公开(公告)号：CN101375343A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200680043420.1

申请日：2006-11-08

Applicant: 惠普开发有限公司

Inventor： D·斯图尔特 ,  D·A·奥尔伯格 ,  R·S·威廉斯 ,  P·J·屈克斯

IPC: G11C13/02

CPC classification number: G11C13/0009 ,  G11C2213/55 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/77 ,  H01L45/04 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/14 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/146 ,  H01L51/0591

Abstract: 公开了一种用于纳米级电子控制器件(10)的接点内的控制层(26，26’，28，28’，28”)。该控制层(26，26’，28，28’，28”)包括与纳米级开关器件(10)中的一连接层(16)和至少一电极(12，14)化学兼容的材料。该控制层(26，26’，28，28’，28”)经调整可控制器件(10)操作期间电化学反应途径，电物理反应途径，以及它们的组合中的至少一种。

公开(公告)号：CN101333421A

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200810085569.7

申请日：2008-03-19

Applicant: 第一毛织株式会社

Inventor： 李泰永 ,  李仁庆 ,  崔炳镐 ,  朴容淳

IPC: C09G1/18 ,  B24B29/00 ,  H01L21/304

CPC classification number: C09G1/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明提供了一种用于对相变存储设备进行化学机械抛光的浆料组合物，该浆料组合物含有去离子水、和铁或铁化合物。该浆料组合物可以实现对相变存储设备的高抛光速率，并提高在相变存储材料和抛光阻挡层(如氧化硅膜)间的抛光选择性，能够使加工瑕疵(如凹陷和侵蚀)的出现最小化，而且能够降低相变存储材料的蚀刻速率，从而提供高质量的抛光表面。本发明还提供了一种使用该浆料组合物对相变存储设备进行抛光的方法。

公开(公告)号：CN101286522A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200710093282.4

申请日：2007-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔赫洵 ,  许智贤 ,  姜闰浩 ,  李孝锡 ,  申在光 ,  吴在浚

IPC: H01L27/24 ,  H01L21/82 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/1246 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675 ,  Y10T29/49002

Abstract: 本发明提供了一种相变存储装置、其制造方法和操作方法。该相变存储装置包括开关装置和与该开关装置连接的存储节点。存储节点包括底部叠层、设置在底部叠层上的相变层和设置在相变层上的顶部叠层。相变层包括用于增加流经相变层的电流通路和减少相变存储区域体积的单元。和底部叠层相对设置的单元的表面面积大于或等于与相变层接触的底部叠层的表面面积。

公开(公告)号：CN101252168A

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200710180760.5

申请日：2007-10-12

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 龙翔澜

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/148 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

Abstract: 一种具有薄加热器的储存装置，并在一可程序化电阻变化材料(储存材料)次光刻(光刻)柱上形成一可程序化电阻变化区域，而其中该加热器形成在该顶电极和该可程序化材料之间。在一特定实施例中，一储存材料的次光刻柱为一位于该介电材料层内的硫属化物。当该储存装置程序化或重置时，在该可程序化电阻材料和该顶电极间的一加热器，会在紧邻该加热器处形成一活性区域或可程序化电阻变化区域。

公开(公告)号：CN101165911A

公开(公告)日：2008-04-23

申请号：CN200710096172.3

申请日：2007-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜闰浩 ,  金基俊 ,  徐东硕

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/28 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1666

Abstract: 本发明提供一种在底电极接触层和相变层之间具有增大的接触面积的相变存储器件和制造该相变存储器件的方法。该相变存储器件包括：存储节点，包括填充通孔的底电极接触层、相变层和顶电极层；以及开关器件，连接到该底电极接触层，其中该底电极接触层具有朝向该相变层的突出部分。该突出部分通过以比该底电极接触层高的蚀刻速率干法或湿法蚀刻该底电极接触层周围的绝缘间层形成，或者利用选择性生长方法、或沉积和光刻工艺形成。进行选择性生长法或沉积和光刻工艺之后，还可进行干法或湿法蚀刻。

