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公开(公告)号：CN119530941A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202311093332.4
申请日：2023-08-28
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提出的电镀装置，包括中心流管，穿设在阳极内，一端为阳极电镀液进口，另一端延伸出阳极表面，且连接有多个向阳极的边缘延伸的分支流管，各分支流管设有多个喷射孔；阳极电镀液通过分支流管的喷射孔供应到阳极表面。本发明能够将阳极电镀液引流至阳极表面，利用液体的冲击力将阳极表面产生的氧化物及时冲刷掉，从而保证回路阻抗不变，避免回路电压升高；而且增加了阳极电镀液的流动性以及流量的均匀性。
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公开(公告)号：CN119507016A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202311086023.4
申请日：2023-08-25
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种接触件、夹盘及电镀设备，涉及半导体电镀技术领域，接触件沿直线延伸，包括安装基体和接触基体，安装基体包括多个间隔设置的安装部，多个安装部沿安装基体的长度方向分布，相邻安装部之间通过第一镂空区域分隔开，每一安装部上设置有凸出于所述安装基体的引导部，接触基体设置有多个沿所述长度方向间隔分布的第二镂空区域，接触基体与安装基体连接，用于与基板接触。本发明提供的接触件，材料利用率更高，产生的废料更少，接触件的产出率更高，加工成本更低，并且接触件具备良好的弯曲性能，接触件可以由沿直线延伸的状态更容易被弯曲成环形进行使用。
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公开(公告)号：CN119221082A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202310787528.7
申请日：2023-06-29
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提出一种电镀设备及电镀方法。电镀设备包括：电镀腔、晶圆保持装置、搅拌机构及驱动机构。搅拌机构置于所述电镀腔内，当晶圆保持装置保持有晶圆时，搅拌机构与晶圆平行；驱动机构被配置为驱动搅拌机构平行于晶圆进行连续的主周期性往复运动，以使搅拌机构搅动电镀液；其中，每个主周期性往复运动包括N个连续的副周期性往复运动，N为大于或等于2的整数；在同一个主周期内，在前一个副周期的终点位置是在后一个相邻副周期的起点位置，并且在同一个副周期内的副冲程为大于0的实数，副冲程是同一个副周期内的终点位置与起点位置之间的距离。本发明通过对搅拌机构的运动模式进行调控，提高电镀效率的同时，达到均匀电镀的效果。
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公开(公告)号：CN119061453A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202310647481.4
申请日：2023-06-01
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基板承载结构，该基板承载结构包括：底座，底座表面具有承载区域，用于承载基板；若干支撑件，设置于承载区域的第一圆周，支撑件顶端具有支撑面,用于支撑基板；若干导向件，设置于承载区域外围的第二圆周，且第一圆周和第二圆周为以承载区域中心为圆心的同心圆，且导向件高于支撑件，用于水平限位基板；若干导滑件，设置于承载区域，导滑件的全部或局部位于第一圆周和第二圆周之间，且导滑件不高于支撑件，导滑件顶端具有导滑面，导滑面的摩擦系数小于支撑面的摩擦系数。本发明通过上述结构实现了提升基板支撑结构对基板导向能力的效果。
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公开(公告)号：CN119040996A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202310616380.0
申请日：2023-05-29
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电镀装置，包括膜架，膜架包括中间通道和限定中间通道的中间挡墙，中间挡墙在基板所在平面的正投影区不存在以基板的中心为圆心的圆。当基板在电镀装置内进行电镀工艺时，基板上对应中间挡墙的遮挡区域中任意一点形成的轨迹为以基板的中心为圆心的圆，由于中间挡墙设计为其在基板所在平面的正投影区不存在以基板的中心为圆心的圆，那么基板上对应中间挡墙的遮挡区域中任意一点的旋转轨迹将不会完全包含在该正投影区范围内，因此使得基板上任意一点与阳极之间的电场不会始终被中间挡墙所遮挡，同时基板上该遮挡区域的电镀液流场不会明显减小，最终基板上该遮挡区域的电镀厚度突变被很大程度的弱化，电镀厚度变化基本是平滑的。
