公开(公告)号：CN101481794A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200910000223.7

申请日：2009-01-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  野寺伸武 ,  李殷朝

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/42 ,  C23C16/513 ,  H01L21/318

CPC classification number: C23C16/345 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/4554 ,  C23C16/45546 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供一种半导体处理的成膜方法和装置。其在能够有选择性地供给包含硅烷类气体的第一处理气体和包含氮化气体的第二处理气体的处理区域内，进行在被处理基板上形成氮化硅膜的成膜处理。成膜处理由主阶段和辅助阶段构成，辅助阶段设定在成膜处理的初期和末期中的一方或者双方。主阶段具有利用激励机构将第二处理气体在已被激励的状态下供给到处理区域的激励期间。辅助阶段不具有利用激励机构将第二处理气体在已被激励的状态下供给到处理区域的激励期间。

公开(公告)号：CN100505167C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN02822002.1

申请日：2002-09-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斋藤孝规 ,  牧谷敏幸 ,  长内长荣 ,  泷泽刚 ,  岛津和久 ,  长谷部一秀 ,  山本博之 ,  斋藤幸正 ,  山贺健一

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67098

Abstract: 本发明提供一种热处理装置，包括：上端部形成有开口部的加热炉主体；该开口部处设置的加热炉主体用罩盖部件；设置在加热炉主体内壁处的加热组件；收装在加热炉主体内部处、单管构成的反应容器；形成在反应容器上部、贯通所述罩盖部件的排气配管连接部；和设置在排气配管连接部周围、控制排气配管连接部温度的第一温度控制组件，排气配管连接部处连接有排出反应容器内的气体的排气配管，排气配管连接部的端部处和排气配管的端部处都形成有凸缘部，排气配管连接部端部处与排气配管端部处的凸缘部被连接，在排气配管连接部的端部处的凸缘部和排气配管端部处的凸缘部中的至少一个上设置有对凸缘部彼此连接部分处的温度实施控制用的第三温度控制组件。

公开(公告)号：CN101413113A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810176992.8

申请日：2008-10-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 野寺伸武 ,  佐藤润 ,  松永正信 ,  长谷部一秀 ,  井上久司

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/513 ,  H01L21/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: C23C16/509 ,  C23C16/345 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32174

Abstract: 一种对多个被处理基板一起进行等离子体处理的半导体处理用的立式等离子体处理装置包括使处理气体的至少一部分等离子体化的激励机构。激励机构包括夹着等离子体发生区域相对地配置在等离子体生成箱上的第一和第二电极；和向所述第一和第二电极供给等离子体发生用的高频电力的高频电源，该高频电源包括第一和第二输出端子，第一和第二输出端子分别是接地和非接地端子。还配设切换机构，切换第一电极和第一输出端子连接并且第二电极和第二输出端子连接的第一状态以及第一电极和第二输出端子连接并且第二电极和第一输出端子连接的第二状态。

公开(公告)号：CN101135046A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710147867.X

申请日：2007-08-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  周保华 ,  梅泽好太 ,  门永健太郎 ,  张皓翔

IPC: C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205 ,  H01L21/365

CPC classification number: C23C16/45525 ,  C03C17/225 ,  C03C2217/281 ,  C03C2217/282 ,  C03C2217/283 ,  C03C2218/152 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578

Abstract: 本发明提供一种半导体处理用的成膜方法，在能够有选择地供给含有硅烷系气体的第一处理气体、含有氮化气体或氧氮化气体的第二处理气体、含有含硼的气体的第三处理气体和含有碳氢化合物气体的第四处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成绝缘膜。在第一工序中，供给第一处理气体、和第三与第四处理气体中之一的先行气体，另一方面，停止供给第二处理气体、和第三与第四处理气体中的另一种的后行气体。在第二工序中，供给后行气体，另一方面，停止供给第二处理气体和先行气体。在第三工序中，供给第二处理气体，另一方面，停止供给第一处理气体。

公开(公告)号：CN101005029A

公开(公告)日：2007-07-25

申请号：CN200710001998.7

申请日：2007-01-16

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 周保华 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/314 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455 ,  G05D7/06

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/36 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/3148 ,  H01L21/318