公开(公告)号：CN101145599A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710147286.6

申请日：2007-09-06

Applicant: 旺宏电子股份有限公司

Inventor： 龙翔澜

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/06 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675

Abstract: 一种存储器单元装置，这种装置包括存储材料，可通过施加能量在第一与第二(顶部与底部)电极，改变电性；其中该顶部电极包括较大的主体部分与作用部。该存储材料以层状沉积在底部电极层之上，同时顶部电极的作用部基底与存储材料的表面小区域具有电接触。制作上述装置的方法也在其中描述。

公开(公告)号：CN101093850A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710106474.4

申请日：2007-06-01

Applicant: 奇梦达股份公司

Inventor： H·塞德尔

IPC: H01L27/24 ,  H01L27/108 ,  H01L29/78 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L27/2463 ,  H01L27/2454 ,  H01L45/06 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/932 ,  Y10S977/936

Abstract: 本发明涉及一种存储器件，尤其涉及一种具有晶体管的电阻性转换存储器件，例如相变随机存取存储器(“PCRAM”)。而且，本发明涉及一种制作存储器件的方法。根据本发明的一个方案，提供一种存储器件，包括至少一个纳米线或纳米管或纳米纤维存取晶体管。优选地，该纳米线或纳米管或纳米纤维存取晶体管直接接触存储器件的转换活性材料。根据另一方案，存储器件包括具有垂直布置的纳米线或纳米管或纳米纤维的至少一个纳米线或纳米管或纳米纤维晶体管。

公开(公告)号：CN1996493A

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200610171783.5

申请日：2006-12-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金杜应 ,  李昌秀 ,  赵佑荣 ,  赵柏衡 ,  崔炳吉

IPC: G11C11/56 ,  H01L27/24 ,  H01L23/522

CPC classification number: G11C8/12 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0023 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

Abstract: 提供了一种相变存储器件。所述相变存储器件包括：相变存储单元阵列，其包括：具有多个相变存储单元的第一存储块，所述多个相变存储单元中的每一个连接于多条位线中的每一条和第一字线之间，具有多个相变存储单元的第二存储块，所述多个相变存储单元中的每一个连接于所述多条位线中的每一条和第二字线之间，以及第一和第二下拉晶体管，其下拉所述第一和第二字线的每一电压电平，并共享节点；以及行驱动器，其包括用于上拉所述第一和第二字线中的每一电压电平的第一和第二上拉晶体管。

公开(公告)号：CN1945740A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200610141578.4

申请日：2006-09-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢振瑞 ,  朴泰相

IPC: G11C11/56 ,  G11C11/15

CPC classification number: H01L45/143 ,  G11C11/15 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明涉及一种利用磁致电阻效应的相变存储器以及操作和制造这样的相变存储器的方法。该相变存储器包括：衬底；开关元件，形成在该衬底中；以及存储节点，连接到该开关元件，该存储节点包括：下电极，连接到该开关元件；第一相变层，形成在该下电极上；磁致电阻层，形成在该第一相变层上；第二相变层，形成在该磁致电阻层上；以及上电极，形成在该第二相变层上。

公开(公告)号：CN1893104A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610007121.4

申请日：2006-02-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜闰浩

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L21/822 ,  G11C11/56

CPC classification number: G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683

Abstract: 本发明公开了一种相变存储器件及其制造方法。所述相变存储器件包括：下电极，电连接到形成于半导体衬底上的晶体管；第一绝缘层，覆盖所述下电极和所述衬底且具有暴露所述下电极的第一孔；导电接触，形成于所述第一孔中；第二绝缘层，形成于所述第一绝缘层上，具有对应于所述导电接触的第二孔；相变材料层，填充所述第二孔；和上电极，覆盖形成的所述相变材料层的上表面，其中，所述相变材料层和上电极基本对准，且所述上电极的宽度大于所述相变材料层的宽度。