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公开(公告)号：CN117915740A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202211233983.4
申请日：2022-10-10
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: H10K85/10 , H10K50/15 , H10K50/17 , H10K50/115 , H10K71/00
Abstract: 本申请公开了一种光电器件及电子设备，所述光电器件包括：相对设置的阳极和阴极、设置于阳极与阴极之间的发光层、设置于阳极与发光层之间的空穴传输层，空穴传输层的材料包括第一化合物，第一化合物具有以下通式(Ⅰ)所示的结构：#imgabs0#其中，Rt为不存在或者为#imgabs1#R3和R4分别独立地选自碳原子数为4至17的烷基、或碳原子数为4至17的烷氧基，Rs选自包含给电子基团的基团，m为正整数。由此，提升了光电器件的光电性能和使用寿命；将所述光电器件应用于电子设备中，有利于提高电子设备的光电性能和延长电子设备的使用寿命。
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公开(公告)号：CN116940159A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202210323032.X
申请日：2022-03-29
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请公开一种电致发光器件、电致发光显示屏及其制备方法，属于电致发光技术领域。本申请的电致发光器件包括多层结构的器件功能层，器件功能层的其中两层之间还夹设有第一材料层，第一材料层的材料选自第一吸光材料，第一吸光材料的吸收波长范围为660nm～760nm。本申请能够通过第一材料层减弱器件功能层内经过空穴功能层的红光，以减弱这些红光对空穴功能层的影响，进而提升器件的性能及稳定性。
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公开(公告)号：CN116437768A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202111642480.8
申请日：2021-12-29
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: H10K71/00 , H10K50/11 , H10K50/115
Abstract: 本申请公开了一种发光器件的后处理方法，所述后处理方法是在预设的时间范围内对完成制备的发光器件进行通电处理和间断式的光照处理，通电处理能够降低发光器件中各个层因阻值不均匀而产生的能势差异，从而促进载流子注入平衡，间断式光照处理能够有效控制发光器件的内光电效应水平，防止出现因发光器件的内光电效应水平过高而损伤发光层的问题，促进发光器件的载流子注入平衡，从而有效地提高了发光器件的光电性能，并延长了发光器件的使用寿命，有效缩短了发光器件的整个制作周期。
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公开(公告)号：CN116425711A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202111658679.X
申请日：2021-12-30
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
IPC: C07D311/10 , H10K50/16 , H10K71/00 , H10K85/60 , B82Y30/00
Abstract: 本申请公开了一种化合物、发光器件及其制备方法与显示装置，所述化合物是由香豆素和/或香豆素衍生物，与纳米金属氧化物配位连接获得的化合物；所述发光器件的制备方法包括制备电子传输层的步骤，在制备电子传输层的过程中，先制备电子传输材料层，电子传输材料层的材料包括所述化合物，然后采用第一光照条件处理电子传输材料层以获得电子传输前驱层，再在电子传输前驱层的一侧制备形成上层功能薄膜，上层功能薄膜制备完毕后，采用第二光照条件处理电子传输前驱层以获得电子传输层，具有操作方便、适用于工业化生产的优点。
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公开(公告)号：CN115963308A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202110747457.9
申请日：2021-07-02
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种电流密度测量方法，其中，获取被测发光器件，确定该被测发光器件的理论发光区域，并确定该理论发光区域的导电面积，获取被测发光器件的工作电流，并根据理论发光区域的导电面积和被测发光器件的工作电流，计算得到被测发光器件的工作电流密度。以此，本申请通过探测出被测发光器件实际的导电面积，并利用该导电面积计算得到被测发光器件的工作电流密度，相较于相关技术直接将理论发光区域的面积作为导电面积计算得到工作电流密度，具有更高的准确度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115915870A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202111161977.8
申请日：2021-09-30
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种用于电子器件的后处理方法、后处理系统及后处理设备，所述后处理方法是在目标电子器件后处理过程中，监测目标电子器件在预设驱动条件下的实际电流曲线，当实际电流曲线与标准电流曲线高于或等于预设的重合度时，则判定目标电子器件达到或接近最优状态，从而停止对目标电子器件的后处理，采用所述后处理方法获得的多个电子器件具有工作性能相似度高的优点。采用所述后处理系统或所述后处理设备制得的同一批次电子器件具有工作性能相似度高的优点，有利于提高同一批次电子器件的良品率。
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公开(公告)号：CN115707318A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110884891.1
申请日：2021-08-03
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种薄膜的制备方法、薄膜及发光器件，所述薄膜的制备方法包括步骤：提供基板，所述基板定义有墨水填充区域；在压强高于1个标准大气压的惰性气体氛围下，在所述墨水填充区域内形成功能墨水；所述墨水填充区域内的功能墨水固化形成薄膜，利用高压减缓功能墨水中溶剂的挥发速率以延长成膜时间，从而提高薄膜的厚度均匀性。所述发光器件包括阳极、与阳极相对设置的阴极，以及设置于阳极与阴极之间的功能层，其中至少一功能层是采用所述薄膜的制备方法制备而成，具有功能层厚度均匀性佳、光电性能理想的优点。
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公开(公告)号：CN115565614A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202110742628.9
申请日：2021-07-01
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明的实施例提供了一种数据处理方法、装置、电子设备和存储介质，涉及数据处理技术领域。该数据处理方法在获取反应体系中各物质的第一特性的数据后，通过对数据进行拟合处理，计算数据的拐点，根据拐点对数据进行分组，得到至少一个数据组，根据每个数据组的数据变化趋势，对数据进行筛选，实现了数据的自动筛选，大大提高了工作效率。
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公开(公告)号：CN115440900A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202110613446.1
申请日：2021-06-02
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请中通过在惰性气氛下，将第一半成品置于含有有机酸蒸汽的环境中静置第一预设时间，通过控制环境中的温度、压力、反应时间、有机酸的种类以及浓度，从而控制有机酸分子修饰电子传输层上金属氧化物表面配体的速度，从而可控性地减少电子传输层上缺陷的浓度，有利于可控性地提升载流子迁移率。同时，还可进一步控制有机酸分子扩散至电子传输层与量子点发光层的界面处的速度和浓度，通过控制有机酸分子在电子传输层与量子点发光层的界面处发生原位反应的反应速度，从而实现可控地对电子传输层与量子点发光层的界面处进行修饰，从而在界面处形成能够有效抑制激子猝灭的稳定结构，进一步提高量子点发光二极管的稳定性。
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公开(公告)号：CN114695684A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011579878.7
申请日：2020-12-28
Applicant: TCL科技集团股份有限公司
Abstract: 本申请涉及显示技术领域，提供了一种发光二极管，包括相对设置的阴极和阳极，以及层叠设置在阳极和阴极之间的空穴注入层、空穴传输层和发光层，其中，在空穴注入层和空穴传输层之间设置有第一铁电材料。本发明通过在空穴传输层与空穴注入层之间设置第一铁电材料，可以改善界面、大幅减小发光二极管的漏电流情况，从而提高发光二极管的工作寿命和稳定性。
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