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公开(公告)号：CN100438100C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200510109947.7
申请日：2001-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 半导体装置具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底11上的III族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的III族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。
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公开(公告)号：CN1287465C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN01109857.0
申请日：2001-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 半导体装置具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底11上的Ⅲ族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的Ⅲ族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。
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公开(公告)号：CN1372327A
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN02105253.0
申请日：2002-02-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/28264 , H01L29/2003 , H01L29/7783
Abstract: 一种半导体器件及其制备方法,在由碳化硅形成的衬底11上,依次形成缓和层12;由氮化镓形成且在其上部形成了2维电子气体层的沟道层13;以及由n型氮化铝镓形成且将载流子供到沟道层13的载流子供给层14。在由元件隔离膜15包围起来的元件形成区,有选择地形成由在载流子供给层14上生长的氮化镓形成的半导体层氧化而成的绝缘氧化层16B,再在绝缘氧化层16B上形成栅电极17。
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公开(公告)号：CN1881605B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200610093778.7
申请日：2006-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 提供一种能够与入射角大的光学系统相对应的高灵敏度的固体摄像装置等。各像素(尺寸：2.25μm)包括：渐变折射率透镜(1)、色彩过滤器(2)(例如，绿色用)、AL配线(3)、信号传送部(4)、平坦化层(5)、受光元件(硅光电二极管)(6)及硅基板(7)。渐变折射率透镜的同心圆结构是由二氧化硅(n＝2)构成的2层同心圆结构，其中的膜厚为：1.2μm(灰色部分)、0.8μm(点状图案部分)、0μm(无图案部分，即：空白)。并且，本实施方式的聚光元件的结构是把二氧化硅刻为同心圆形状，周围的媒质为空气(n＝1)。
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公开(公告)号：CN101359667A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200810146095.2
申请日：2001-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/118 , H01L29/778 , H01L21/784 , H01L21/335 , H01L21/338 , H01L33/00 , H01S5/10 , H01S5/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底11上的III族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的III族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100377364C
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN02105253.0
申请日：2002-02-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件及其制备方法，在由碳化硅形成的衬底(11)上，依次形成缓和层(12)；由氮化镓形成且在其上部形成了2维电子气体层的沟道(13)；以及由n型氮化铝镓形成且将载流子供到沟道(13)的载流子供给层(14)。在由元件隔离膜(15)包围起来的元件形成区，有选择地形成由在载流子供给层(14)上生长的氮化镓形成的半导体层氧化而成的绝缘氧化层(16B)，再在绝缘氧化层(16B)上形成栅电极(17)。
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公开(公告)号：CN1881605A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610093778.7
申请日：2006-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14627 , H01L27/14685
Abstract: 提供一种能够与入射角大的光学系统相对应的高灵敏度的固体摄像装置等。各像素(尺寸：2.25μm)包括：渐变折射率透镜(1)、色彩过滤器(2)(例如，绿色用)、AL配线(3)、信号传送部(4)、平坦化层(5)、受光元件(硅光电二极管)(6)及硅基板(7)。渐变折射率透镜的同心圆结构是由二氧化硅(n＝2)构成的2层同心圆结构，其中的膜厚为：1.2μm(灰色部分)、0.8μm(点状图案部分)、0μm(无图案部分，即：空白)。并且，本实施方式的聚光元件的结构是把二氧化硅刻为同心圆形状，周围的媒质为空气(n＝1)。
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公开(公告)号：CN101902015A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN201010228923.4
申请日：2001-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/323
CPC classification number: H01L29/66863 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66462 , H01L29/7783
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底11上的Ⅲ族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的Ⅲ族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。
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公开(公告)号：CN101359667B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200810146095.2
申请日：2001-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/118 , H01L29/778 , H01L21/784 , H01L21/335 , H01L21/338 , H01L33/00 , H01S5/10 , H01S5/00
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底11上的III族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的III族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。
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公开(公告)号：CN1767224A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510109947.7
申请日：2001-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 半导体装置具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底上的III族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的III族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。
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