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公开(公告)号：CN102782580B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201180010819.0
申请日：2011-02-15
Applicant: 株式会社尼康
IPC: G03F7/075 , G03F7/004 , G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/288 , H01L21/3205
CPC classification number: B05D5/00 , G03F7/0755 , G03F7/095 , H05K3/12 , H05K3/389 , H05K2203/1173
Abstract: 本发明的目的在于提供一种图案形成方法，其能够促进硅烷偶联剂的分解反应，缩短作业时间。本发明包括：在基板（1）上配置由通式（1）表示的硅烷偶联剂（2），针对硅烷偶联剂（2）使光催化剂（3）存在的工序，和对硅烷偶联剂（2）和光催化剂（3）照射包含硅烷偶联剂（2）和光催化剂（3）的吸收波长的光的光L的工序。（下述式中，R1表示因光照射而发生脱离的光反应性保护基团，R2表示由于R1的脱离而产生具有与R1不同的亲疏液性的官能团的有机基团，X1表示烷氧基或卤素原子，X2、X3表示选自氢原子、烷基、烯基、烷氧基、卤素原子中的取代基。X1、X2、X3可以相同也可以不同。）R1-R2-SiX1X2X3 …(1)。
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公开(公告)号：CN110488576B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201910692841.6
申请日：2015-09-03
Applicant: 株式会社尼康
Abstract: 本发明提供提供一种即使是在以任一处理装置对片状基板实际实施的处理的状态与目标的处理状态不同时，亦能在无需停止制造系统全体的情形下，进行电子元件的制造的处理系统及元件制造方法。一种将长条的可挠性片状基板(P)沿长条方向依序搬送至第1～第3处理装置(PR2～PR4)的各个，以在片状基板(P)形成既定图案的处理系统(10)，第1～第3处理装置(PR2～PR4)依据设定于各个处理装置的设定条件对片状基板(P)施以既定处理，在第1～第3处理装置(PR2～PR4)的各个中对片状基板(P)实施的实处理状态中的至少一者相对目标的处理状态呈现处理误差(E)的情形时，使呈现处理误差(E)的设定条件以外的其他设定条件因应处理误差(E)变化。
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公开(公告)号：CN111060570B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN201911351896.7
申请日：2017-03-28
Applicant: 株式会社尼康
IPC: G01N27/30 , G01N27/416 , C25D21/00 , C25D5/02 , C25D5/56
Abstract: 本发明提供一种感测器装置、及土壤环境的监视方法，感测器装置是埋设于耕地的土壤中并计测土壤的环境特性的感测器装置，具备：电极部，具有形成于沿着具有可挠性的长条的薄片基板的长度方向的离散的多数位置的各者，具有可与土壤接触的电极；检测电路部，设置于每一电极部，检测电极部的一对电极间的电性变化；导电性的电源线部，为了对各个检测电路部供给电源电压而沿长度方向连续地形成于上述薄片基板上；导电性的信号传输线部，为传输由各个检测电路部检测的检测信号而沿长度方向连续地形成于薄片基板上；收纳槽，沿着薄片基板的长度方向的离散的位置的各者，设有通过水分的薄膜所形成的密闭空间，将种植在耕地的种子保持在密闭空间的各者。
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公开(公告)号：CN110031968B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201910096369.X
申请日：2017-03-28
Applicant: 株式会社尼康
Abstract: 一种曝光装置(EX)，其一面根据图案信息对来自光源装置(LS)的光束(LBn)进行强度调变，一面将光束(LBn)投射至基板(P)上并沿主扫描方向进行扫描，藉此于基板(P)上描绘图案，且具备：扫描单元(Un)，其具有光束扫描部，该光束扫描部包含为了实现光束(LBn)的扫描而使光束(LBn)偏向的多面镜(PM)，该光检测器(DTn)对光束(LBn)被投射至基板(P)时产生的反射光进行光电检测；电光学器件(36)，其以于形成于基板(P)上的第1图案(PT1)的至少一部分，重迭地描绘应重新描绘的第2图案(PT2)的至少一部分的方式，根据图案信息而控制光束(LBn)的强度调变；及测量部(116)，其于在基板(P)上描绘第2图案(PT2)的期间，根据自光检测器(DTn)输出的检测信号(PSn)而测量第1图案(PT1)与第2图案(PT2)的相对的位置关系。
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公开(公告)号：CN110794651B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201911069205.4
