层上形成的磁性层，磁性层含有具有L10结构的合金作为主成分，基底层由下述层构成：第1基底层，该第1基底层由非晶合金或具有微晶结构的合金构成；第2基底层，该第2基底层由Cr或以Cr为主成分的具有BCC结构的合金构成；第3基底层，该第3基底层由具有晶格常数为2.98埃以上的BCC结构的金属或合金构成；和第4基底层，该第4基底层由MgO构成。
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公开(公告)号：CN102270459A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110140669.7
申请日：2011-05-26
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 磁记录介质和磁记录再生装置。本发明提供一种磁记录介质，是通过溅射工序在基板上形成了至少1个具有粒状结构的磁性层的磁记录介质，其特征在于，所述至少1个具有粒状结构的磁性层由包含Co合金的多个磁性粒子和将所述多个磁性粒子分离开的氧化物构成，并且，所述至少1个具有粒状结构的磁性层是通过使用了包含氧化钴且不包含金属Cr和Cr合金的任一者的靶材的溅射而形成的。上述具有粒状结构的磁性层的磁性粒子的平均粒径通常为6nm以下，磁性粒子的平均粒子间隔通常为1.5nm以上。具有由这样被微细化并且扩大了粒子间隔的磁性粒子形成的粒状磁性层的磁记录介质，能够应对高于现有程度的高记录密度化，且电磁转换特性优异。
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