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公开(公告)号：CN108165940A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711415330.7
申请日：2017-12-25
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/086
Abstract: 本发明公开一种Al、Mn共掺杂ZnO薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面污垢；S2、在磁控溅射设备的溅射腔内设置ZnO靶材、Al2O3靶材与MnO2靶材，三个靶材依次间隔呈弧形分布；S3、清洗后的衬底置于溅射腔内的样品架上，样品架采用可旋转式样品架，使溅射时衬底能够以圆周方式运行，并依次经过三个靶材；S4、当溅射腔内真空度满足要求时，通入溅射气体氩气，在衬底上溅射沉积得到Al、Mn共掺杂ZnO薄膜；设置三个相互独立的靶材，每个靶材的溅射参数可根据需要单独设置，可制备任意掺杂量的Al、Mn共掺杂ZnO薄膜；制备工艺简单，重复性好，并且可节约大量靶材成本。
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公开(公告)号：CN108164159A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711427522.X
申请日：2017-12-26
Applicant: 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
Abstract: 本发明提供一种表面色彩可调的低辐射中空玻璃及其制备方法，它包括室内玻璃基片，自室内玻璃基片表面向外依次为低辐射镀膜层、中空层、彩色镀膜层和室外玻璃基片。将镀有低辐射膜层的室内玻璃基片和镀有彩色膜层的室外玻璃基片送入合片胶粘机，将两片玻璃四周用间隔条垫为中空形状，中间植入干燥剂，周边用密封条抹上粘结剂粘结为中空型玻璃，随即送入烘干机烘干后得到成品。本发明结构简单、制造方便、解决了低辐射中空玻璃颜色单一的问题，且与利用着色剂得到的有色玻璃相比，其对低辐射中空玻璃隔热及光学性能的影响也较小等优点。
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公开(公告)号：CN107686972A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710800552.4
申请日：2017-09-07
Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院
Abstract: 本发明涉及一种共掺杂类金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤：选用0.3-0.5mm的超白玻璃为衬底材料；对衬底材料进行超声波清洗；设置W靶材和C靶材，W靶材和C靶材相交是设置，且两靶材的交点位于样品架处；把清洗后的超白玻璃衬底放置于样品架上；使用Ar离子轰击W、C两靶材，达到清洗和活化靶材的作用；把清洗后的衬底材料放入真空度抽至3.0×10-4—5.0×10-4Pa的溅射腔室内，通入氩气进行预溅射起辉，同时再通入氮气。本发明的优点：W靶材和C靶材独立控制，改变两靶的工艺参数以及氮气量，能够制备出各种高性能的薄膜，其制备工序简单，实验易控制，可根据实际需要制备不同硬度和透过率的薄膜。
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公开(公告)号：CN107611187A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710795754.4
申请日：2017-09-06
Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01B5/14
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开一种绒面多层膜透明导电玻璃，包括玻璃基底，玻璃基底顶面由下至上依次设有下ZnO基薄膜与上ZnO基薄膜，上ZnO基薄膜表面设有一组离散分布的球坑，使上ZnO基薄膜表面呈凹凸的织构化结构；上ZnO基薄膜的厚度小于球坑的直径；通过离散分布的球坑，在上ZnO基薄膜表面形成凹凸的织构化结构，从而得到高透过率、低电阻率的多层膜透明导电玻璃；制作时，可以先在下ZnO基薄膜表面制备单层离散的聚苯乙烯小球层，然后利用聚苯乙烯小球层作为掩膜，溅射生长上ZnO基薄膜，之后去除聚苯乙烯小球，即在上ZnO基薄膜表面形成凹凸的织构化结构；由于聚苯乙烯小球层的直径与浓度可控，因而使得上ZnO基薄膜表面的微结构可控，调节ZnO基薄膜的雾度。
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公开(公告)号：CN107546341A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710796080.X
申请日：2017-09-06
Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开一种柔性多层透明导电氧化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗柔性基底；S2、通过磁控溅射在柔性基底表面沉积下SiO2膜层，下SiO2膜层厚度为15～60nm；S3、采用电子束蒸发技术在下SiO2膜层表面蒸发Ag膜层，Ag膜层厚度6～20nm；S4、在真空腔内对Ag膜层进行Ar等离子辐照；S5、通过磁控溅射在Ag膜层表面沉积上SiO2膜层，得到所述透明导电氧化物薄膜，上SiO2膜层厚度为15～60nm；本发明得到的透明导电SiO2/Ag/SiO2的复合薄膜，具有更好的透过率和导电性能；对Ag膜层采用等离子体辐照，使Ag膜层成膜质量更好，整个复合膜系具有更好的透过率和导电性；SiO2膜层与Ag膜层之间浸润性良好，不需要金属过渡层，且成本低廉，适合工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107527959A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201611188632.0
