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公开(公告)号：CN1820383A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200580000627.6
申请日：2005-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种非水电解液二次电池，其包括：正极；负极；在正极和负极之间插入的分隔层；非水电解液；以及附着在选自正极和负极中的至少一个的表面上的多孔绝缘膜，该多孔绝缘膜包括无机氧化物填料和膜粘结剂，其中分隔层的实际体积与表观体积之比R不小于0.4不大于0.7，且比值R和多孔绝缘膜的孔隙率P满足关系式：－0.10≤R－P≤0.30。
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公开(公告)号：CN1767224A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510109947.7
申请日：2001-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 半导体装置具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底上的III族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的III族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。
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公开(公告)号：CN1240137C
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN02107047.4
申请日：2002-03-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L29/2003
Abstract: 确实防止在利用了含有GaN的半导体的异质结构的FET中，漏极电流的减少而使FET的操作很稳定，并减小欧姆电极的接触电阻。在衬底101上，依次形成由GaN膜制成的缓冲层103及由AlGaN膜制成的电子供给层104。电子供给层104的上面被由n型InGaAlN膜制成的盖层105盖住。在盖层105中规定区域上的凹部及其上部，形成了和电子供给层104相连的栅电极106，同时在盖层105上栅电极106的两侧形成了源电极107及漏电极108。
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公开(公告)号：CN1516306A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN02152712.1
申请日：1998-02-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/625 , H01M6/10 , H01M10/052 , H01M10/0587 , H01M2004/028 , Y02E60/122
Abstract: 提供一种二次电池，能够在循环寿命末期防止锂在负极上沉积、循环性能好并具有高安全性和可靠性。在可再充电的非水解液二次电池中，正极包含活性物质和导电材料，导电材料采用凯提恩炭黑、凯提恩炭黑和片状石墨的混合物或凯提恩炭黑和乙炔黑的混合物。
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公开(公告)号：CN1507093A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310119666.0
申请日：1998-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M4/0483 , H01M4/0404 , H01M4/0416 , H01M4/043 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/364 , H01M4/602 , H01M4/621 , H01M4/622 , H01M6/10 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/027
Abstract: 一种非水电解液二次电池用负极，它使用一种能够吸收和放出锂的碳材料和粘合剂作为负极材料，其特征在于，上述的碳材料是石墨材料，而且，作为上述负极材料的粘合剂使用选自乙烯－丙烯酸共聚物、乙烯－丙烯酸盐共聚物、乙烯－丙烯酯甲酯共聚物、乙烯－甲基丙烯酸共聚物、乙烯－甲基丙烯酸盐共聚物、乙烯－甲基丙烯酸甲酯共聚物中的乙烯含量在70％以上至95％以下的粘合剂的至少一种。使用该负极，并通过配备能够再充电的正极和非水电解液，可以提供一种负极合剂的剥离强度大、操作性优良、在大规模生产工序中的可靠性高，而且具有优良低温放电特性和循环特性的非水电解液二次电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1151572C
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN98802493.4
申请日：1998-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M4/0483 , H01M4/0404 , H01M4/0416 , H01M4/043 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/364 , H01M4/602 , H01M4/621 , H01M4/622 , H01M6/10 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/027
Abstract: 使用能够吸收、放出锂的石墨材料作为非水电解液二次电池用的负极材料的方法，该负极材料通过使用选自聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚丙烯中至少一种粘合而成。在上述粘合剂的熔点以上至分解温度以下的温度进行加热处理，或者在上述粘合剂的熔点以上至分解温度以下的温度进行加压成形。使用该负极，并通过配备能够再充电的正极和非水电解液，可以提供一种负极合剂的剥离强度大、操作性优良、在大规模生产工序中的可靠性高，而且具有优良低温放电特性和循环特性的非水电解液二次电池。
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公开(公告)号：CN1377092A
公开(公告)日：2002-10-30
申请号：CN02107047.4
申请日：2002-03-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L29/2003
Abstract: 确实防止在利用了含有GaN的半导体的异质结构的FET中,漏极电流的减少而使FET的操作很稳定,并减小欧姆电极的接触电阻。在衬底101上,依次形成由GaN膜制成的缓冲层103及由AlGaN膜制成的电子供给层104。电子供给层104的上面被由n型InGaAlN膜制成的盖层105盖住。在盖层105中规定区域上的凹部及其上部,形成了和电子供给层104相连的栅电极106,同时在盖层105上栅电极106的两侧形成了源电极107及漏电极108。
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公开(公告)号：CN1188564A
公开(公告)日：1998-07-22
申请号：CN97190304.2
申请日：1997-04-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M4/52
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M4/525
Abstract: 一种二次电池,它包含:包含由氧、钴和锂组成的氧化钴锂的正极;能嵌入锂和使锂脱嵌的负极;以及电解质,其特征在于所述氧化钴锂为粉末,并且粉末的平均粒径介于5微米—25微米之间,所述氧化钴锂的化学成分为钴与锂的摩尔比介于0.96—1.04之间,所述氧化钴锂的结晶度达到在CuKαX射线衍射下003衍射峰的最大半峰宽介于0.15°—0.18°之间。
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公开(公告)号：CN101246955B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200810009749.7
申请日：2008-02-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M4/70 , H01M4/75 , H01M4/78
Abstract: 本发明的非水电解质二次电池具有下述结构：至少具备：负极，其具有在两面具有凹凸的集电体的一个面的凸部上斜立形成的第1柱状体和在另一个面的凸部上斜立形成的第2柱状体；正极，其在正极集电体的两面上具有包含能可逆地嵌入和脱嵌锂离子的正极活性物质的正极合剂层；和隔膜，其在正极和负极之间相对向设置；并且负极的第1柱状体和第2柱状体斜立在与集电体的卷绕方向直交的方向上。
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公开(公告)号：CN101569051A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200880001225.1
申请日：2008-08-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M10/058 , H01M2/14 , H01M4/13 , H01M4/622 , H01M4/623 , H01M4/66 , H01M4/661 , H01M10/0431 , H01M10/052 , H01M2004/021 , Y02P70/54 , Y10T29/49115
Abstract: 本发明提供一种非水电解质二次电池，其具备正极(4)、负极(5)、多孔质绝缘层(6)和非水电解液，所述正极(4)在正极集电体上设有包含正极活性物质和粘结剂的正极合剂层，所述多孔质绝缘层(6)被配置在正极(4)和负极(5)之间。正极(4)的拉伸延伸率为3.0％以上，正极集电体由含铁的铝形成。这样，通过在不导致非水电解质二次电池的容量下降的情况下提高正极的延伸率，即使非水电解质二次电池因压破而破裂，也能抑制非水电解质二次电池内的短路的发生。
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