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公开(公告)号：CN101160643B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200680012508.7
申请日：2006-05-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/2236 , C23C14/48 , H01J37/32412
Abstract: 本发明提供了一种等离子体掺入方法，即使在等离子体处理重复时，每次可以实现从膜到硅基板的相同剂量。在该等离子体掺入方法中，样品安装在真空容器内的样品电极上，且等离子体在真空容器内产生以允许等离子体内的杂质离子碰撞到样品表面且因此在样品表面上形成杂质掺入层。该等离子体掺入方法包括提供真空容器的维护步骤，该真空容器具有设有包含上述杂质的膜的内壁，该膜起作用使得由于等离子体中离子轰击固定于该真空容器内壁上的该包含杂质的膜通过溅射引入样品表面内的杂质的数量保持不变，即使当该包含杂质离子的等离子体在真空容器内重复产生时；将该样品安装于样品电极上的步骤；以及施加该包含杂质离子的等离子体从而将杂质离子注入该样品，以及通过溅射固定到该真空容器内壁的包含杂质的膜而将该杂质引入样品的步骤。
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公开(公告)号：CN100555574C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200510092358.2
申请日：2005-08-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/223
Abstract: 一种杂质导入方法和装置，其经济地能够精密地控制杂质导入量，并且能够抑制杂质深扩散。非晶质处理室包括：容器(1)、设于容器(1)内的试料台(2)、与试料台(2)相对设置的窗口(3)、隔着窗口(3)与试料台(2)相对的作为紫外线光源的五个Xe灯(4)。在试料台(2)上载置作为试料的硅基板(5)，从Xe灯(4)发出的紫外线照射硅基板(5)的表面，则硅基板(5)的表面附近的结晶结构被破坏，而进行非晶质化。然后，在已非晶质化的基板表面上施加离子供给处理、活性化处理，由此，能够在基板表面极浅地导入杂质。
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公开(公告)号：CN100517573C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200580018635.3
申请日：2005-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/2236 , H01L21/0276
Abstract: 一种掺入杂质的方法包括：通过等离子体掺入方法将杂质引入固态基体，以形成杂质掺入区域的步骤；在该固态基体上形成起着降低光反射的功能的抗光反射膜的步骤；测量杂质掺入区域的光学特性和厚度的步骤；基于所述测量的光学特性和厚度选择所述抗光反射层的步骤；以及通过光辐射执行退火的步骤。降低了退火时辐射光的反射率，有效地将能量引入杂质掺入层中，改善了激活效率，在防止扩散的同时降低杂质掺入层的薄层电阻。
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公开(公告)号：CN101160643A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200680012508.7
申请日：2006-05-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/22
CPC classification number: H01L21/2236 , C23C14/48 , H01J37/32412
Abstract: 本发明提供了一种等离子体掺入方法，即使在等离子体处理重复时，每次可以实现从膜到硅基板的相同剂量。在该等离子体掺入方法中，样品安装在真空容器内的样品电极上，且等离子体在真空容器内产生以允许等离子体内的杂质离子碰撞到样品表面且因此在样品表面上形成杂质掺入层。该等离子体掺入方法包括提供真空容器的维护步骤，该真空容器具有设有包含上述杂质的膜的内壁，该膜起作用使得由于等离子体中离子轰击固定于该真空容器内壁上的该包含杂质的膜通过溅射引入样品表面内的杂质的数量保持不变，即使当该包含杂质离子的等离子体在真空容器内重复产生时；将该样品安装于样品电极上的步骤；以及施加该包含杂质离子的等离子体从而将杂质离子注入该样品，以及通过溅射固定到该真空容器内壁的包含杂质的膜而将该杂质引入样品的步骤。
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公开(公告)号：CN101356625B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200780001172.9
申请日：2007-10-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/26513 , H01J37/32091 , H01J37/32412 , H01L21/2236