申请日：2016-02-26
Applicant: 株式会社尼康
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种基板处理装置，具备：旋转圆筒DR，以既定速度往与基板P宽度方向交叉的搬送方向搬送；描绘装置11，具有多个描绘模块UW1～UW5，将投射于基板P的描绘光束沿着基板P的描绘线扫描以将既定图案描绘于基板P上，以通过多个描绘模块UW1～UW5的各个而描绘于基板P上的图案彼此在宽度方向相接合的方式，将彼此在宽度方向相邻的描绘线于搬送方向配置成相隔既定间隔；调整机构24，调整描绘线相对于基板P宽度方向的倾斜；以及旋转位置检测机构，检测出基板P的搬送速度；根据以旋转位置检测机构检测出的搬送速度，通过旋转机构24调整描绘线的相对倾斜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106687867B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201580047663.1
申请日：2015-09-03
Applicant: 株式会社尼康
IPC: G03F9/00 , B65G49/06 , G03F7/20 , G03F7/24 , H01L21/677
Abstract: 本发明提供提供一种即使是在以任一处理装置对片状基板实际实施的处理的状态与目标的处理状态不同时，亦能在无需停止制造系统全体的情形下，进行电子元件的制造的处理系统及元件制造方法。一种将长条的可挠性片状基板(P)沿长条方向依序搬送至第1～第3处理装置(PR2～PR4)的各个，以在片状基板(P)形成既定图案的处理系统(10)，第1～第3处理装置(PR2～PR4)依据设定于各个处理装置的设定条件对片状基板(P)施以既定处理，在第1～第3处理装置(PR2～PR4)的各个中对片状基板(P)实施的实处理状态中的至少一者相对目标的处理状态呈现处理误差(E)的情形时，使呈现处理误差(E)的设定条件以外的其他设定条件因应处理误差(E)变化。
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公开(公告)号：CN107272353B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201710536857.9
申请日：2015-03-31
Applicant: 株式会社尼康
Abstract: 基板处理装置以使得通过多个描绘单元的各描绘线在基板上描绘出的图案彼此伴随着基板向长度方向的移动而在基板的宽度方向上接合在一起的方式，沿基板的宽度方向配置有多个描绘单元。控制部预先存储有与通过多个描绘单元分别在基板上形成的描绘线的相互的位置关系有关的校准信息，并且基于该校准信息和从移动测量装置输出的移动信息来调整通过多个描绘单元各自的描绘光束在基板上的形成的图案的描绘位置。
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公开(公告)号：CN108919607A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810608818.X
申请日：2014-06-25
Applicant: 株式会社尼康
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及基板处理装置，目的在于进一步减少对曝光单元带来的振动，通过曝光单元良好地进行曝光。基板处理装置(U3)具有：设在设置面(E)上的减振台(131)；设在减振台(131)上且对供给的基板(P)进行曝光处理的曝光单元(121)；和设在设置面(E)上且与曝光单元(121)以非接触的独立状态设置、并作为对曝光单元(121)进行处理的处理单元的位置调整单元(120)及驱动单元(122)。
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公开(公告)号：CN108762010A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810480108.3
申请日：2015-09-03
Applicant: 株式会社尼康
IPC: G03F7/30 , G03F7/24 , G03F7/16 , G03F9/00 , H01L21/67 , H01L21/677 , B65H18/10 , B65H20/02 , B65H20/24 , B65H20/34 , B65H23/188
Abstract: 本发明提供提供一种处理系统，即使是在以任一处理装置对片状基板实际实施的处理的状态与目标的处理状态不同时，亦能在无需停止制造系统全体的情形下，进行电子元件的制造的处理系统及元件制造方法。一种将长条的可挠性片状基板(P)沿长条方向依序搬送至第1～第3处理装置(PR2～PR4)的各个，以在片状基板(P)形成既定图案的处理系统(10)，第1～第3处理装置(PR2～PR4)依据设定于各个处理装置的设定条件对片状基板(P)施以既定处理，在第1～第3处理装置(PR2～PR4)的各个中对片状基板(P)实施的实处理状态中的至少一者相对目标的处理状态呈现处理误差(E)的情形时，使呈现处理误差(E)的设定条件以外的其他设定条件因应处理误差(E)变化。
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