申请日：2016-12-21
Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0445
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/022425 , H01L31/022483 , H01L31/0445
Abstract: 本发明公开一种多层自带绒面的AZO薄膜，包括依次叠加的底层AZO薄膜、中间层AZO薄膜与顶层AZO薄膜，各层AZO薄膜的晶粒尺寸由下至上依次增加，每层AZO薄膜的表面均呈凹凸结构，各层AZO薄膜的表面粗糙度由下至上依次增加；将不同晶粒尺寸的AZO薄膜叠加，且由下至上晶粒尺寸逐渐变大，每一层AZO薄膜表面都带有凹凸结构，从而得到多层绒面结构的AZO薄膜，使得太阳光在入射以后，形成对光的折射和散射，把入射到薄膜中的光分散到各个角度，从而提高入射光在电池中的光程，增加光的吸收，增大电子空穴的形成几率。
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公开(公告)号：CN106784089A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611188428.9
申请日：2016-12-21
Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
IPC: H01L31/048 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/048 , H01L31/0236
Abstract: 本发明公开一种自陷光ZnO基透明导电玻璃的制备方法，包括以下步骤：S1、采用磁控溅射工艺，在玻璃衬底表面溅射生长下ZnO基薄膜；S2、采用液相法，在下ZnO基薄膜表面制备单层离散分布的SiO2小球模板层；S3、采用磁控溅射工艺，在SiO2小球模板层上溅射生长上ZnO基薄膜，上ZnO基薄膜的厚度小于SiO2小球的直径，得到表面形貌呈凹凸织构化结构的自陷光ZnO基透明导电玻璃；结合磁控溅射与液相法镀膜的固有优点，在制备时，SiO2小球表面微结构可根据需要进行调整，使得上ZnO基薄膜的表面微结构容易控制，形成均匀性优良的表面微结构，实现高透过率、低电阻，制备工艺简单，降低成本，利于推广应用。
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公开(公告)号：CN106756846A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611188594.9
申请日：2016-12-21
Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
CPC classification number: C23C14/352 , C23C14/0605
Abstract: 本发明公开了一种共掺杂DLC薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：（1）将分别经过丙酮、酒精、去离子水等严格清洗的玻璃衬底置于载物台上，载物台正对钨W、石墨C两靶材的焦点处。（2）W、C两靶材都分别成45°倾斜，都对准衬底。（3）氩离子轰击靶材，达到去除靶材表面杂质和活化靶材的作用。（4）通入氩气，使两靶材同时起辉，通过分别改变每个靶材的参数，达到制备高性能的W掺杂类金刚石薄膜。本发明通过改变每个靶材的工艺参数，可以根据实际需要制备不同掺杂量和不同性能的W掺杂DLC薄膜。
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公开(公告)号：CN106582764A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611188587.9
申请日：2016-12-21
Applicant: 蚌埠玻璃工业设计研究院 , 中国建材国际工程集团有限公司
CPC classification number: B01J27/24 , B01J35/004 , B01J35/1004 , B01J37/34
Abstract: 一种增大比表面积的氮掺杂二氧化钛薄膜的制备方法，包括如下步骤：（1）采用氢氟酸和TMAH混合后的复合溶液对玻璃基片进行喷淋（2）清洗玻璃基片，后用高压N2吹干；（3）采用磁控溅射技术在所述玻璃基片表面微结构上沉积氮掺杂二氧化钛薄膜，从而得到具有更大比表面积的氮掺杂二氧化钛薄膜。本发明采用氢氟酸和TMAH混合后的复合溶液对玻璃基片表面进行喷淋处理，获得微结构的玻璃基片，然后在玻璃基片上以磁控溅射技术沉积氮掺杂二氧化钛薄膜，从而得到具有更大比表面积的薄膜，提高了薄膜光催化的效率。
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公开(公告)号：CN105546857A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510876489.3
申请日：2015-12-03
Applicant: 凯盛光伏材料有限公司 , 蚌埠玻璃工业设计研究院
CPC classification number: Y02E10/40 , C23C14/0036 , C23C14/022 , C23C14/0641 , C23C14/0676 , C23C14/10 , C23C14/35 , F24S70/20
Abstract: 本发明公开一种太阳能选择性吸收膜系及其制备方法，包括金属基底，所述金属基底的顶面呈凹凸不平的微结构，金属基底的顶面沉积有TiAlN吸收阻隔层，TiAlN吸收阻隔层上沉积有TiNxOy吸收层，TiNxOy吸收层上沉积有SiO2减反层，SiO2减反层上沉积有AlN减反保护层；采用反应离子束技术对金属基底的顶面进行刻蚀形成微结构，增大了金属基底与膜层之间的附着力，使膜层不易脱落，延长膜系的使用寿命；利用磁控溅射沉积各膜层，TiAlN吸收阻隔层能够阻止金属基底和TiNxOy吸收层之间的扩散，增大整个膜系对太阳光的吸收；利用折射率不同的AlN和SiO2组成的双层减反膜系能够提升减反效果；AlN减反保护层具有优良的耐蚀耐磨性能，在高温大气环境下，膜层寿命持久，提高使用寿命。
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