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公开(公告)号：CN1993818A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200580026461.5
申请日：2005-08-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/2236 , H01L21/268 , H01L21/28061 , H01L29/66575
Abstract: 提供了一种用于制造高精度的精细晶体管的方法，该晶体管在其中引入杂质的区域中具有源极/漏极区(310、320)。该方法包括在半导体衬底的前面上形成栅电极(340)的步骤，引入杂质从而夹置栅电极(340)的步骤，和激活杂质的步骤。引入杂质的步骤包括等离子体辐射步骤，且在激活步骤之前，形成反射防止膜(400)的步骤被包括从而在其中引入杂质的区域具有小的光反射率。
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公开(公告)号：CN1751381A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200480004634.9
申请日：2004-02-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 佐佐木雄一朗
IPC: H01L21/265 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/223 , H01L21/2236 , H01L21/2254 , Y10T117/10
Abstract: 本发明提供包括在半导体衬底的表面形成非晶层的工序以及在非晶化的上述半导体衬底上形成浅的杂质导入层的工序的杂质导入方法和该方法所使用的装置，特别是其特征在于，形成非晶层的工序是向上述半导体衬底的表面照射等离子体的工序，形成浅的杂质导入层的工序是向非晶化的上述表面导入杂质的工序。
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公开(公告)号：CN1741251A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510092358.2
申请日：2005-08-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/223
Abstract: 一种杂质导入方法和装置，其经济地能够精密地控制杂质导入量，并且能够抑制杂质深扩散。非晶质处理室包括：容器(1)、设于容器(1)内的试料台(2)、与试料台(2)相对设置的窗口(3)、隔着窗口(3)与试料台(2)相对的作为紫外线光源的五个Xe灯(4)。在试料台(2)上载置作为试料的硅基板(5)，从Xe灯(4)发出的紫外线照射硅基板(5)的表面，则硅基板(5)的表面附近的结晶结构被破坏，而进行非晶质化。然后，在已非晶质化的基板表面上施加离子供给处理、活性化处理，由此，能够在基板表面极浅地导入杂质。
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公开(公告)号：CN101151707B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200680010324.7
申请日：2006-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/677 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/67167 , H01J37/32412 , H01L21/2236
Abstract: 本发明的目的是当将导入固体试样中的杂质彼此混合时，防止最初期望的功能未展现，并且高精度地执行等离子体掺杂。为了区别可以混合的杂质和不应混合的杂质，首先区别核心的杂质导入机构。为了避免非常少量的杂质混合物，专门使用用于传送将处理的半导体衬底的机构和用于去除将形成在半导体衬底上的树脂材料的机构。
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公开(公告)号：CN101356625B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200780001172.9
申请日：2007-10-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/26513 , H01J37/32091 , H01J37/32412 , H01L21/2236
Abstract: 提供一种向试料表面导入的杂质浓度的再现性优良的等离子体掺杂方法以及装置。在真空容器(1)内，通过设于对置电极(3)的气体喷出孔(5)向载置在试料电极(6)上的基板(7)喷出气体，通过作为排气装置的涡轮分子泵(8)进行排气，利用调压阀(9)将真空容器(1)内保持为规定的压力，同时将对置电极(3)与试料电极(6)之间的距离相对于对置电极(3)的面积充分减小到等离子体不会向外扩散的程度，使对置电极(3)与试料电极(6)之间产生容量耦合型等离子体，进行等离子体掺杂。作为气体，使用含有乙硼烷或磷化氢等杂质的低浓度气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102272905A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980153637.1
申请日：2009-12-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66803 , H01L29/7854
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置在形成在衬底(11)上的鳍式半导体区域(13)的两侧部设置有延伸区域(17)。该半导体装置形成有跨越鳍式半导体区域(13)并与延伸区域(17)相邻的栅电极(15)。在与栅电极(15)相邻的区域的鳍式半导体区域(13)的上部形成有具有比延伸区域(17)高的电阻率的电阻区域(37)。
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公开(公告)号：CN100561670C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200710127002.7
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是一边将掺杂原料气体输入到装有等离子体发生装置的真空容器内，一边从真空容器内排出气体，通过装有作为2个可变阻抗器件的环形磁芯的等离子体发生装置用匹配电路，将高频功率供给等离子体发生装置而使上述真空容器内产生等离子体，将杂质添加到放置于上述真空容器内的试样电极的试样或者试样表面的膜中的等离子体掺杂方法，其特征在于，在保持产生等离子体的状态下，使气体的种类、气体流量、压力、高频功率这些控制参数中的至少1个控制参数发生变化。
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公开(公告)号：CN100543937C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200710111998.2
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是一边将掺杂原料气体输入到装有等离子体发生装置的真空容器内，一边从真空容器内排出气体，通过等离子体发生装置用匹配电路将高频功率供给等离子体发生装置而使上述真空容器内产生等离子体，将杂质添加到放置于上述真空容器内的试样电极的试样或者试样表面的膜中的等离子体掺杂方法，其特征在于，在保持产生等离子体的状态下，以1秒钟～5秒钟使气体的种类、气体流量、压力、高频功率这些控制参数中的至少1个控制参数发生变化。
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公开(公告)号：CN100514563C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200710127001.2
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01L21/263 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是在试样或者试样表面的膜中添加杂质的等离子体掺杂方法，其特征在于，包括以下3个阶段，第1阶段是在真空容器内的试样电极放置试样；第2阶段是通过一边将掺杂原料气体输入至上述真空容器内一边从真空容器内排出气体，将上述真空容器内的压力控制在第1压力的同时向等离子体源供给高频功率而使真空容器内产生等离子体；第3阶段是在保持产生等离子体的状态下，一边将上述真空容器内的压力控制在比上述第1压力低的第2压力，一边向等离子体源供给比在上述第2阶段的高频功率大的高频功率。
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公开(公告)号：CN100511593C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200710112000.0
申请日：2003-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/223 , H01J37/32 , H05H1/46
Abstract: 为了实现稳定的低浓度掺杂的等离子体掺杂方法，它是在试样或者试样表面的膜中添加杂质的等离子体掺杂方法，其特征在于，包括以下3个阶段，第1阶段是在真空容器内的试样电极放置试样；第2阶段是通过一边将含有氦气以外的惰性气体的气体作为掺杂原料气体输入至上述真空容器内一边从真空容器内排出气体，将上述真空容器内的压力控制在第1压力的同时向等离子体源供给高频功率而使上述真空容器内产生等离子体；第3阶段是在保持产生等离子体的状态下，一边将含有氦气的气体输入至上述真空容器内一边从真空容器内排出气体，将上述真空容器内的压力控制在比上述第1压力低的第2压力。
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