Abstract: 在可选择地供给含有硅烷类气体的第一处理气体、含有氮化气体的第二处理气体和含有碳氢化合物气体的第三处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成绝缘膜。该成膜方法，重复实行：对处理区域供给第一处理气体，对处理区域供给第二处理气体，和对处理区域供给第三处理气体。第三处理气体的供给，包括将第三处理气体在由激发机构激发的状态下供给至处理区域的激发期间。

公开(公告)号：CN1967787A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610162324.0

申请日：2003-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 菅原卓也 ,  多田吉秀 ,  中村源志 ,  尾﨑成则 ,  中西敏雄 ,  佐佐木胜 ,  松山征嗣 ,  长谷部一秀 ,  中岛滋 ,  藤原友纪

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/28 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31645 ,  H01L21/31662 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

Abstract: 对配置于电子器件用基底材料上的绝缘膜的表面照射基于处理气体的等离子体，从而在该绝缘膜和电子器件用基底材料的界面上形成基底膜，其中所述处理气体含有至少包括氧原子的气体。在绝缘膜和电子器件用基底材料之间的界面上，可以得到使该绝缘膜特性提高的优质底层膜。

公开(公告)号：CN1881541A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200510087306.6

申请日：2005-07-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  冈田充弘 ,  周保华 ,  金采虎 ,  小川淳

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/318 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/45531 ,  C23C16/30 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/507

Abstract: 本发明提供一种成膜方法，在能够选择性地供给含有硅烷系气体的第一处理气体和含有氮化气体或氮氧化气体的第二处理气体以及含有掺杂气体的第三处理气体的处理区域内，通过CVD在被处理基板上形成含有杂质的氮化硅膜或氮氧化硅膜。该成膜方法交叉地具有第一至第四工序。在第一工序中，向处理区域内供给第一和第三处理气体。在第二工序中，停止向处理区域内供给第一、第二和第三处理气体。在第三工序中，向处理区域内供给第二处理气体，而停止向处理区域供给第一和第三处理气体。第三工序具有将由激发机构使之处于激发状态的第二处理气体供给至处理区域的激发期间。在第四工序中，停止向处理区域内供给第一、第二和第三处理气体。

公开(公告)号：CN1808690A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200510130390.5

申请日：2005-12-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 长谷部一秀 ,  冈田充弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/31 ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

Abstract: 在形成例如氮化硅膜时，在成膜处理后，利用与该成膜处理对应的清洗方案对反应容器内进行清洗处理，以除去导致气体或颗粒产生的粘附在反应容器内的膜的表层部，从而减少气体或颗粒的产生。使多片晶片W保持在晶舟25中、将其搬入反应容器2内，以进行使用例如Si2Cl2气体和NH3气体作为成膜气体的成膜方案1的成膜处理。接着，自动选择与该成膜处理对应的清洗方案1，根据该清洗方案1对反应容器2进行清洗处理。根据每次成膜处理的种类准备清洗方案，自动选择与各成膜处理对应的清洗方案以进行清洗处理，由此，可以在抑制产生不必要的清洗时间的状态下，进行与各成膜处理对应的适当的清洗处理。

公开(公告)号：CN1763915A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510112808.X

申请日：2005-10-12

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 冈田充弘 ,  远藤笃史 ,  西村俊治 ,  长谷部一秀

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3205 ,  C23C16/44 ,  C23C14/22

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 本发明提供一种可以有效除去附着在被处理装置内部的反应生成物的薄膜形成装置的清洗方法及薄膜形成装置。其中，热处理装置(1)的控制部(100)将反应管内加热到400℃～700℃，同时从处理气体导入管(17)供给含有氟与氟化氢的洗净气体，除去附着物。

公开(公告)号：CN1608312A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN02822002.1

申请日：2002-09-27

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 斋藤孝规 ,  牧谷敏幸 ,  长内长荣 ,  泷泽刚 ,  岛津和久 ,  长谷部一秀 ,  山本博之 ,  斋藤幸正 ,  山贺健一

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/67109 ,  H01L21/67098

Abstract: 本发明提供了一种热处理装置，它包括：在上端部形成有开口部的加热炉主体：设置在所述加热炉主体内壁处的加热组件；收装在所述加热炉主体内部处的、由单管构成的反应容器：形成在所述反应容器上部处的排气配管连接部；以及设置在所述排气配管连接部周围位置处的第一温度控制组件。