Abstract: 提供一种向试料表面导入的杂质浓度的再现性优良的等离子体掺杂方法以及装置。在真空容器(1)内，通过设于对置电极(3)的气体喷出孔(5)向载置在试料电极(6)上的基板(7)喷出气体，通过作为排气装置的涡轮分子泵(8)进行排气，利用调压阀(9)将真空容器(1)内保持为规定的压力，同时将对置电极(3)与试料电极(6)之间的距离相对于对置电极(3)的面积充分减小到等离子体不会向外扩散的程度，使对置电极(3)与试料电极(6)之间产生容量耦合型等离子体，进行等离子体掺杂。作为气体，使用含有乙硼烷或磷化氢等杂质的低浓度气体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102272905A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200980153637.1
申请日：2009-12-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66803 , H01L29/7854
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置在形成在衬底(11)上的鳍式半导体区域(13)的两侧部设置有延伸区域(17)。该半导体装置形成有跨越鳍式半导体区域(13)并与延伸区域(17)相邻的栅电极(15)。在与栅电极(15)相邻的区域的鳍式半导体区域(13)的上部形成有具有比延伸区域(17)高的电阻率的电阻区域(37)。
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公开(公告)号：CN101356625A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200780001172.9
申请日：2007-10-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/26513 , H01J37/32091 , H01J37/32412 , H01L21/2236
Abstract: 提供一种向试料表面导入的杂质浓度的再现性优良的等离子体掺杂方法以及装置。在真空容器(1)内，通过设于对置电极(3)的气体喷出孔(5)向载置在试料电极(6)上的基板(7)喷出气体，通过作为排气装置的涡轮分子泵(8)进行排气，利用调压阀(9)将真空容器(1)内保持为规定的压力，同时将对置电极(3)与试料电极(6)之间的距离相对于对置电极(3)的面积充分减小到等离子体不会向外扩散的程度，使对置电极(3)与试料电极(6)之间产生容量耦合型等离子体，进行等离子体掺杂。作为气体，使用含有乙硼烷或磷化氢等杂质的低浓度气体。
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公开(公告)号：CN101151711A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010367.5
申请日：2006-03-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265 , H01L21/22
CPC classification number: H01J37/32935 , H01J37/32412 , H01L21/67115 , H01L22/20 , H01L22/26
Abstract: 等离子体掺杂方法和设备，通过其可以提供样品中引入的杂质的出色注入深度或非晶层的深度的出色的可重复性和可控性。在所述等离子体掺杂方法，在真空室中产生等离子体并且通过允许等离子体中的离子与样品的表面碰撞从而将晶体样品的表面改性为非晶态。该等离子体掺杂方法包括：在伪样品上进行等离子体照射从而与预定数量的样品一起进行非晶化处理，在采用所述等离子体照射的伪样品的表面上照射光，且测量伪样品表面的光学特性。控制样品处理条件，使得由测量步骤获得的光学特性具有希望的值。
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公开(公告)号：CN101151710A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010314.3
申请日：2006-03-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01L21/2236 , H01J37/32412
Abstract: 一种等离子体掺杂方法和装置，形成于样品表面上的非晶层具有出色的面内均匀性。一种等离子体掺杂方法，其在真空腔内产生等离子体，并使该等离子体内的杂质碰撞样品表面以将样品表面改性为非晶态，其中等离子体辐射时间被调整以改善面内均匀性。如果等离子体辐射时间太短，则等离子体内的变化转移到硅基板上非晶层的深度，从而使面内均匀性恶化。如果等离子体辐射时间太长，使用等离子体溅射硅基板表面的效应占优势，从而使面内均匀性恶化。优选地发现介于其间的合适的等离子体辐射时间以提供良好的面内均匀性并在该时间内执行等离子体掺杂。
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公开(公告)号：CN101076879A
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200580042734.5
申请日：2005-12-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/22 , H01L21/265
Abstract: 目的是实现一种能够精确控制剂量来改善剂量的面内均匀性的等离子体掺杂方法。该等离子体掺杂方法基于这样的发现而且注意到结果，如果通过用B2H6等离子体照射硅基板且该硅基板被偏置，则对于一时间段硼的剂量基本固定，且比可以确保装置控制的重复性的时间，饱和时间更长且更稳定。当等离子体照射开始时，剂量最初增加，但是随后剂量继续为基本固定而与时间变化无关。另外，如果时间进一步增加，则剂量减少。如果剂量基本固定而与时间变化无关的该时间段被采用作为工艺窗，则可以精确控制剂量。
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