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公开(公告)号：CN112934493B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201911259257.8
申请日：2019-12-10
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种双头喷嘴结构、清洗设备及清洗方法，所述双头喷嘴结构包括：用于喷布药液的第一喷嘴和第二喷嘴；固定模块，其连接并固定所述第一喷嘴和所述第二喷嘴，并使所述第一喷嘴与所述第二喷嘴的药液喷布方向具有夹角。本发明通过设置第一喷嘴、第二喷嘴和固定模块，使两个喷嘴的药液喷布方向具有设定的夹角。通过不同的药液喷布方向实现对晶圆缺口两侧区域的有效清洗，提升了晶圆缺口两侧区域的产品良率。此外，通过设置药液喷布方向与晶圆运动方向的夹角为锐角，还避免了对晶圆表面药液正常流动的干扰以及药液冲洗力度过大对元器件的损伤。
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公开(公告)号：CN117839273A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202211209709.3
申请日：2022-09-30
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种气液分离装置及半导体设备，所述气液分离装置包括：气液分离罐，所述气液分离罐的外侧面并联有双层套管装置，用于所述气液分离罐的液位联通和监测；所述双层套管装置包括内连通管和外套接管，所述内连通管的两端与所述气液分离罐连通，所述外套接管用于对所述内连通管的相应管段进行温度保持。本发明能够实现半导体工艺的高效顺畅运行，提升半导体设备的使用率。
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公开(公告)号：CN116921095A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210340521.6
申请日：2022-03-31
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体设备，包括喷淋装置和多个工作腔体，喷淋装置包括供液管路、增压装置和压力控制装置，供液管路包括主管路和多个支管路，多个支管路包括第一管路和第二管路，主管路连接第一管路的第一端和第二管路的第一端；增压装置设置于主管路，增压装置根据第一预设压力值对通入主管路中的喷淋液加压，加压后的喷淋液分别进入第一管路和第二管路，第一管路的第二端的喷淋液具有第一预设压力值；压力控制装置根据第二预设压力值调节第二管路内的喷淋液压力，使得第二管路的第二端的喷淋液具有第二预设压力值；其中，多个工作腔体连接第一管路的第二端和第二管路的第二端。本发明具有能够同时对不同液压需求的产品进行处理的优点。
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公开(公告)号：CN111032923B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201780094345.X
申请日：2017-08-30
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明揭示了一种用于在基板上沉积金属的电镀装置。该电镀装置包括膜架(14)、阴极电解液进液管(30)和中心帽(40)。膜架(14)具有穿过膜架(14)中心的中心通道(144)。阴极电解液进液管(30)与膜架(14)的中心通道(144)相连接。中心帽(40)固定在膜架(14)的中心且覆盖膜架(14)的中心通道(144)。中心帽(40)的顶部设有多个第一孔(42)。阴极电解液进液管(30)通过膜架(14)的中心通道(144)向中心帽(40)供应阴极电解液，阴极电解液通过中心帽(40)的第一孔(42)供应到基板的中心区域。
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公开(公告)号：CN113130362A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201911387418.1
申请日：2019-12-30
Applicant: 盛美半导体设备(上海)股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种晶圆定位装置与方法，该装置包括：用于承载并固定晶圆于设定位置的晶圆承载平台；包括发射端和接收端的探测器，其发射端与接收端连线位于平行设定位置平面的上方；连接并驱动晶圆承载平台或探测器的驱动模块，其使发射端与接收端连线在平行设定位置平面上方的平面内与晶圆承载平台相对运动；连接探测器并根据光信号变化判断晶圆是否准确固定于设定位置的判断模块。本发明通过使探测器与晶圆平台相对运动，使探测器动态监测晶圆表面，以判断晶圆是否准确固定于设定位置。本发明能够全面地覆盖晶圆可能发生偏离的区域，避免发生漏检；而通过更全面的监测，也避免了现有技术中因对有限区域设置过于严格的监测范围而导致的误报警。
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